離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域得到應用的工藝試驗儀器，其啟用于2005年10月1日。

離子束刻蝕系統(tǒng)介紹：

離子銑又叫做離子束刻蝕，為具有強方向性等離子體的一種物理刻蝕機理。小尺寸圖形能夠通過其使得各向異性刻蝕產(chǎn)生

一般通過電感耦合RF源或微波源產(chǎn)等離子體?？焖龠\動的電子由熱燈絲發(fā)射出。氬原子利用擴散篩往離子腔體內進入。電磁場對等離子體腔進行環(huán)繞。電子在磁場的作用下在圓形軌道上運動，電子與氬原子由于此種循環(huán)運動產(chǎn)生多次碰撞，從而使得大量的正氬離子產(chǎn)生，從格柵電極的等離子體源中引出正氬離子，并且利用一套校準的電極來使高密度束流形成。離子能量通過一個高壓加速格柵被加到2500電子伏特

電子通過中和燈絲發(fā)射來復合氬原子來使硅片帶上正離子電荷得以避免。離子束刻蝕機工作于1e-4托的低壓氬氣環(huán)境中。其的工作壓力要比一般的高密度等離子體刻蝕的工作壓力要低。對于刻蝕金、鉑和銅等難刻蝕的材料使用離子束刻蝕。硅片能夠傾斜來使不同的側壁形狀獲得。其低選擇比（一般比3:1低）與低產(chǎn)能的刻蝕速率為一個限制離子束刻蝕機在半導體工藝中廣泛使用的主要問題。

離子束刻蝕系統(tǒng)技術指標

離子源、真空系統(tǒng)、反應室、氣路系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)五大部分共同組成離子刻蝕系統(tǒng)。

1．反應室尺寸：Ф325毫米

2．氣路系統(tǒng)：2路進氣（能夠作清洗）；2個質量流量計，2路顯示。

3．可加工片子尺寸：Ф150毫米以內。

4．均勻性：±5%

5.水溫控制范圍：5～25攝氏度。

6．離子源口徑：Ф150毫米

7．有效離子束直徑：Ф100毫米

8.離子束流密度：不低于1毫安/平方厘米

9.離子能量：150-1000電子伏特

10．真空系統(tǒng)：1500升/秒分子泵、11升/秒機械泵各1臺。帶真空計。