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• Picousn原子層沉積系統(tǒng)中文樣本2016

  Picousn原子層沉積系統(tǒng)中文樣本2016[詳細(xì)]

  2016-09-05 00:00

  實驗操作

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• 原速 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）中文樣本

  原速 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）的儀器原理、儀器型號、應(yīng)用領(lǐng)域等[詳細(xì)]

  2023-06-25 10:32

  產(chǎn)品樣冊

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• ALD原子層沉積系統(tǒng)資料

  ALD原子層沉積系統(tǒng)資料[詳細(xì)]

  2012-04-16 00:00

  標(biāo)準(zhǔn)

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• ALD 原子層沉積

  ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。[詳細(xì)]

  2022-07-28 11:42

  產(chǎn)品樣冊

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• AN # 133表征原子層沉積金屬膜和納米層

  AN # 133表征原子層沉積金屬膜和納米層[詳細(xì)]

  2016-09-07 00:00

  安裝說明

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• (ALD)原子層沉積技術(shù)理論資料

  (ALD)原子層沉積技術(shù)理論資料[詳細(xì)]

  2024-09-11 18:03

  其它

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• 用PEALD等離子增強原子層沉積系統(tǒng)制備Ge2Sb2Te5薄膜

  用PEALD等離子增強原子層沉積系統(tǒng)制備Ge2Sb2Te5薄膜[詳細(xì)]

  2024-09-14 02:48

  標(biāo)準(zhǔn)

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• ALD原子層沉積設(shè)備-SVT產(chǎn)品樣冊

  ALD原子層沉積設(shè)備-SVT產(chǎn)品樣冊[詳細(xì)]

  2016-10-19 18:09

  報價單

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• 高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池

  高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池[詳細(xì)]

  2024-09-14 04:48

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  原子層沉積設(shè)備 P-300 Pro產(chǎn)品樣冊[詳細(xì)]

  2024-10-06 03:38

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  PICOSUN P-1000 Pro原子層沉積技術(shù)產(chǎn)品樣冊[詳細(xì)]

  2016-10-18 14:55

  安裝說明

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  2014-01-02 00:00

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  2016-06-16 00:00

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  2016-06-22 00:00

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  用原子層沉積系統(tǒng)在硅片上沉積氧化鉿HfO2和Al2O3，以及砷As參雜多晶硅研究[詳細(xì)]

  2008-09-16 00:00

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  一文了解粉末原子層沉積（PALD）技術(shù)及其實現(xiàn)方法[詳細(xì)]

  2024-09-14 19:11

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