近期東京電子近日宣布旗下等離子體蝕刻系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和制造基地已開(kāi)發(fā)出一種已開(kāi)發(fā)出一種用于存儲(chǔ)芯片的通孔蝕刻技術(shù)，可用于制造 400 層以上堆疊的 3D NAND 閃存芯片。東京電子新的蝕刻技術(shù)較國(guó)內(nèi)目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)可做到232層堆疊，開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的新工藝S次將電介質(zhì)蝕刻應(yīng)用帶入低溫范圍，從而打造了一個(gè)具有極高蝕刻率的系統(tǒng)。

本圖片來(lái)自東京電子 

  在本篇原文名為“Tokyo Electron Develops Memory Channel Hole Etching for 400+ Layer 3D NAND Flash” (于2023年6月發(fā)表在 TechPowerUp 平臺(tái))稱，東京電子的新型蝕刻機(jī)可以在極低的溫度下進(jìn)行超快蝕，并發(fā)布了該蝕刻機(jī)可以在33分鐘內(nèi)蝕刻10微米的革命性創(chuàng)新技術(shù)。

本圖片來(lái)自東京電子 

  Park NX-Wafer廣泛應(yīng)用于先進(jìn)刻蝕設(shè)備開(kāi)發(fā)及相關(guān)工藝的驗(yàn)證。本設(shè)備主要特點(diǎn)如下：

1. 低噪聲原子力輪廓儀，用于更精準(zhǔn)的CMP輪廓測(cè)量

2. 亞埃級(jí)表面粗糙度測(cè)量具有高精度和出眾的探針使用壽命

3. 用于缺陷成像和分析的全自動(dòng)AFM解決方案

4. 全自動(dòng)系統(tǒng)，包括自動(dòng)探針更換、機(jī)器人晶片搬運(yùn)

5. 能夠掃描300 mm晶圓

6. 擁有低噪聲位置傳感器的30μm高性能Z掃描器，優(yōu)異的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)試能力