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儀器網(wǎng)/ 應(yīng)用方案/ 用戶論文：襯底溫度對(duì)反應(yīng)磁控濺射制備AIN壓電薄膜的影響

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采用反應(yīng)磁控濺射法在Si（111）襯底上沉積了AlN 薄膜XRD 分析表明，在5 種溫度下，AlN 均以（100）面取向，襯底溫度的提高有利于薄膜結(jié)晶性的改善，在600以上時(shí)AlN 中AlN0 鍵斷裂，僅出現(xiàn)（100）衍射峰AFM 分析顯示，在600時(shí)平均晶粒尺寸90 nm，Z 軸Z高突起僅為23 nm 全文請(qǐng)?jiān)L問(wèn)： 掃描探針顯微鏡(SPM/AFM/STM)

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