在在線監(jiān)測中，將以各種方式監(jiān)控工藝結(jié)果和設(shè)備狀態(tài)。本節(jié)將介紹其概要。

測量內(nèi)容

半導(dǎo)體工藝的前段制程涉及大量的監(jiān)測。在監(jiān)測中發(fā)揮作用的就是測量設(shè)備。半導(dǎo)體工藝是非常難以控制而且非常耗時的。前段制程是一個沒有辦法邊處理邊測量的加工過程，這是與組裝加工最大的不同點(diǎn)。

另外，考慮到晶圓之間的偏差、晶圓內(nèi)的偏差、芯片之間的偏差、晶體管之間的偏差，半導(dǎo)體工藝并不是以制作完全一樣的東西為目標(biāo)的，而是在“確保成品在一定偏差范圍之內(nèi)”的指導(dǎo)思想下進(jìn)行的。生產(chǎn)出來的成品有很多偏差，但是半導(dǎo)體工藝中如何減小偏差，提高各批次的再現(xiàn)性是基本的追求。因此，必須始終監(jiān)測設(shè)備的狀態(tài)和工藝的結(jié)果。監(jiān)測也有在工藝實(shí)施過程中進(jìn)行的原位監(jiān)測和工藝結(jié)束后進(jìn)行的非原位監(jiān)測。

這些監(jiān)測都是在工藝生產(chǎn)線上進(jìn)行的，所以被稱為在線監(jiān)測(Inline monitoring)。當(dāng)然也有脫離生產(chǎn)線后做的監(jiān)測，被稱為離線監(jiān)測(0inemonitoring)。

監(jiān)測/測量設(shè)備的概要

半導(dǎo)體工程和測定內(nèi)容

半導(dǎo)體前段制程基本上大致分為6個工序:①清洗、②離子注入·熱處理、③光刻、④蝕刻、⑤成膜、⑥平坦化(CMP)。前段制程是一個“循環(huán)”工藝。“循環(huán)”是筆者根據(jù)“流水線”相對的意思而取的名稱。這一工程并不是像一般意義上的流水線裝配工作，在帶式輸送機(jī)設(shè)備上添加零件并組裝就可以了，它是通過重復(fù)多次相同的工序來制造產(chǎn)品的。因此，測量也需要多次重復(fù)進(jìn)行。主要的監(jiān)測和測量示例圖見下圖。

性能要求

關(guān)于監(jiān)測，既有全數(shù)監(jiān)測，也有抽樣監(jiān)測。前段制程的晶圓廠房中會配備很多相關(guān)監(jiān)測設(shè)備。關(guān)于監(jiān)測設(shè)備的性能要求，筆者覺得可以提以下幾點(diǎn)。另外無損監(jiān)測是最好的但也會進(jìn)行破壞性監(jiān)測。

此外，對生產(chǎn)設(shè)備的性能也有如下的預(yù)期和要求

⑤提高吞吐量。

⑥可以復(fù)合使用的生產(chǎn)線

二、前段制程的監(jiān)測站

前段制程的半導(dǎo)體工藝處理結(jié)果需要持續(xù)監(jiān)測。最簡單的監(jiān)測是晶圓的外觀檢查。本節(jié)將介紹外觀檢查設(shè)備。

外觀監(jiān)測設(shè)備的概要

前段制程的工藝結(jié)果當(dāng)然不是人眼可以檢查的水平。由于進(jìn)行的是1um 以下的精細(xì)加工，所以需要用光學(xué)顯微鏡等進(jìn)行檢查。雖說是光學(xué)顯微鏡，但檢查過程并不需要人為去觀測，是一種自動顯微鏡監(jiān)控設(shè)備。這些設(shè)備有時被稱為監(jiān)測站。它不僅用于晶圓，還用于掩膜的外觀監(jiān)測。外觀檢查是監(jiān)測的基本中的基本。導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量不合格的缺陷被稱為致命缺陷(Killer Defect)。監(jiān)測站有必要提高缺陷監(jiān)測的靈敏度和自動缺陷分類(ADC)的性能。相關(guān)數(shù)據(jù)的積累也是必要的。下圖顯示了檢查缺陷的概念。重要的是不僅要提高監(jiān)測靈敏度，而且要對監(jiān)測到的缺陷進(jìn)行分類，如是否屬于致命缺陷等。同時對這些操作的吞吐量也提出了較高的要求。

