陰極熒光Sunny-Rainbow陰極熒光成像光譜探測(cè)系統(tǒng)
原位MEMS芯片和同步輻射Holder
電鏡原位偏壓加熱系統(tǒng)NHB-SNL原位電化學(xué)
納米壓痕儀InSEM HT高溫原位納米壓痕儀
納米操作機(jī) LF-2000綜合原位納米操作機(jī)
簡(jiǎn)介
陰較為熒光系統(tǒng)(Cathodoluminescence, CL)通常配置在掃描電鏡或透射電鏡中,能夠?qū)崿F(xiàn)形貌觀察、結(jié)構(gòu)和成分分析同陰較為熒光光譜的結(jié)合研究,實(shí)現(xiàn)全光譜熒光掃描成像。陰較為熒光激發(fā)所用的電子束束斑非常小,能量高;相比于光致發(fā)光( Photoluminescence, PL)陰較為熒光具有高空間分辨、高激發(fā)能量、寬光譜范圍、大激發(fā)深度等特點(diǎn),并能夠?qū)崿F(xiàn)全光譜熒光掃描成像。陰較為熒光系統(tǒng)結(jié)合掃描電子顯微鏡能夠在小尺度對(duì)半導(dǎo)體材料與器件、熒光材料(地質(zhì)、考古材料)等實(shí)現(xiàn)形貌觀察、結(jié)構(gòu)和成分分析同陰較為熒光光譜的結(jié)合研究,在半導(dǎo)體、微電子、材料、物理、地質(zhì)、考古等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。特別在微米、納米尺度的半導(dǎo)體量子點(diǎn)、量子線等熒光物質(zhì)的發(fā)光性質(zhì)及電子結(jié)構(gòu)的的研究領(lǐng)域,陰較為熒光技術(shù)具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
技術(shù)能力
俞大鵬院士領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)利用這種超高空間分辨的陰較為熒光光譜技術(shù)系統(tǒng)開展了一系列國際領(lǐng)先的研究工作,主要包括1)研究了半導(dǎo)體納米/微米線材料的力電耦合性質(zhì),應(yīng)變梯度對(duì)發(fā)光能量、精細(xì)電子結(jié)構(gòu)和激子輸運(yùn)動(dòng)力學(xué)機(jī)理的影響規(guī)律等非常有趣的應(yīng)變引起的物理效應(yīng),他們正在進(jìn)一步研究應(yīng)變可能引起的玻色-愛因斯坦凝聚的新奇物理現(xiàn)象;2)利用這種高空間分辨的陰較為熒光光譜技術(shù)系統(tǒng)開展了金屬納米腔中表面等離激元(SPPs)的色散關(guān)系、模式分布規(guī)律及其物理起源。
主要功能
實(shí)現(xiàn)形貌觀察、結(jié)構(gòu)和成分分析同陰較為熒光光譜的結(jié)合研究
實(shí)現(xiàn)全光譜熒光掃描成像
實(shí)現(xiàn)全譜/單譜成像、光譜采集、陰較為熒光光譜面分布

應(yīng)用
氮化鎵基發(fā)光器件的陰較為熒光全譜成像(左圖);氮化鎵基發(fā)光器件在不同激發(fā)能量下的陰較為熒光光譜特性(右圖)

彎曲ZnO 微米線(直徑1.8μm)CL 實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果。a.樣品的SEM 圖片;b 和c,無應(yīng)變和彎曲部位的線掃CL測(cè)量結(jié)果;d.帶邊發(fā)光峰的移動(dòng)量隨橫截面內(nèi)應(yīng)變的變化

平滑銀金屬表面微腔結(jié)構(gòu)中的三維表面等離激元共振模式

DUV-LED器件的陰較為熒光全譜成像與光譜分析

工業(yè)用熒光粉(YAG)的陰較為熒光成像與光譜分析

半導(dǎo)體激光器器件

半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)與器件

地質(zhì)材料

報(bào)價(jià):面議
已咨詢206次陰極熒光系統(tǒng)
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已咨詢1246次電鏡附件產(chǎn)品
報(bào)價(jià):面議
已咨詢1606次陰極熒光分析設(shè)備
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已咨詢7244次熒光光譜分析儀
報(bào)價(jià):面議
已咨詢125次Sigma-Aldrich西格瑪試劑標(biāo)物
報(bào)價(jià):面議
已咨詢227次光譜測(cè)量用探測(cè)器
報(bào)價(jià):面議
已咨詢940次高光譜成像技術(shù)
報(bào)價(jià):面議
已咨詢258次熒光壽命光譜儀
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化,進(jìn)行存儲(chǔ)與管理,可建立數(shù)字切片庫,便于培訓(xùn)、分析、管理等,脫離時(shí)間、空間限制。
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化,進(jìn)行存儲(chǔ)與管理,可建立數(shù)字切片庫,便于培訓(xùn)、分析、管理等,脫離時(shí)間、空間限制。
將傳統(tǒng)玻片數(shù)字化,進(jìn)行存儲(chǔ)與管理,可建立數(shù)字切片庫,便于培訓(xùn)、分析、管理等,脫離時(shí)間、空間限制。
電子束曝光一種高分辨率的微細(xì)加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于納米科技和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其基本原理是利用聚焦的電子束在光刻膠上進(jìn)行直接寫入,通過改變光刻膠的化學(xué)性質(zhì)來形成微納米結(jié)構(gòu)圖案。上海納騰儀器有限公司自主研發(fā)的電子束曝光機(jī)(Pharos系列產(chǎn)品), 具有高分辨率、 精準(zhǔn)控制和高度自動(dòng)化的優(yōu)勢(shì), 被廣泛應(yīng)用于制備半導(dǎo)體芯片、 光子學(xué)元件和其他微納米結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域, 是進(jìn)行亞微米至納米級(jí)曝光技術(shù)研發(fā)的理想工具。
1. SE series可執(zhí)行Thermal-ALD,PEALD,與ALA等先進(jìn)制程。 2. SE series具有高度的改造彈性,但其性能與穩(wěn)定性并不因此而犧牲。 3. 原子層沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有便捷、穩(wěn)定、再現(xiàn)性高的產(chǎn)品定位。
WinSPM EDU 系統(tǒng)榮獲“全國教學(xué)儀器設(shè)備評(píng)比較好獎(jiǎng)”,該獎(jiǎng)項(xiàng)由國家教育裝備委員會(huì)頒發(fā),表彰其在納米教育實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)方面的創(chuàng)新設(shè)計(jì)、穩(wěn)定性能和在全國高校廣泛應(yīng)用中的突出表現(xiàn)。
日本東宇 是業(yè)界知名的氮?dú)獍l(fā)生器廠家,擁有30年豐富的銷售經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)的售后支持團(tuán)隊(duì)。 日本京都的研發(fā)生產(chǎn)中心, 與合作實(shí)驗(yàn)室持續(xù)開發(fā)新機(jī)型。 在日本、 中國等多國取得多項(xiàng)技術(shù)專利。工廠通過ISO9001認(rèn)證。
較為低的曲率半徑:每根針經(jīng)過質(zhì)檢; 較小探針差異:較為特加工工藝實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制