離子束刻蝕系統(tǒng)
低溫試驗(yàn)箱皓天鑫SMC-36測試芯片
無錫冠亞半導(dǎo)體芯片高低溫測試一體機(jī)
第三代半導(dǎo)體測試儀器
半導(dǎo)體芯片檢測設(shè)備冷熱沖擊試驗(yàn)箱皓天廠家直銷
半導(dǎo)體I-V特性測試儀器
產(chǎn)品簡介
離子束刻蝕系統(tǒng)的基本原理是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用。把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1.極限真空：9′10-5Pa
2.刻蝕均勻性與重復(fù)性：3英寸襯底均勻性優(yōu)于±5% ，重復(fù)性優(yōu)于±5%
3.刻蝕速率:200nm/min
4.基片尺寸：≤4英寸
5.刻蝕氣體：:Ar
主要用途
主要用于金屬材料的刻蝕
公司主要研發(fā)、制造和銷售的檢測儀器有：電壓擊穿試驗(yàn)儀、高壓漏電起痕試驗(yàn)儀、耐電弧試驗(yàn)儀、鐵電材料測試儀器、介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀、表面及體積電阻率測試儀、壓電材料測試儀器、熱電材料測試儀器、絕緣材料電性能檢測設(shè)備、高溫管式爐\反射爐\氣氛爐、高溫電性能測試設(shè)備、Huace靜電檢測儀器、硅橡膠\絕緣子行業(yè)測試設(shè)備、PCB\三防漆電子材料測試、電氣薄膜電學(xué)檢測儀器、高低壓電氣材料測試設(shè)備、電線電纜行業(yè)電學(xué)測試設(shè)備、高分子材料電學(xué)測試儀器、熱分析儀器、電氣安規(guī)檢測儀器、半導(dǎo)體芯片類測試儀器等，可接定制儀器訂單。
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已咨詢670次日本Microphase 分子束外延系統(tǒng)
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NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)。
是一款自動(dòng)放片/取片，并且工藝過程為全自動(dòng)計(jì)算機(jī)控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。
如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)： NIE-4000 獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIE-3500 緊湊型獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIR-4000 獨(dú)立式 IBE / RIE 雙刻蝕系統(tǒng) NIE-3000 臺(tái)式 IBE 刻蝕系統(tǒng)
IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)： NIE-4000 獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIE-3500 緊湊型獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIR-4000 獨(dú)立式 IBE / RIE 雙刻蝕系統(tǒng) NIE-3000 臺(tái)式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NANO-MASTER那諾-馬斯特的IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)
NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 Ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
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