檢查缺陷的概念 

共焦顯微鏡的概要

共焦光學(xué)顯微鏡的原理

當(dāng)然，光學(xué)顯微鏡的分辨率有限，也有利用SEM進(jìn)行監(jiān)測的設(shè)備。SEM將在后面中進(jìn)行說明。SEM 也可以添加稱為EDX的元素分析功能，可以對陷元素進(jìn)行分析。

三、發(fā)現(xiàn)顆粒的表面監(jiān)測設(shè)備

顆粒是半導(dǎo)體工藝的大敵。本節(jié)介紹了一種測量晶圓表面顆粒的設(shè)備。晶圓表面可以是裸晶圓，也可以是帶有薄膜的晶圓。

顆粒是大敵

硅晶圓上的顆粒會直接導(dǎo)致成品率下降。例如，在先進(jìn)的LSI中，LSI的布線尺寸為幾十nm 以下，如果硅晶圓的表面存在顆粒，則在形成布線時，圖案可能會被破壞或形狀有缺陷。因此半導(dǎo)體工藝需要嚴(yán)格控制顆粒。之前，我們介紹了在工藝過程中為避免顆粒污染引入了無塵室。正是因?yàn)橐獦O力避免工藝處理時，顆粒吸附到晶圓表面的情況。所以有必要監(jiān)測半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的顆粒。例如，通常的做法是在晶圓搬運(yùn)到工藝設(shè)備前后，通過對裸晶圓或者帶膜晶圓進(jìn)行檢查發(fā)現(xiàn)表面的顆粒。需要的設(shè)備就是晶圓表面檢查設(shè)備。

顆粒監(jiān)測的原理

對于裸晶片，使用的是光學(xué)散射監(jiān)測方法。原理如下圖所示。用Ar 離子激光(波長 488nm)照射晶圓表面，通過監(jiān)視器監(jiān)測顆粒的散射量，從而監(jiān)測顆粒的大小、數(shù)量位置等。它還會監(jiān)測霧度。使用乳膠顆粒，分辨率可達(dá)0.08um。

晶圓監(jiān)測設(shè)備(2 波長型)的概要

如果是帶薄膜的晶圓，需要使用另外的監(jiān)測設(shè)備。

為了不受膜表面粗糙度的影響，用比裸晶圓低的入射角進(jìn)行光照?；蛘呷鐖D所示將激光的波長設(shè)置為另一個波長。

表面監(jiān)測設(shè)備的實(shí)際情況

具有晶圓裝載和卸載功能的自動化監(jiān)測設(shè)備是最常見的。顆粒的位置會立即以圖像的形式顯示在內(nèi)置顯示器的晶圓上面?？梢詫⑵浯蛴〕鰜聿⑦M(jìn)行分析，也可以連接到計算機(jī)上進(jìn)行處理。已經(jīng)開發(fā)出可以使用稱為ADC(AutoDefect Classifcation，自動缺陷分類)的功能對缺陷進(jìn)行自動分類的軟件。即使是裸晶圓，也有除了顆粒之外的各種缺陷。它們也會按ADC的功能進(jìn)行分類。所以作為監(jiān)測設(shè)備的性能而言，不僅需要提高分辨率，還需要提高快速監(jiān)測和 ADC 的能力。

四、帶圖案晶圓的缺陷監(jiān)測設(shè)備

在所謂的圖案化晶圓的表面上搜索顆粒和其他缺陷，比在裸晶圓上更為困難。實(shí)現(xiàn)這個功能的就是帶圖案晶圓的缺陷監(jiān)測設(shè)備。

什么是帶圖案晶圓的缺陷監(jiān)測設(shè)備?

可以直觀地知道帶有圖案的品圓上的顆粒和缺陷比裸品圓更難監(jiān)測。這是因?yàn)橐獏^(qū)分在帶圖案晶圓表面上的圖案、顆粒和缺陷，對S/N 比和分辨率都有較高的要求。

帶圖案晶圓的監(jiān)測原理

帶圖案晶圓的表面監(jiān)測方法雖然也會用到光散射法，但圖案對比法是主流技術(shù)。在該方法中，用照明光照射晶圓，在監(jiān)測面上成像，將得到的圖像信號輸入計算機(jī)，通過相同圖案的圖像信號的相互比較來監(jiān)測缺陷。通過這種方法可以消除底層圖案和不均勻形狀的影響，如下圖所示。

