儀器網(wǎng)>產(chǎn)品中心>行業(yè)專用儀器>半導(dǎo)體行業(yè)>原子層沉積系統(tǒng) 更新時(shí)間：2026-04-14 01:47:19

原子層沉積系統(tǒng)

（共30件相關(guān)產(chǎn)品信息）

不知道怎么選為你提供選購(gòu)方案發(fā)求購(gòu)

推薦廠商：: 納騰

產(chǎn)品分類：: 更多光刻機(jī)/臺(tái)式無掩模光刻機(jī) 離子減薄儀等離子體表面處理儀離子濺射儀電子束刻蝕系統(tǒng) 離子束刻蝕系統(tǒng) 激光刻蝕機(jī) 磁控濺射儀/磁控濺射鍍膜儀氣相沉積系統(tǒng) 分子束外延系統(tǒng) 激光濺射沉積系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 勻膠機(jī)

產(chǎn)品產(chǎn)地：: 不限中國(guó)大陸大洋洲歐洲亞洲美洲

廠商性質(zhì)：: 不限自營(yíng) 代理經(jīng)銷

銷售地區(qū)：: 不限售全國(guó) 售本省售本市

產(chǎn)品品牌：

不限
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z

美國(guó)Forge Nano

德國(guó)愛譜斯

深圳科時(shí)達(dá)

美國(guó)那諾-馬斯特

美國(guó)Nano-Master

芬蘭Picosun

美國(guó)Rocky Mountain

深圳原速

美國(guó)Veeco

收起參數(shù)(產(chǎn)地、種類、應(yīng)用領(lǐng)域)

綜合

銷售地區(qū)

不限

售全國(guó)

售本省

售本市
廠商性質(zhì)

不限

自營(yíng)

代理

經(jīng)銷
價(jià)格由高到低
價(jià)格由低到高

參考報(bào)價(jià)

面議

全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

品牌：維易科型號(hào)：Savannah G2 ALD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：香港電子器材有限公司
參考報(bào)價(jià)

面議

臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

品牌：美國(guó)ARRADIANCE 型號(hào)：GEMStar XT 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：清砥量子科學(xué)儀器（北京）有限公司

簡(jiǎn)介：美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui 多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性優(yōu)于99%，而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500: 1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。
參考報(bào)價(jià)

面議

原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品

品牌：納騰型號(hào)：產(chǎn)地：上海徐匯區(qū)

廠商：上海納騰儀器有限公司

簡(jiǎn)介：原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）是通過氣相前驅(qū)體及反應(yīng)物脈沖交替的通入反應(yīng)腔并在基底上發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法
參考報(bào)價(jià)

面議

PROMETHEUS 流化床原子層沉積系統(tǒng)

品牌：Forge Nano 型號(hào)：P 系列產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司

簡(jiǎn)介：粉末包覆可有效提升材料性能與使用壽命，如鋰電正極或負(fù)極材料，經(jīng)過表面包覆處理后在放電性能及循環(huán)使用壽命方面都有明顯提升，但目前工業(yè)的包覆手段以機(jī)械混合的干法為主，該方法包覆均勻性較差，性能提升有限。ALD 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高精度及均勻包覆，是理想的包覆手段。Forge Nano 針對(duì)粉末類材料比表面積大的特點(diǎn)，采用流化床技術(shù)實(shí)現(xiàn)粉末材料的流化，從而保證前驅(qū)體與粉末實(shí)現(xiàn)充分的接觸。P 系列是 Forge Nano 針對(duì)工業(yè)包覆研發(fā)的粉末 ALD 負(fù)載系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn) kg 級(jí)粉末批量包覆，是工業(yè)生產(chǎn)前Z理想的研發(fā)工具。
參考報(bào)價(jià)

面議

PANDORA 多功能臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)

品牌：Forge Nano 型號(hào)：PANDORA 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司

簡(jiǎn)介：PANDORA 是高度集成的臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)，可擺放在實(shí)驗(yàn)室的任意角落，采用旋轉(zhuǎn)式反應(yīng)腔實(shí)現(xiàn)對(duì)粉末材料的分散，有更高的兼容性。對(duì)于平面樣品，則可快速插入平面反應(yīng)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)樣品的切換。PANDORA 高度集成的特點(diǎn)提高了使用效率，使用者甚至在安裝的第一天便可以開始 ALD 實(shí)驗(yàn)。
參考報(bào)價(jià)

面議

臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

品牌：美國(guó)ARRADIANCE 型號(hào)：GEMStar XT 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：清砥量子科學(xué)儀器（北京）有限公司

簡(jiǎn)介：美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui 多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性優(yōu)于99%，而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500: 1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。
參考報(bào)價(jià)

面議

美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積系統(tǒng)NLD-4000

品牌：美國(guó)Nano-Master 型號(hào)：NLD-4000,NLD-3500,NLD-3000 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積： NLD-4000 獨(dú)立式ALD系統(tǒng) NLD-3500 緊湊型獨(dú)立式ALD系統(tǒng) NLD-3000 臺(tái)式ALD系統(tǒng)
參考報(bào)價(jià)

面議

等離子體輔助原子層沉積系統(tǒng) PEALD

品牌：美國(guó)ANRIC 型號(hào)：AT-400 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：科睿設(shè)備有限公司
參考報(bào)價(jià)

面議

等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)Rocky Mountain 型號(hào)：PEALD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：科睿設(shè)備有限公司

簡(jiǎn)介：沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
參考報(bào)價(jià)

面議

全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

品牌：維易科型號(hào)：Firebird 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：香港電子器材有限公司

簡(jiǎn)介：Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購(gòu)，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ALD設(shè)備。
參考報(bào)價(jià)

