沈陽某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對其成分及表面形貌的影響.
采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜致密, 并且附著性好.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室材料:
實驗采用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調(diào)整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底采用石英玻璃片.
研究結(jié)果表明:
在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過調(diào)節(jié)靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分布均勻的ZnNi薄膜. 經(jīng)過600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之后的薄膜中的鋅完全蒸發(fā), 剩下的鎳薄膜呈多孔結(jié)構(gòu), 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理后薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
全部評論(0條)
上海伯東射頻離子源 RFICP 220
報價:面議 已咨詢 316次
上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
報價:面議 已咨詢 262次
Gel-Pak 真空釋放盒 VR 托盤
報價:面議 已咨詢 199次
上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀六氟化硫密度表檢漏 ASM 340
報價:面議 已咨詢 289次
Atonarp 半導體過程監(jiān)控在線質(zhì)譜儀
報價:面議 已咨詢 333次
上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 182 T ASM 182 TD+
報價:面議 已咨詢 248次
上海伯東檢漏模塊 ASI 35
報價:面議 已咨詢 256次
上海伯東離子蝕刻機,離子蝕刻機
報價:面議 已咨詢 274次
①本文由儀器網(wǎng)入駐的作者或注冊的會員撰寫并發(fā)布,觀點僅代表作者本人,不代表儀器網(wǎng)立場。若內(nèi)容侵犯到您的合法權(quán)益,請及時告訴,我們立即通知作者,并馬上刪除。
②凡本網(wǎng)注明"來源:儀器網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于儀器網(wǎng),轉(zhuǎn)載時須經(jīng)本網(wǎng)同意,并請注明儀器網(wǎng)(m.sdczts.cn)。
③本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明來源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品來源,并自負版權(quán)等法律責任。
④若本站內(nèi)容侵犯到您的合法權(quán)益,請及時告訴,我們馬上修改或刪除。郵箱:hezou_yiqi
參與評論
登錄后參與評論