Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸，基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個(gè)6英寸磁控濺射源（可選配...

Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸， 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個(gè)...

高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達(dá)800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%

Syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) HV E-beam， 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸，? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%

Syskey Lift-off E-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)， 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸， 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3%

Syskey 等離子增強(qiáng)原子沉積 PEALD, 用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ALD 和 PEALD 系統(tǒng)。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應(yīng)窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實(shí)驗(yàn)室空間...

Syskey 等離子增強(qiáng)多腔體系統(tǒng) PEALD Cluster,雙工藝室 PEALD 系統(tǒng)可用于薄膜封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品被轉(zhuǎn)移自動(dòng)在兩個(gè)工藝室之間。? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸...

Syskey 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD, 用于的 PECVD 系統(tǒng), 氣體管線可實(shí)現(xiàn)硅基材料沉積。 ? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸 ? 基板支架加熱至 400 °C ? ...

Syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機(jī) ICP-RIE,用于氧化物和氮化物蝕刻的 ICP-RIE 系統(tǒng)。氣體管線可實(shí)現(xiàn)金屬蝕刻。全自動(dòng)作，支持一鍵工序。

Syskey RIE 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，用于氧化物和氮化物蝕刻的 RIE 系統(tǒng)。氣體管線可實(shí)現(xiàn)硅基材料刻蝕。全自動(dòng)作，支持一鍵工序。

Syskey 離子束刻蝕機(jī) IBE, 離子束蝕刻（IBE）是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，利用離子源去除來自基材表面的材料具有卓越的均勻性和精度。國際教育局可以適用于金屬、氧化物、半導(dǎo)體、有機(jī)物等多種材料化合...

yskey CVD Cluster 化學(xué)氣相沉積，? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸 ? 基板支架加熱至 400 °C ? 優(yōu) 異的薄膜均勻性，小于 ±2%/±5% ? 每個(gè)工藝室有 6 條...