● 樣品類型：粉體樣品，旗形樣品，其他樣品類型可定制 ● 可與超高真空XPS，STM，及其他UHV系統(tǒng)互聯(lián) ● 腔體最高加熱400℃，控溫精度±1℃ ● 復(fù)雜管氣路，可最多具備八種前驅(qū)體、兩路氧化還原氣路和三路載氣 ● 設(shè)計(jì)獨(dú)特的高溫鼓泡器，可提高低蒸氣壓固態(tài)源反應(yīng)效率和重復(fù)性 ● 自動(dòng)化控制系統(tǒng)，可自行編程實(shí)現(xiàn)不同類型ALD樣品生長 ● 控制系統(tǒng)帶安全互鎖報(bào)警功能 ● 采用PID自動(dòng)控溫，帶模糊算法自整定 ● 全金屬密封，適用于腐蝕性反應(yīng) ● 實(shí)時(shí)測(cè)控氣體流量和監(jiān)測(cè)真空度 ● 在線原位分析氣體成分 ● 自帶臭氧發(fā)生器，反應(yīng)殘留物熱分解裝置

原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。