帶圖案品圓的監(jiān)測設(shè)備的原理

如何進(jìn)行比較取決于產(chǎn)品。例如，在內(nèi)存等規(guī)則圖案的情況下，可以通過相鄰單元格進(jìn)行比較，在邏輯器件等不規(guī)則圖案的情況下，可以通過在不同芯片上相同圖案的部分進(jìn)行比較。在比較方法這一方面，各個半導(dǎo)體制造商都做出了各種努力。也可以參考下面的專欄內(nèi)容。這種模式的比較方法是一種可靠的方法，但它的局限是會降低監(jiān)測設(shè)備的吞吐量。

作為一種可靠的方法，它也被應(yīng)用在掩膜的監(jiān)測上。

帶圖案晶圓的監(jiān)測設(shè)備的概要

相關(guān)監(jiān)測設(shè)備多為配備有晶圓裝載/卸載功能的自動化監(jiān)測設(shè)備。與上一節(jié)的表面監(jiān)測設(shè)備一樣，它也支持微型環(huán)境的FOUP。也同樣開發(fā)出可以使用ADC的功能對缺陷進(jìn)行自動分類的軟件。

五、用于觀察晶圓的 SEM

LSI的處理尺寸現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了幾十nm甚至更小的水平。在不能使用光學(xué)顯微鏡的情況下，可以使用分辨率更高的掃描電子顯微鏡(SEM)。

什么是 SEM?

SEM 是 Seanning Eleclron Microscope(掃描電子顯微鏡)的縮寫。說到監(jiān)測設(shè)備，包括外觀監(jiān)測設(shè)備和下一節(jié)的測長SEM。在本節(jié)我們介紹的SEM 主要定位是一個觀察設(shè)備。SEM的存在對于促進(jìn)前段制程的精細(xì)化是必不可缺少的。筆者從事工藝開發(fā)多年，SEM也確實(shí)有幫助。我們能夠用 SEM 觀察工藝結(jié)果并改善工藝條件。SEM作為晶圓廠領(lǐng)域的工藝監(jiān)控器也是不可或缺的。兩者聯(lián)系是如此緊密，以至于半導(dǎo)體的精細(xì)化促進(jìn)了SEM 的高分辨率化。

在介紹 SEM 概要之前，下圖顯示了如果將電子束照射到樣品上會產(chǎn)生什么。除此之外，還有反射電子和陰極光等，但這里不重要，所以省略了。電子槍包括熱電子槍、場發(fā)射(FE，F(xiàn)ield Emission)電子槍和肖特基電子槍。

使用電子末照射樣品的效果(SEM)

SEM 的概要

上圖中的二次電子束在 SEM 中很重要。就 SEM 而言，它是一個電磁光學(xué)系統(tǒng)，其原理和結(jié)構(gòu)如下圖所示。從樣品發(fā)射的二次電子束被檢測器捕獲，以形成圖像。同時也添加另一個X射線探測器，以識別元素類別(特征X射線因元素而異)。該設(shè)備被稱為EDX分析設(shè)備。EDX已經(jīng)是 SEM設(shè)備的可選模塊了。

SEM 的概略圖

可以通過SEM確認(rèn)缺陷的位置，然后使用EDX分析設(shè)備對該缺陷位置進(jìn)行元素分析。

當(dāng)品圓尺寸小的時候，存在過可以直接容納品圓的監(jiān)測設(shè)備，但是作為工藝流程觀察的設(shè)備時，就需要將待觀察的部分做成碎片狀的切片樣品進(jìn)行觀察。也就是說，這是一種破壞性檢查。順便說一句，生產(chǎn)MOS使用的是(100mm)的晶圓。(100mm的晶圓)具有易于觀察橫截面的優(yōu)點(diǎn)，這有助于半導(dǎo)體工藝的研究開發(fā)。

追求高分辨率的 SEM 是一種透鏡式物鏡，結(jié)構(gòu)上更適合觀察碎片狀樣品而不是品圓。透鏡式物鏡剖面如下圖所示。由于切片樣品需要放置在物鏡中(虛擬)，這限制了樣品的大小，并且制作切片樣品也是一個技術(shù)活，需要積累經(jīng)驗(yàn)。但SEM并不是萬能的，例如使用電子?xùn)|照射樣品有時候會對特定樣品結(jié)構(gòu)產(chǎn)生反應(yīng)，從而使電荷聚集形成充電效應(yīng)。但這并不影響SEM 對于半導(dǎo)體工藝開發(fā)和晶圓廠運(yùn)營起到至關(guān)重要的作用。

透鏡式 SEM 的概要圖

六、監(jiān)測精細(xì)化尺寸的測長 SEM

能夠最快監(jiān)測光刻結(jié)果的就是測長SEM。用于日夜監(jiān)測抗蝕劑的分辨率圖案。這當(dāng)然是非破壞性監(jiān)測。

什么是測長 SEM?

監(jiān)測抗蝕劑的分辨率是一項(xiàng)重要的在線監(jiān)測。該過程中測長 SEM是必不可少的。雖然如今 SEM 已經(jīng)是主流方法，但最初因?yàn)閳D案尺寸還沒有那么小，使用的是光學(xué)顯微鏡的監(jiān)測方法。當(dāng)設(shè)計尺寸接近1um 時，無法以光學(xué)顯微鏡的分辨率測量抗蝕劑圖案，SEM的方法應(yīng)運(yùn)而生。此外，SEM的焦距約為光學(xué)顯微鏡的1000倍，具有可在抗蝕劑圖案的頂部和底部測量長度的功能。測量長度的方案，檢測圖案的線邊是很重要的，這種情況下是焦距越大越有優(yōu)勢。如下圖左側(cè)所示，圖案頂部和底部的長度測量值不同。

測長 SEM 的概要

測長 SEM 的原理

上圖顯示了測長 SEM 的原理。測量長度方法有很多種，但一般的方法是使用如下圖所示的譜線輪廓(Line Profle)。這種成譜的原理利用了在傾斜角變大時，信號也會變大的事實(shí)。圖中有峰值法、閾值法、直線近似法，但常用的是值法和直線近似法。該設(shè)備的主要組成部分是晶圓的自動裝卸載部分、測量長度的SEM部分和圖像處理部分。當(dāng)然，就設(shè)備性能而言，分辨率是最重要的，同時也會要求有可以進(jìn)行高速處理（每小時約 50 張)以及自動測量的能力。當(dāng)然長度測量自然少不了校準(zhǔn)。測長 SEM 的測量結(jié)果在逐漸被整合成數(shù)據(jù)，形成一種數(shù)據(jù)交換系統(tǒng)。

測長 SEM 的測量方法的比較

近來，隨著抗蝕劑圖案的精細(xì)化，不僅是圖案寬度，就連線邊緣的粗糙度(LER:Line Edge Roughness)也受到了關(guān)注。當(dāng)考慮要測量精細(xì)到一定程度的圖案時，可以考慮使用類似AFM的方法來代替測長SEM。

七、光刻必需的重疊監(jiān)測設(shè)備

分辨率在光刻中很重要，重疊精度同樣重要。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體工藝使用到數(shù)十個掩膜來形成分層圖案。

什么是重疊精度

下圖顯示了在高級邏輯器件工藝中W插塞和第一個Cu布線的重疊例子。當(dāng)然如下圖a所示，Cu布線沒有完全覆蓋W插塞的情況肯定是不符合工藝要求的。如下圖b所示，Cu布線完全覆蓋W插塞頭部的情況才是符合精度要求的。以上是一個極端的例子，但必須注意的是，LSI是一個將各種圖案分層以創(chuàng)建集成電子電路的工藝，所以重疊精度是很重要的。

重疊的示例

重疊監(jiān)測的原理

如下圖所示，通過監(jiān)測晶圓上預(yù)先形成的標(biāo)記和光罩上的標(biāo)記之間的重疊間隙進(jìn)行重疊的監(jiān)測。這些標(biāo)記被稱為 Bar in Bar 和 Box in Box，標(biāo)記本身的大小約為 20um。這些標(biāo)記或光罩位于每個曝光鏡的四個角上。在一個品圓上進(jìn)行多個曝光鏡的測量，數(shù)據(jù)經(jīng)統(tǒng)計處理后反饋給曝光設(shè)備。

重疊監(jiān)測的原理

人們提出了各種模型來解釋重疊誤差的原因，但本書的目的不在于此，所以不做詳細(xì)介紹。其中可能的原因有光罩或者晶圓與曝光設(shè)備的光軸形成傾斜角。也有可能是由透鏡像差引起的。曝光系統(tǒng)的每個主要透鏡都是由達(dá)到大師級水平的人手工打磨的，即便如此透鏡之間微小的差異仍然是不可避免的。重疊精度的英文為0verlay Accuracy。

