離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗儀器，其啟用于2005年10月1日。

離子束刻蝕系統(tǒng)影響因素

真空應(yīng)用有關(guān)的離子束刻蝕中，存在的主要問題包括加工質(zhì)量與加工效率。其中刻蝕速率為加工效率的主要體現(xiàn)。

在離子束刻蝕中，通過單位時間內(nèi)刻蝕的深度來表示刻蝕速率?？偠灾?，其和濺射率、到達(dá)表面的離子通量密度以及材料的原子密度相關(guān)聯(lián)。

1、靶材的原子密集程度

離子束刻蝕的刻蝕速率和原子的密集程度成負(fù)相關(guān)，也就是在相同的濺射率下，越高的靶材密度，越小的原子量，就會有越低的刻蝕速率。

2、束流密度

刻蝕速率與束流密度成線性關(guān)系，即為當(dāng)有著較低束流密度和離子能量，濺射率不會隨著束流密度發(fā)生改變。當(dāng)有過高的束流密度時，可能會對表面的某些物理化學(xué)狀態(tài)有所破壞，會復(fù)雜化濺射過程，從而使得刻蝕速率由線性關(guān)系偏離。

3、濺射率

刻蝕速率和濺射率成正相關(guān)。殘余氣體的組分、溫度、升華熱、表面狀態(tài)、晶格結(jié)構(gòu)、靶材的種類、入射角度、能量、入射離子的種類均會影響具體的濺射率。離子束刻蝕用的入射離子能量一般為300-2000電子伏特。如果入射離子的能量增大，那么刻蝕速度就會增大，然而也會增加表面損傷。