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2025-05-22 10:33:36半導體失效分析
半導體失效分析是指對半導體器件或集成電路在特定條件下失去其原有功能或性能下降的現(xiàn)象進行深入研究和診斷的過程。它涉及物理、化學、材料科學及電子工程等多學科知識，通過分析失效器件的外觀、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、電性能等，確定失效模式、失效機理及失效原因。失效分析有助于提升半導體產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量，為產(chǎn)品改進和故障預防提供依據(jù)。在半導體產(chǎn)業(yè)中，失效分析是確保產(chǎn)品穩(wěn)定性和競爭力的重要環(huán)節(jié)。

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2022-03-15 12:34:22離子研磨儀在半導體失效分析中的應(yīng)用案例分享
失效分析是對于電子元件失效原因進行診斷，在進行失效分析的過程中，往往需要借助儀器設(shè)備，以及化學類手段進行分析，以確認失效模式，判斷失效原因，研究失效機理，提出改善預防措施。其方法可以分為有損分析，無損分析，物理分析，化學分析等。其中在進行微觀形貌檢測的時候，尤其是需要觀察斷面或者內(nèi)部結(jié)構(gòu)時，需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結(jié)合法，來進行失效分析研究。離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具，可以進行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理，以制備出適合半導體故障分析的 SEM 用樣品。離子研磨儀TECHNOORG LINDA掃描電鏡Phenom SEM01 離子研磨儀的基本原理晶片失效分析思路和方法案例分享 1優(yōu)先判斷失效的位置鎖定失效分析位置后，決定進行離子研磨儀進行切割離子研磨儀中進行切割切割后的樣品，放大觀察放大后發(fā)現(xiàn)故障位置左右不對稱進一步放大后，發(fā)現(xiàn)故障位置擠壓變形，開裂，是造成失效的主要原因變形開裂位置放大倍數(shù)：20,000x變形開裂位置放大倍數(shù)：40,000xIC封裝測試失效分析案例分享 21、對失效位置進行切割2、離子研磨儀中進行切割3、位置1. 放大后發(fā)現(xiàn)此處未連接。放大倍數(shù)：30,000x4、位置2. 放大后發(fā)現(xiàn)此處開裂。放大倍數(shù)：50,000xPCB/PCBA失效分析案例分享 3離子研磨儀SC-2100適用于離子束剖面切削、表面拋光可預設(shè)不同切削角度制備橫截面樣品可用于樣品拋光或最 終階段的細拋和清潔超高能量離子槍用于快速拋光低能量離子槍適用后處理的表面無損細拋和清潔操作簡單，嵌入式計算機系統(tǒng)，全自動設(shè)定操作冷卻系統(tǒng)標準化，應(yīng)用于多種類樣本高分辨率彩色相機實現(xiàn)實時監(jiān)控拋光過程
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2023-06-12 16:02:54邀請函 | 半導體產(chǎn)業(yè)失效分析解決方案線上論壇
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2023-06-09 14:38:16報名時間延長 | 第八屆全國失效分析大獎賽
關(guān)于大賽報名截止時間延期的通知應(yīng)廣大參賽單位反饋，鑒于大賽報名期間正值高校老師研究生和本科生答辯工作期間，考慮到為老師們留出充足的時間來組織大賽報名和參賽課題的準備，“歐波同杯”第八屆全國失效分析大獎賽暨第六屆全國材料專業(yè)大學生研究能力挑戰(zhàn)賽（以下簡稱“大賽”）賽委會決定將大賽報名截止時間延期到2023年6月30日，望周知！
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2022-08-18 12:02:07Attolight CL-SEM系統(tǒng)在光電失效分析方面的應(yīng)用
       氮化鎵(GaN)是一種廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(led)等光電器件的材料。LED結(jié)構(gòu)主要是通過外延生長在藍寶石襯底上，但由于成本原因，硅成為藍寶石的代替者。然而，硅和氮化物之間巨大的不配合和熱膨脹系數(shù)的差異導致大量的位錯和可能的裂紋。它們通常出現(xiàn)在生長過程中的冷卻階段。由于裂紋和位錯對LED應(yīng)用都是有害的，所以確定局部缺陷濃度和其他特征如摻雜和應(yīng)變是至關(guān)重要的。       陰極發(fā)光(CL)技術(shù)是研究GaN性質(zhì)的一種快速和高度相關(guān)的方法。非輻射缺陷如位錯的分布可以直觀地顯示出來。以下的能帶隙發(fā)射線的能量允許我們識別點缺陷。陰極發(fā)光高光譜圖提供了應(yīng)變、摻雜、生長方向和載流子濃度的空間變化信息。在實際應(yīng)用中，通過限制電子束與樣品相互作用體積的大小，可以大大提高空間分辨率。像TEM樣品這樣的薄物體的使用恰好克服了這種物理限制。它顯著地將相互作用體積的橫向尺寸從550 nm(束能為10 keV的GaN)降低到30 nm以下。Attolight設(shè)計了一種與TEM樣品兼容的特殊低溫樣品架，用于低溫下在Attolight陰極發(fā)光顯微鏡上進行測量。      然而，樣品中較小的探測體積可能會顯著降低采集到的信號，從而限制測量分辨率。Attolight CL系統(tǒng)優(yōu)化后的集光系統(tǒng)完美地克服了這一困難。它允許在短時間內(nèi)對橫斷面TEM樣品進行高分辨率的高光譜映射(具有非常高的信噪比)。這樣的測量并不局限于氮化鎵，并且可以擴展到許多其他發(fā)光材料。       該方案是Attolight陰極發(fā)光顯微鏡在LED光電失效分析應(yīng)用層面的完美體現(xiàn)，它做到了以下4個方面使Attolight陰極發(fā)光顯微鏡成為光電失效分析及LED應(yīng)用方面的優(yōu)先選擇。1、具有良好的位錯網(wǎng)絡(luò)可視化和與樣品同一區(qū)域TEM圖像的相關(guān)性2、堆疊不同組分(AlN, GaNs，量子阱等)的空間發(fā)光映射3、通過CL譜中的能量位移估計位錯和界面周圍的局部應(yīng)變和摻雜4、點缺陷的識別與空間分布
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2023-06-21 15:23:26邀請函丨2023 SPARK SUMMIT 賽默飛半導體分析解決方案研討會
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