電子束曝光系統(tǒng)-納騰Pharos 310電子束曝光系統(tǒng)
氮?dú)獍l(fā)生器-TOUDENKI
電子束曝光系統(tǒng)-納騰Pharos 310電子束曝光系統(tǒng)
掃描電子顯微鏡 shnti 電子顯微鏡
等離子清洗機(jī) SHNTI YP-20等離子清洗機(jī)
離子濺射鍍膜儀 SHNTI 鍍膜儀
電子束曝光系統(tǒng)概述
電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝 ， 是光刻工藝的延伸應(yīng)用 。 電子束曝光系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)電子束曝光 技術(shù)的硬件平臺(tái)，系統(tǒng)的性能決定了曝光工藝關(guān)鍵尺寸、拼接和套刻精度等參數(shù)。
公司完成了電子束曝光工藝和設(shè)備核心部件的技術(shù)突破，率先在中國推出自主創(chuàng)新、品質(zhì)可控、性能優(yōu)異的電子束曝光系統(tǒng)整機(jī)設(shè)備 ：Pharos 310。電子束曝光系統(tǒng)中多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際一流水平 ， 實(shí)現(xiàn)了電子曝光設(shè)備系統(tǒng)國產(chǎn)替代、自主可控的發(fā)展目標(biāo)，產(chǎn)品成為實(shí)驗(yàn)室條件下進(jìn)行亞微米至納米級(jí)別光刻技術(shù)研發(fā)的利器。
電子束曝光系統(tǒng)的構(gòu)成
應(yīng)用案例
主要技術(shù)規(guī)格
電 子 光 學(xué) 參 數(shù) |
電子發(fā)射源：采用肖特基發(fā)射源，使用壽命不低于1500小時(shí) |
加速電壓：200 eV-30 keV |
電子束束流：10pA-200nA |
電子束束斑尺寸：≤3.0nm@30keV |
寫場速度：最高可達(dá)到20MHz pixel frequency |
最大寫場尺寸：500μmx500μm |
分辨率(最小線寬):20nm* |
拼接精度：≤±50nm(mean+3o) |
套刻精度：≤±50nm(mean+3o) |
樣品臺(tái)移動(dòng)范圍：100mm |
可加工樣品的最大尺寸：4英寸晶圓 |
標(biāo)準(zhǔn)配置 |
采用激光干涉儀定位樣品臺(tái) |
由送樣開始至樣品室真空達(dá)到可以工作的時(shí)間不多于10分鐘 |
采用自動(dòng)進(jìn)樣系統(tǒng)，進(jìn)樣過程中無需人為干涉，配置有光學(xué)導(dǎo)航系統(tǒng) |
采用Windows操控系統(tǒng)，在硬件允許的情況下，終身免費(fèi)升級(jí) |
提供UPS不間斷電源(一臺(tái)) |
具備主動(dòng)及被動(dòng)減震系統(tǒng)，保證電子束曝光系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。 |
*工藝：加速電壓30keV; 光刻膠PMMA 950K A2; 光刻膠厚度60 nm
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢208次刻蝕設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢234次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢225次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢179次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢182次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢151次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢229次沉積設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢373次原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢270次掃描電子顯微鏡及相關(guān)設(shè)備
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢1295次日本Elionix
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢21次電子束曝光
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢495次聚焦離子束電子束雙束顯微鏡 DB550
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢1074次美國 OAI
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢2164次薄膜半導(dǎo)體材料制備系統(tǒng)
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢163次德國 Raith
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化，進(jìn)行存儲(chǔ)與管理，可建立數(shù)字切片庫，便于培訓(xùn)、分析、管理等，脫離時(shí)間、空間限制。
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化，進(jìn)行存儲(chǔ)與管理，可建立數(shù)字切片庫，便于培訓(xùn)、分析、管理等，脫離時(shí)間、空間限制。
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化，進(jìn)行存儲(chǔ)與管理，可建立數(shù)字切片庫，便于培訓(xùn)、分析、管理等，脫離時(shí)間、空間限制。
電子束曝光一種高分辨率的微細(xì)加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于納米科技和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其基本原理是利用聚焦的電子束在光刻膠上進(jìn)行直接寫入，通過改變光刻膠的化學(xué)性質(zhì)來形成微納米結(jié)構(gòu)圖案。上海納騰儀器有限公司自主研發(fā)的電子束曝光機(jī)（Pharos系列產(chǎn)品）， 具有高分辨率、 精準(zhǔn)控制和高度自動(dòng)化的優(yōu)勢， 被廣泛應(yīng)用于制備半導(dǎo)體芯片、 光子學(xué)元件和其他微納米結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域， 是進(jìn)行亞微米至納米級(jí)曝光技術(shù)研發(fā)的理想工具。
1. SE series可執(zhí)行Thermal-ALD，PEALD，與ALA等先進(jìn)制程。 2. SE series具有高度的改造彈性，但其性能與穩(wěn)定性并不因此而犧牲。 3. 原子層沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有便捷、穩(wěn)定、再現(xiàn)性高的產(chǎn)品定位。
WinSPM EDU 系統(tǒng)榮獲“全國教學(xué)儀器設(shè)備評比較好獎(jiǎng)”,該獎(jiǎng)項(xiàng)由國家教育裝備委員會(huì)頒發(fā)，表彰其在納米教育實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)方面的創(chuàng)新設(shè)計(jì)、穩(wěn)定性能和在全國高校廣泛應(yīng)用中的突出表現(xiàn)。
日本東宇 是業(yè)界知名的氮?dú)獍l(fā)生器廠家,擁有30年豐富的銷售經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)的售后支持團(tuán)隊(duì)。 日本京都的研發(fā)生產(chǎn)中心, 與合作實(shí)驗(yàn)室持續(xù)開發(fā)新機(jī)型。 在日本、 中國等多國取得多項(xiàng)技術(shù)專利。工廠通過ISO9001認(rèn)證。
較為低的曲率半徑：每根針經(jīng)過質(zhì)檢； 較小探針差異：較為特加工工藝實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制
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