面議

全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

品牌：維易科型號(hào)：Phoenix G2 ALD System 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：香港電子器材有限公司
參考報(bào)價(jià)

面議

全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

品牌：維易科型號(hào)：Fiji G2 Plasma ALD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：香港電子器材有限公司
參考報(bào)價(jià)

面議

全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

品牌：維易科型號(hào)：Savannah G2 ALD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：香港電子器材有限公司
參考報(bào)價(jià)

面議

原子層沉積系統(tǒng)

品牌：深圳科時(shí)達(dá) 型號(hào)：15 產(chǎn)地：亞洲日本

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：日本Microphase 原子層沉積系統(tǒng)
參考報(bào)價(jià)

面議

原子層沉積系統(tǒng) R系列

品牌：芬蘭Picosun 型號(hào)：R 產(chǎn)地：歐洲芬蘭

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介： PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會(huì)的成員。我們的首席技術(shù)官SVEN LINDFORS從1975年開始連續(xù)的設(shè)計(jì)ALD系統(tǒng)。綜合起來講，PICOSUN擁有了200多年的ALD經(jīng)驗(yàn)并貢獻(xiàn)了100多項(xiàng)ALDZL。我們悠久的歷史和廣泛的背景使PICOSUN成為ALD技術(shù)優(yōu)質(zhì)的合作伙伴。技術(shù)參
參考報(bào)價(jià)

面議

SAL3000原子層沉積系統(tǒng)

品牌：日本AGUS 型號(hào)：SAL3000 產(chǎn)地：亞洲日本

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介： SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備Z多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。
參考報(bào)價(jià)

面議

NLD-3500 (A) ,全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)Nano-Master 型號(hào)：NLD-3500(A), 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介： NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供ZY的薄膜性能。
參考報(bào)價(jià)

面議

PEALD 原子層沉積系統(tǒng)

品牌：深圳科時(shí)達(dá) 型號(hào)：PEALD 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介： 1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)；2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積)；3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)；儀器簡(jiǎn)介：原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition。
參考報(bào)價(jià)

面議

美國(guó)FALD原子層沉積系統(tǒng) AT-600

品牌：深圳科時(shí)達(dá) 型號(hào)：FALDAT-600 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
參考報(bào)價(jià)

面議

等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：PEALD E200SP 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：真空測(cè)量采用雙真空壓力計(jì)組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實(shí)，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障。
參考報(bào)價(jià)

面議

熱法原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：Thermal-ALD E200S 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：真空測(cè)量采用雙真空壓力計(jì)組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實(shí)，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障
參考報(bào)價(jià)

面議

超高真空集成原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：UHV ALD 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：框架采用進(jìn)口鋁材搭建，重量輕、承載能力強(qiáng)，散熱性好外殼采用碳鋼烤漆及圓角處理，輕便美觀，拆卸方便，符合人體工學(xué) 顯示屏360度自由旋轉(zhuǎn)，可調(diào)視距、視角、自由懸停
參考報(bào)價(jià)

面議

手套箱集成原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：Glove Box Integrated 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：真空測(cè)量采用雙真空壓力計(jì)組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實(shí)，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障。
參考報(bào)價(jià)

面議

粉體包裹原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：PA 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：真空測(cè)量采用多真空壓力計(jì)組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實(shí)，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障
參考報(bào)價(jià)

面議

大尺寸原子層沉積系統(tǒng)

品牌：原速型號(hào)：Thermal-ALD E300S 產(chǎn)地：廣東深圳

廠商：北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司

簡(jiǎn)介：真空測(cè)量采用雙真空壓力計(jì)組合方式，工藝數(shù)據(jù)更真實(shí)，更迅速，更精確，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復(fù)性提供了可靠的保障
參考報(bào)價(jià)

面議

ald原子層沉積 NLD-3000原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NLD-3000 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
參考報(bào)價(jià)

面議

ald原子層沉積設(shè)備 NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NLD-4000（M）產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
參考報(bào)價(jià)

面議

原子層沉積設(shè)備 NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NLD-4000（A）產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

共30條
1
2
下一頁(yè)

新品推薦: 原子層沉積系統(tǒng)
● 樣品類型：粉體樣品，旗形樣品，其他樣品類型可定制 ● 可與超高真空XPS，STM，及其他UHV系統(tǒng)互聯(lián) ● 腔體最高加熱400℃，控溫精度±1℃ ● 復(fù)雜管氣路，可最多具備八種前驅(qū)體、兩路氧化還原氣路和三路載氣 ● 設(shè)計(jì)獨(dú)特的高溫鼓泡器，可提高低蒸氣壓固態(tài)源反應(yīng)效率和重復(fù)性 ● 自動(dòng)化控制系統(tǒng)，可自行編程實(shí)現(xiàn)不同類型ALD樣品生長(zhǎng) ● 控制系統(tǒng)帶安全互鎖報(bào)警功能 ● 采用PID自動(dòng)控溫，帶模糊算法自整定 ● 全金屬密封，適用于腐蝕性反應(yīng) ● 實(shí)時(shí)測(cè)控氣體流量和監(jiān)測(cè)真空度 ● 在線原位分析氣體成分 ● 自帶臭氧發(fā)生器，反應(yīng)殘留物熱分解裝置; 原子層沉積系統(tǒng)AT-410
原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。; ALD小型原子層沉積系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1）晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2）微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3）光電子材料和器件 4）集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5）平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6）互連線勢(shì)壘層 7）互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9）嵌入式電容 10）電磁記錄磁頭 11）各類薄膜（<100nm）; ald原子層沉積 NLD-3000原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。; ald原子層沉積設(shè)備 NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。; 原子層沉積設(shè)備 NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。; 芬蘭Picosun ALD原子層沉積系統(tǒng); 全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購(gòu)，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ALD設(shè)備。