NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)

NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)

通過加速的 Ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。通常情況下，樣品表面采用厚膠作掩模，刻蝕期間高能離子流將會對基片和光刻膠過加熱，除非找到合適的方法移除熱量，光刻膠將變得昂變得很難以去除。支持百級超凈間使用。

NANO-MASTER 擁有成熟的技術能力可以使基片溫度保持在50°C 以下。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可以切成斜角，通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對于大尺寸的基片，我們配置線性離子源，通過掃描的方式，可以實現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應用可選擇不同的選配項，若要刻蝕之后馬上涂覆，可以增加濺射選項。對于標準的晶圓片，也可選擇自動裝載卸載晶圓片。

工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件，可實現(xiàn)全自動的 PC控制，具有高度的可重復性，且具有友好的用戶界面。

系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼授權訪問保護，防止使用者越權使用，含：
。 操作者權限：運行程序
。工藝師權限：添加/編輯和刪除程序
。工程師權限：可獨立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序
。服務權限：NM 工程師故障診斷和排除

系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單，每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個工藝工序（步驟），可實現(xiàn)簡單操作完成復雜的工藝。

系統(tǒng)標準配置包含渦輪分子泵和機械泵，極限真空可達到10-7 Torr 量級(可升級到 10-8Torr 量級)。分子泵與腔體之間的直連設計，系統(tǒng)可獲得最佳真空傳導率，12 小時達到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計配置，可實現(xiàn)真空的全局測量和精確測量。

對標準晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級，可自動進樣、對準、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨立真空系統(tǒng)，通過 PC 全自動監(jiān)控。

若離子銑工藝之后需要馬上進行反應離子刻蝕處理，NMC 技術可以雙腔體系統(tǒng)，在一個系統(tǒng)的兩個腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝，若加上自動傳輸，還可實現(xiàn)整個處理過程都不打破彼此真空狀態(tài)，實現(xiàn)非常高效的工藝處理