原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積系統(tǒng)研究

1、對工藝條件改變來進(jìn)行多組仿真實(shí)驗(yàn)，結(jié)果證明前驅(qū)體溫度、反應(yīng)室真空度、基片溫度等多種因素會對薄膜的粗糙度產(chǎn)生影響。在這當(dāng)中初始沉積時間和生長速率受到基片溫度zui為顯著的影響。在溫度窗口內(nèi)，越低的基片溫度，薄膜就會越緩慢地生長，就會有越長的初始沉積時間，增加了表面粗糙度。初始沉積過程隨著基片溫度的升越短暫，薄膜封閉的越快，溫度越高，生長速率就和1ML/cycle（單分子層/循環(huán)）越接近，就會有越小的表面粗糙度，比較文獻(xiàn)中報(bào)道的結(jié)果和仿真結(jié)果，兩者有著較好的吻合，與此同時，存在ALD薄膜生長過程中兩個階段得到了進(jìn)一步的證實(shí)。zui后，一個理論基礎(chǔ)通過分析該模型存在偏差的原因被提供用于ALD的應(yīng)用研究。

2、ALD過程一般有初始沉積和后續(xù)生長兩個不同的沉積階段存在被提了出來。島狀生長和層狀生長分別為薄膜的生長的兩種表現(xiàn)形式。在這當(dāng)中，初始沉積階段對薄膜形態(tài)的影響不可忽略。