近期，德國(guó)Scientific Instruments Dresden GmbH（下文簡(jiǎn)稱：ScIDre）公司生產(chǎn)的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第九研究所順利完成安裝調(diào)試。

圖1：德國(guó)ScIDre制造商工程師安裝現(xiàn)場(chǎng)圖片

圖2：設(shè)備運(yùn)行、調(diào)試現(xiàn)場(chǎng)圖片

       光學(xué)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)工藝具有無(wú)需坩堝、無(wú)污染、生長(zhǎng)快速、易于實(shí)時(shí)觀察晶體生長(zhǎng)狀態(tài)等諸多優(yōu)點(diǎn)，有利于縮短晶體的研究周期并加快難以生長(zhǎng)晶體的研究進(jìn)展，非常適合晶體生長(zhǎng)研究，是目前比較公認(rèn)的獲得優(yōu)質(zhì)單晶樣品的手段之一，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長(zhǎng)。

       目前，高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料是浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)領(lǐng)域的技術(shù)難點(diǎn)之一。針對(duì)于此，德國(guó)ScIDre公司研發(fā)推出了HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐，設(shè)備可提供高達(dá)3000℃以上的生長(zhǎng)溫度，同時(shí)晶體生長(zhǎng)腔可實(shí)現(xiàn)高達(dá)300bar的壓力，可通過高壓手段達(dá)到抑制揮發(fā)的作用。HKZ的誕生進(jìn)一步優(yōu)化了光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的生長(zhǎng)工藝條件，拓寬了光學(xué)浮區(qū)技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景，使得高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的單晶生長(zhǎng)成為了可能。

圖3：德國(guó)ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

德國(guó)ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)特色：

• ? 采用垂直式光路設(shè)計(jì)方案，加熱更均勻

• ? 可同時(shí)實(shí)現(xiàn)壓力高達(dá)300bar（選配）和溫度高達(dá)3000℃（選配）；

• ? 能夠獨(dú)立控制不同氣體的流速和流量，能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長(zhǎng)的氣體定速、定量混合供氣；

• ? 在保持氙燈輸出功率恒定的情況下，采用調(diào)節(jié)光闌（shutter）的方式對(duì)熔區(qū)進(jìn)行控溫；

• ? 能夠針對(duì)不同溫度需求采用不同功率的氙燈，從而對(duì)燈泡進(jìn)行有效利用，充分發(fā)揮燈泡使用效率和壽命；

• ? 擁有豐富的功能選件可進(jìn)行選擇和拓展，包括熔區(qū)紅外測(cè)溫選件、1×10-5mbar的高真空選件、實(shí)現(xiàn)氧含量達(dá)10-12PPM的氣體除雜選件、對(duì)長(zhǎng)成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件等。

圖4：高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐光路原理示意圖

       中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第九研究所（西南應(yīng)用磁學(xué)研究所），主要從事磁性功能材料方向的研發(fā)、生產(chǎn)和基礎(chǔ)研究，是我國(guó)磁學(xué)領(lǐng)域重要的綜合性應(yīng)用磁學(xué)研究機(jī)構(gòu)之一。Quantum Design中國(guó)非常榮幸將德國(guó)ScIDre公司生產(chǎn)的HKZ高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐安裝于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第九研究所，該系統(tǒng)將為用戶單位在磁性功能材料及其他新材料探索等諸領(lǐng)域的科研工作提供相關(guān)單晶樣品制備支持！