離子束刻蝕系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2005年10月1日啟用。

離子束刻蝕技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

離子束刻蝕技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：

1、屬于物理刻蝕，能夠?qū)涛g材料的限制進(jìn)行突破。

2、刻蝕過(guò)程中能夠?qū)﹄x子束入射角改變來(lái)對(duì)圖形輪廓進(jìn)行控制，對(duì)特殊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行加工。

3、有著較好的方向性，沒(méi)有鉆蝕，有較高的陡直度。

4、刻蝕速率有著較好的可控性，有著較高的圖形分辨率，CD能夠低于0.1微米。

離子束刻蝕技術(shù)缺點(diǎn)：

1、屬于物理刻蝕，經(jīng)常會(huì)發(fā)生過(guò)刻的現(xiàn)象。

2、較慢的刻蝕速率，效率要低于ICP。

3、晶片的深刻蝕不太容易完成。

離子束刻蝕技術(shù)應(yīng)用

先進(jìn)的離子束濺射和離子束刻蝕工藝被應(yīng)用來(lái)直接在金屬測(cè)壓膜片上制作應(yīng)變電橋。因?yàn)閭鹘y(tǒng)的膠粘工藝不被使用，使應(yīng)變式傳感器的長(zhǎng)期穩(wěn)定性及抗蠕變特性得到了顯著的改善，大大擴(kuò)展了產(chǎn)品使用的溫度。因?yàn)闆](méi)有活動(dòng)部件,有著非常強(qiáng)的抗振動(dòng)和抗沖的能力，能夠在惡劣的環(huán)境使用。

因?yàn)殡x子束刻蝕對(duì)材料無(wú)選擇性，能夠通過(guò)離子束來(lái)減薄那些無(wú)法或者難以通過(guò)化學(xué)研磨、電介研磨難以減薄的材料。除此以外，因?yàn)殡x子束可以對(duì)原子層進(jìn)行逐層剝離，因此，微分析樣品能力為其所具有并且能夠用來(lái)進(jìn)行精密加工。