IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng)，適用于光學計量、193 nm 步進光學元件校準或高功率 ArF 準分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。

IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng)，適用于光學計量、193 nm 步進光學元件校準或高功率 ArF 準分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。

ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di

Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸，基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配...

Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸， 基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個...

高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%

超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源（數(shù)量最多 8 個），可選強磁版本

Syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發(fā)系統(tǒng)可提供的真空環(huán)境 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求，包括OLED、OPV、O...

Syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源（數(shù)量最多 6 個）? 可以...

Syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) HV E-beam， 靈活的基板尺寸可達 12 英寸，? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%

Syskey Lift-off E-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)， 靈活的基板尺寸可達 12 英寸， 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%

Syskey 超高真空電子束鍍膜 UHV E-beam, 靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架水、油或 LN2 冷卻和傾斜? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%? 4/6/8 個口袋電子束光源（每...

Syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) PVD Cluster,設(shè)備可以在真空環(huán)境下制造，提供目標設(shè)備的最佳性能。各種PVD技術(shù)可以按一定的工藝流程集成在一起。集群工具可以是被定義為設(shè)備制造的專用工具。

Syskey 小型多腔體鍍膜機 Mini Cluster,真空技術(shù)在半導體行業(yè)中發(fā)揮著重要作用。半導體濺射、光刻、蝕刻等制造工藝需要在真空室中進行，以減少氣體分子對基板的影響, 經(jīng)過加工，保證生產(chǎn)質(zhì)量...

Syskey 等離子增強原子沉積 PEALD, 用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ALD 和 PEALD 系統(tǒng)。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應(yīng)窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實驗室空間...

Syskey 等離子增強多腔體系統(tǒng) PEALD Cluster,雙工藝室 PEALD 系統(tǒng)可用于薄膜封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品被轉(zhuǎn)移自動在兩個工藝室之間。? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸...