本文由 微納立方科技(北京)有限公司 整理匯編

2022-07-05 11:23 409閱讀次數(shù)

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• 光刻機uv-kub 2-Brochure

  光刻機uv-kub 2-Brochure[詳細]

  2022-07-05 11:23

  標準

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• 光刻機uv-kub 3-Brochure

  光刻機uv-kub 3-Brochure[詳細]

  2024-09-19 23:59

  標準

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• KLOE 微流控芯片光刻機/曝光機 UV-KUB系列 資料

  法國KLOE公司在光刻方面有著豐富的經(jīng)驗，其研發(fā)的UV- KUB系列光刻機是一種基于UV LED的曝光機系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)緊湊，可以直接放置在實驗臺上，能夠處理Zda直徑4英寸的晶圓，兼容硬接觸（接觸式）或者軟接觸（接近式）工藝，可自動調(diào)整掩膜高度以適應(yīng)不同的基板厚度，可使用365 nm或405 nm的光源，不需要預熱，也不需要單獨的冷卻單元。另外，UV-KUB系列先進的設(shè)計，保證了光源的準直性和均勻性，其Z小分辨率可達2μm，Zda發(fā)散角小于2° 本系統(tǒng)適用于市面上常用的光刻膠，如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。 ? [詳細]

  2024-09-15 17:10

  標準

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• KLOE 微流控芯片光刻機/曝光機 UV-KUB系列 資料二

  法國KLOE公司在光刻方面有著豐富的經(jīng)驗，其研發(fā)的UV- KUB系列光刻機是一種基于UV LED的曝光機系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)緊湊，可以直接放置在實驗臺上，能夠處理Zda直徑4英寸的晶圓，兼容硬接觸（接觸式）或者軟接觸（接近式）工藝，可自動調(diào)整掩膜高度以適應(yīng)不同的基板厚度，可使用365 nm或405 nm的光源，不需要預熱，也不需要單獨的冷卻單元。另外，UV-KUB系列先進的設(shè)計，保證了光源的準直性和均勻性，其Z小分辨率可達2μm，Zda發(fā)散角小于2° 本系統(tǒng)適用于市面上常用的光刻膠，如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。 [詳細]

  2024-09-15 17:11

  標準

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• Nanonex光刻機/紫外光刻機

  Nanonex光刻機/紫外光刻機[詳細]

  2024-09-14 13:44

  課件

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• 電子束光刻機（多功能超高精度電子束光刻機P21）

  電子束光刻機（多功能超高精度電子束光刻機P21） 依托壟斷性專利技術(shù)，百及納米推出國際領(lǐng)先的超高精度大面積寫場電子束光刻機 P21 系列。 百及納米S次開發(fā)了新一代電子束光刻機的電子束閉環(huán)控制新原理。百及超高精度電子束光刻機 P21 是第一款新一代電子束光刻機的代表，在著名電子束光刻機制造商德國 Raith 公司的成熟機型上 升級而成。該系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三個型號，區(qū)別主要在于樣品尺寸（2，4，6 英寸晶圓）及擴展使用功能。P21 不僅完整地保留了原電子束光刻機的整體功能，且集多項國際領(lǐng)先的關(guān) 鍵指標于一身，包括： ? 國際上S次開發(fā)的新穎電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)電子束的原位檢測與校正; ? 國際領(lǐng)先的寫場拼接精度≤2 nm; ? 電子束光刻的長期穩(wěn)定性。精確校正電子束的空間漂移，將其位置穩(wěn)定性提高到≤10 nm/h； 有利于通過提高電子束光刻時間實現(xiàn)大尺寸圖形的曝光需求。 百及納米的 P21 系列以常規(guī)電子束光刻機為載體，通過獨家專利技術(shù)對其進行功能及性能指標的大幅提升。P21 光刻機組件均為德國原裝制造。[詳細]

  2022-09-05 22:02

  選購指南

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• 無掩膜光刻機

  光刻機又名掩膜對準曝光機，是芯片制造流程中光刻工藝的核心設(shè)備。其主要用途是生產(chǎn)集成電路，將設(shè)計好的集成電路模板復刻到硅晶圓上，從而生產(chǎn)出微小、精確、高效率的集成電路。 根據(jù)光刻機的曝光方式，主要可以分為接觸式光刻機、接近式光刻機和直寫式光刻機，其中直寫式光刻機又可以依據(jù)其是否需要使用掩膜版細分為有掩膜和無掩膜兩種。無掩膜光刻機是一種不需要使用傳統(tǒng)掩膜版的光刻機，它通過直接對晶圓進行曝光，實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，能夠更快速地制造特定產(chǎn)品、降低成本，除了能夠滿足傳統(tǒng)的2D光刻需求外，還能實現(xiàn)2.5D光刻（即灰度光刻）。無掩膜光刻機不需要掩膜版、高度靈活的優(yōu)點，使其被廣泛應(yīng)用于科學研究、定制化生產(chǎn)、快速原型制造、電子器件、生物醫(yī)藥、光學元件、微機械等領(lǐng)域。[詳細]

  2024-09-15 17:53

  產(chǎn)品樣冊

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• 紫外掩膜曝光光刻機

  美國恩科優(yōu)N&Q系列光刻機（Mask Aligner)，是領(lǐng)xian的光刻系統(tǒng)，在光刻領(lǐng)域有超過35年的經(jīng)驗，售出1000多套設(shè)備，為半導體制造和科研領(lǐng)域提供品質(zhì)優(yōu)良穩(wěn)定的全波段紫外光刻機系統(tǒng)，廣泛的應(yīng)用于半導體光刻工藝制程、微機電MEMS、二極管芯片、發(fā)光二極體（LED）芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領(lǐng)域。客戶如美國航空航天公司、飛利浦、摩托羅拉、惠普、美國國家半導體公司、牛津大學、劍橋大學、斯坦福大學、倫敦大學、臺塑、墨爾本大學、華盛頓州立大學、方大集團、大聯(lián)大集團、光寶科技、漢磊股份、廈門乾照光電股份有限公司等等。[詳細]

  2024-09-28 08:12

  產(chǎn)品樣冊

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• 探針電子束光刻機（掃描探針電子束光刻系統(tǒng)P-SPL21）

  公司推出的探針電子束光刻機P-SPL21,利用探針在近光刻膠表面發(fā)射低能電子的原理實現(xiàn)光刻效果。該系統(tǒng)的主要特點在于： （1）幾乎無鄰近效應(yīng)，能實現(xiàn)3-5nm線寬的超精細光刻結(jié)構(gòu)； （2）用于發(fā)射電子的探針同時具有原子力顯微鏡功能，能夠?qū)崿F(xiàn)亞納米級精準定位并原位測量曝光圖型； （3）超高寫場拼接精度（≤2nm），且能夠抑制電子束長時間產(chǎn)生的空間漂移（≤5nm）。 百及納米科技的探針電子束光刻系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)光刻與原子力顯微鏡表征的雙重功能，是一款理想的用于微納制造和表征尺寸小于5nm線寬結(jié)構(gòu)的一體化系統(tǒng)。[詳細]

  2024-09-14 06:17

  產(chǎn)品樣冊

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• 193nm紫外波前傳感器（512x512高相位分辨率）助力半導體/光刻機行業(yè)發(fā)展

  新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析儀!該波前傳感器采用Phasics公司技術(shù)-四波橫向剪切干涉技術(shù)，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位檢測靈敏度[詳細]

  2024-12-10 16:54

  其它

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