原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積原理

原子層沉積為往反應(yīng)器交替地通入氣相前驅(qū)體脈沖并且化學(xué)吸附在沉積基體上并且發(fā)生反應(yīng)而使沉積膜形成的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)?shù)竭_(dá)沉積基體表面，它們即會化學(xué)吸附在其表面并發(fā)生表面反應(yīng)。需要用惰性氣體在前驅(qū)體脈沖之間清洗原子層沉積反應(yīng)器。通過這能夠知曉使原子層沉積得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵在于沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)可否化學(xué)吸附在被沉積材料表面。通過在基體材料的表面氣相物質(zhì)的吸附特征能夠觀察到，在材料表面，任何氣相物質(zhì)均能夠進(jìn)行物理吸附，然而必須要具有一定的活化能，才能夠進(jìn)行材料表面的化學(xué)吸附。所以對于合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)的選擇對于能否使得原子層沉積實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要。

原子層沉積應(yīng)用

半導(dǎo)體領(lǐng)域

集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中的互連種子層，有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光（TFEL）元件，晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層（阻止摻雜劑的遷移）），光電元件的涂層以及晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料）。