ixion 193 SLM 準(zhǔn)分子激光器
ixion 193 SLM 準(zhǔn)分子激光器
ASML 光刻機(jī) Twinscan NXT:1980Di
Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
德國Raith CHIPSCANNER 電子束光刻機(jī)
ASML 光刻機(jī) Twinscan NXT:1980Di
NXT:1980Di 雖然分辨率在38nm左右，但是通過多重曝光，依然可以支持到7nm左右。只不過，這樣步驟更為復(fù)雜，成本更高，良率可能也會有損失。據(jù)說臺積電的第 一代7nm工藝也是基于 NXT:1980Di 實現(xiàn)的。
目前NXT:1980Di 更多還是被用于45nm以下成熟制程的生產(chǎn)
目前NXT:1980系列已經(jīng)升級到了NXT:1980 F，NXT:1980D是兩代之前的產(chǎn)品了。之前的NXT:1980 D/E都是基于NXT3平臺，F(xiàn)是新的NXT4平臺，每小時的生產(chǎn)晶圓數(shù)量從275wph上升到了295wph，而且NXT4平臺還能支持后續(xù)升級到330-350wph。
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已咨詢321次光刻機(jī)/3D打印機(jī)/電子束直寫儀
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已咨詢313次光刻機(jī)/3D打印機(jī)/電子束直寫儀
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已咨詢289次光刻機(jī)/3D打印機(jī)/電子束直寫儀
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已咨詢6014次半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
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已咨詢4637次半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
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已咨詢1162次光刻機(jī)
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已咨詢191次激光干涉光刻機(jī)
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已咨詢296次科時達(dá)
IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng)，適用于光學(xué)計量、193 nm 步進(jìn)光學(xué)元件校準(zhǔn)或高功率 ArF 準(zhǔn)分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。
IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng)，適用于光學(xué)計量、193 nm 步進(jìn)光學(xué)元件校準(zhǔn)或高功率 ArF 準(zhǔn)分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。
ASML 光刻機(jī) Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸，基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個），支持射頻、直流或脈沖直流電源，最多可支持3條氣體管路，支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸， 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個），速率控制沉積，可沉積多層薄膜，選用特定目標(biāo)材料
高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達(dá)800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機(jī) UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源（數(shù)量最多 8 個），可選強(qiáng)磁版本
Syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)HV Thermal 高真空熱蒸發(fā)系統(tǒng)可提供的真空環(huán)境 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機(jī)物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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