低維磁性材料具有非常豐富和奇特的物理性質，且與多鐵性和高溫超導電性等材料密切相關。對低維磁性材料的物理性質進行研究有助于探索相關奇異現(xiàn)象的根本機制，從而對尋求新的功能材料提供幫助。因此，近年來關于低維磁性材料的研究吸引了科學家們的廣泛關注。

近日，德國馬普固體化學物理研究所的學者A. C. Komarek等人^[1,2]在準一維伊辛自旋鏈材料CoGeO₃中發(fā)現(xiàn)了非常明顯的1/3磁化平臺，并通過中子衍射手段詳細探究了其微觀自旋結構。研究表明，初的零場反鐵磁自旋結構的變化，類似于反鐵磁“疇壁邊界”的形成，從而產生一種具有1/3整數(shù)傳播矢量的調制磁結構。凈磁矩出現(xiàn)在這些“疇壁”上，而所有反鐵磁鏈排列的三分之二仍然可以保留。同時A. C. Komarek等人也提出了一個基于各向異性受挫方形晶格的微觀模型來解釋其實驗結果。更為詳細的報道可參考相關文獻^[1,2]。

A. C. Komarek等人所用的CoGeO₃單晶樣品由高壓光學浮區(qū)法單晶爐(型號：HKZ, 制造商：德國ScIDre公司)制備獲得^[2]，文章中報道的CoGeO₃單晶生長參數(shù)為：Ar/O₂混合氣（比例98:2），壓力80 bar，生長速度3.6 mm/hour。

CoGeO3單晶實物圖片  引自^[2]

德國ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐高可實現(xiàn)3000℃及以上的生長溫度，晶體生長腔大壓力可達300 bar，可實現(xiàn)10-5 mbar的高真空環(huán)境，適用于生長各種超導材料、介電材料、磁性材料、電池材料等各種氧化物及金屬間化合物單晶生長。

德國ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)爐外觀圖

參考文獻：

[1] Emergent 1/3 magnetization plateaus in pyroxene CoGeO₃, H. Guo, L. Zhao, M. Baenitz, X. Fabrèges, A. Gukasov, A. Melendez Sans, D. I. Khomskii, L. H. Tjeng, and A. C. Komarek, Phys. Rev. Research 3, L032037

[2] Single Crystal Growth and Physical Properties of Pyroxene CoGeO₃，Zhao, L.; Hu, Z.; Guo, H.; Geibel, C.; Lin, H.-J.; Chen, C.-T.; Khomskii, D.; Tjeng, L.H.; Komarek, A.C. Crystals 2021, 11, 378.