如何監(jiān)測CMP后的平坦化標(biāo)記等工藝運(yùn)用上的問題仍然是存在的。

八、膜厚測量設(shè)備和其他測量設(shè)備

在半導(dǎo)體工藝中，成膜工藝多次出現(xiàn)。薄膜的類型和厚度各不相同。在這里，介紹了測量這些膜厚度的設(shè)備，并列出了其他設(shè)備

膜厚測量的原理

半導(dǎo)體工藝的膜厚測定方法大概有以下3類：

①物理接觸測量

②光學(xué)測量

③X射線測量

最常見的是光學(xué)測量，這種方法是非破壞性和非接觸式的測量方法。X射線測量設(shè)備可用于測量金屬薄膜。光學(xué)測量方法是利用光學(xué)干涉的分光膜厚測量法，原理如下圖所示，在該方法中，膜厚的計算是需要預(yù)先知道薄膜類型，確定折射率，并根據(jù)分光光譜的峰值波長進(jìn)行的。薄膜變薄時，峰值會變得不清晰，這時候可以利用偏振光的橢圓偏振儀的薄膜厚度測定設(shè)備，

分光式膜厚測量的結(jié)果

顯微鏡的趨勢

由于 SEM不適合觀察凹凸的表面，因此掃描隧道顯微鏡(STM，Scanning TunnelMicroscope)或原子力顯微鏡(AFM，Atomic Force Microscope)等探針型顯微鏡也開始廣泛使用。這些設(shè)備通過用懸臂跟蹤表面進(jìn)行掃描，并監(jiān)測尖端的隧道電流和原子力，以測量表面細(xì)微的凹凸形狀。這些設(shè)備分辨率高，但測量區(qū)域不大。

其他測量設(shè)備

其他工藝中需要的測量設(shè)備包括電阻測量設(shè)備和平面度測量設(shè)備。前者監(jiān)測離子注入和熱處理后的電阻值，以監(jiān)測和控制摻雜結(jié)果。后者測量CMP后的平整度。平面度的測量方法有很多種，以 AFM 為代表的接觸式設(shè)備的特點(diǎn)是分辨率高，但測量范圍較窄，屬于離線監(jiān)測。另一方面，非接觸式使用光學(xué)干涉顯微鏡，雖然分辨率較差，但可以擴(kuò)大測量區(qū)域，因此可以用于在線監(jiān)測。下圖給出了一個平面度監(jiān)測設(shè)備的例子。

光學(xué)式平面度監(jiān)測設(shè)備

九、觀察斷面的 TEM/FIB

在直接觀察有缺陷的部分時，可能需要使用透射電子顯微鏡(以下簡稱TEM)。FIB是制備這些觀察樣品的一個非常強(qiáng)大的工具。

什么是 TEM?

TEM 是 Transparent Electron Microscope(透射電子顯微鏡)的縮寫。在 SEM的情況下，主要監(jiān)測二次電子束，但在TEM 的情況下，使用的是透射電子和彈性散射電子，如下圖所示。由于樣品很薄，因此需要具有特殊的制作技術(shù)。當(dāng)然可以手動制作，但是需要相當(dāng)高的技巧。下一節(jié)將說明使用FIB設(shè)備制造樣品的方法。

向樣品照射電子束的效果(TEM)

TEM 的分辨率優(yōu)于 SEM，網(wǎng)格圖像在 0.1nm 水平。電子槍使用 SEM 部分提到的熱電子槍，通過用直流電加熱LaB₆(正式名稱為六硼化鑭)燈絲來產(chǎn)生電子。

TEM 光學(xué)系統(tǒng)也是類似于SEM的電磁光學(xué)系統(tǒng).但是，加速電壓和監(jiān)測器等是完全不同的，因此無法將SEM 改造成TEM。

什么是 FIB?

FIB 是 Focused lon Beam 的縮寫，翻譯為聚焦離子束。離子源產(chǎn)生的離子通過靜電透鏡系統(tǒng)聚焦在光束上并加速射向樣品，從而通過濺射作用蝕刻樣品。離子源不同于離子入人設(shè)備中的離子源，如下圖所示，以供參考。

目前，使用液態(tài) Ga離子源，縮小Ga離子束以實(shí)現(xiàn)對局部區(qū)域的精細(xì)處理。20世紀(jì)90年代后半期開始，通過FIB和 SEM、FIB和TEM 的結(jié)合，開發(fā)了半導(dǎo)體的缺陷分析手法，如今已經(jīng)普及。在 FIB和TEM 的結(jié)合中，用FIB 制作三維樣品，將其運(yùn)送到TEM,并用 TEM 對其進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，這樣的應(yīng)用場景充分展示了該組合的優(yōu)點(diǎn)。

FIB 的液態(tài) Ga 離子源的概要 

在這種情況下，觀察部分被加工成圓柱狀，因此需要用FB對其進(jìn)行大量蝕刻下圖給出了一個概覽。可想而知準(zhǔn)備樣品是需要時間、成本和技能的。

TEM/FIB的觀察示例

此外，能夠熟練使用TEM 來進(jìn)行觀察也是需要練習(xí)的。因?yàn)檫@些成本原因，在半導(dǎo)體晶圓廠中，它被定位為缺陷分析工具，而不是常見的監(jiān)測/分析設(shè)備。當(dāng)然還有一些外包給專門從事分析的公司的例子。

FIB 的應(yīng)用

FIB作為使用離子束的加工技術(shù)以各種方式得到了廣泛的應(yīng)用，還可以通過添加沉積成分氣體進(jìn)行局部的成膜(破損部分的修復(fù)等)。

事實(shí)上，在20世紀(jì)80年代初，曾有一段將FIB作為下一代光刻技術(shù)的候選進(jìn)行研究的歷史。該方法需要一種光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué)系統(tǒng)通過使光束穿過掩膜而利用靜電透鏡系統(tǒng)在晶圓上形成圖像。

十、通過監(jiān)測和分析設(shè)備的整合提高成品率

本章最后一節(jié)介紹一個易于理解的示例，用來說明如何使用到目前為止的監(jiān)測/分析設(shè)備來提高成品率。

缺陷分析的基礎(chǔ)知識

迄今為止介紹的工藝處理后的監(jiān)測/測量的結(jié)果將反饋到每個工藝，這種反饋機(jī)制有助于穩(wěn)定工藝質(zhì)量。此外，與顆粒相關(guān)的監(jiān)測結(jié)果會反饋給無塵室，幫助更好地管理和制造設(shè)備的維護(hù)。

這里我們進(jìn)一步給出了一個積極進(jìn)行缺陷分析并有助于提高成品率的示例，下圖顯示了在工藝進(jìn)行時使用帶圖案晶圓監(jiān)測設(shè)備監(jiān)控同一晶圓的示例。在晶圓上的同一位置進(jìn)行比較時，圖中的a缺陷是從工序1開始被監(jiān)測出來了，b缺陷也是從中間被監(jiān)測出來的，通過如此的追蹤監(jiān)測可以確定引起缺陷的工序。

使用帶圖案晶圓監(jiān)測設(shè)備監(jiān)控同一晶圓的示例

另一方面，像c這樣在中間消失的顆粒結(jié)果可能是誤報，或者即使有顆粒，它們也可能在過程中間被移除。其他白色缺陷也是如此(比如，工序4之后監(jiān)測到的缺陷是繼續(xù)保留還是在工序5中被移除，需要在工序5后再次對圖案缺陷進(jìn)行監(jiān)測才能做出判斷)。這是利用圖案缺陷檢測設(shè)備的基本方法?？梢钥闯鯽和b的部分很可能有缺陷。

利用 FMB 進(jìn)行比較

FBM 是Fail Bit Map的縮寫。在晶圓工藝完成或中間取出晶圓后，通過探測設(shè)備測量判斷為有缺陷的地方的展現(xiàn)形式見下圖左側(cè)。通過將這種圖與右側(cè)帶圖案晶圓缺陷監(jiān)測設(shè)備的缺陷圖進(jìn)行比較，可以確定哪些缺陷是致命缺陷。

FBM 和缺陷圖進(jìn)行對比的示例

除了進(jìn)行晶圓工藝完成后的缺陷分析外，還會使用這種方法進(jìn)行工藝的實(shí)時監(jiān)測，這種應(yīng)用場景下，能夠快速分析新發(fā)現(xiàn)缺陷的功能就很重要了，因?yàn)樗梢詭椭覀兗霸缱R別某個缺陷是否會成為致命缺陷，并將其反饋給工藝管理機(jī)制。這時，前面介紹的TEM/FIB 將發(fā)揮積極作用。不用說，這些監(jiān)測設(shè)備同樣需要進(jìn)行映射處理。

這里介紹的是幾個容易理解的例子。通過這些例子，我們也可以知道將這些檢查/測量/分析設(shè)備，以及利用獲取數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)分析的系統(tǒng)集成為一種產(chǎn)量管理系統(tǒng)(YMS，YieldManagement System)是很有必要的。

參考文獻(xiàn)：

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