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熱電解耦研究再獲突破!無液氦綜合物性測(cè)量系統(tǒng)助力成果登上Adv. Mater.

來源:清砥量子科學(xué)儀器(北京)有限公司 更新時(shí)間:2025-10-31 15:30:19 閱讀量:139
導(dǎo)讀:趙文俞團(tuán)隊(duì)在Bi?.?Sb?.?Te?/環(huán)氧樹脂柔性薄膜中,嵌入Fe和Fe?O?納米粒子(磁功能元件,MFEs),利用載流子自旋與納米磁性的交換作用,將載流子分裂為自旋向上與自旋向下的導(dǎo)電支路。



熱電轉(zhuǎn)換效率是衡量熱電材料性能的核心指標(biāo)。當(dāng)前,柔性熱電薄膜憑借可貼合不規(guī)則熱源、減少熱能損耗的特性,成為提升熱電效率的關(guān)鍵方向。其中,有機(jī)/無機(jī)雜化柔性熱電薄膜兼具組分可調(diào)性與低成本制備優(yōu)勢(shì)(如絲網(wǎng)印刷法),但常規(guī)的產(chǎn)品熱電轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)低于工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)(熱電轉(zhuǎn)換效率>1),成為制約領(lǐng)域發(fā)展的核心瓶頸。


為了進(jìn)一步提升熱電轉(zhuǎn)換效率,學(xué)界通過材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或成分調(diào)控實(shí)現(xiàn)參數(shù)獨(dú)立優(yōu)化,即“解耦”,常見路徑包括電、熱輸運(yùn)通道分離、優(yōu)化載流子結(jié)構(gòu)、電子熱導(dǎo)率與晶格熱導(dǎo)率解耦等。武漢理工大學(xué)趙文俞團(tuán)隊(duì)提出的新型解耦策略,為該領(lǐng)域提供了創(chuàng)新性解決方案。









新型解耦理論:納米磁性驅(qū)動(dòng)熱電效率突破

趙文俞團(tuán)隊(duì)在Bi0.5Sb1.5Te3/環(huán)氧樹脂柔性薄膜中,嵌入Fe和Fe?O?納米粒子(磁功能元件,MFEs),利用載流子自旋與納米磁性的交換作用,將載流子分裂為自旋向上與自旋向下的導(dǎo)電支路。兩條支路具有不同的電阻率和遷移率,實(shí)現(xiàn)了熱電性能的精準(zhǔn)調(diào)控。


該薄膜中,無機(jī)組分Bi0.5Sb1.5Te3(BST)是室溫下優(yōu)質(zhì)的熱電材料,有機(jī)組分絕緣環(huán)氧樹脂滿足低成本、易加工需求。最終,該復(fù)合薄膜的室溫?zé)犭娹D(zhuǎn)換效率達(dá)到 1.2-1.4,成功突破商用閾值。相關(guān)成果以《Nanomagnetism Triggering Carriers Double-Resistance Conduction and Excellent Flexible Thermoelectrics》為題,發(fā)表在Advanced Materials[1]。


該理論的驗(yàn)證,依賴于精準(zhǔn)的熱電參數(shù)測(cè)量數(shù)據(jù)。美國 Quantum Design 公司的3T 無液氦綜合物性測(cè)量系統(tǒng) VersaLab,搭載熱輸運(yùn)測(cè)量選件(TTO),完成了 300-500K 溫度區(qū)間內(nèi)的熱導(dǎo)率等關(guān)鍵參數(shù)表征,為理論成立提供了核心數(shù)據(jù)支撐。


圖1 在300–500 K溫度下厚度為60 μm的Fe00和Fe0x材料及其PI基板平面熱電特性。a) 電導(dǎo)率σ、b) 塞貝克系數(shù)α、c) 熱導(dǎo)率κ d)      功因zT的溫度依賴性。(b,c)圖中的插圖分別顯示功率因子α2σ與雙極熱導(dǎo)率κ Bip。




VersaLab 系統(tǒng):小體積承載全維度物性測(cè)量能力

VersaLab 作為 Quantum Design PPMS 系列的經(jīng)濟(jì)型產(chǎn)品,雖體積小巧,卻整合了磁、電、熱多維度測(cè)量功能,尤其適配熱電材料等前沿領(lǐng)域的研究需求。設(shè)備采用了3T超導(dǎo)磁體和制冷機(jī)來提供高均勻的磁場(chǎng)環(huán)境和便利的變溫(50-400K)測(cè)量環(huán)境,搭配的各類電學(xué)、熱學(xué)、磁學(xué)測(cè)量選件,可完成各類物性測(cè)量。


VersaLab無液氦綜合物性測(cè)量系統(tǒng)(左)、熱輸運(yùn)測(cè)量模塊(右)

(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品詳情)


主機(jī)特點(diǎn):

  • 3T超導(dǎo)磁體,提供均勻磁場(chǎng)

  • 50-400K高精度變溫測(cè)量,無需使用液氦

  • 集合磁、電、熱多功能物性測(cè)量

  • 專用測(cè)量軟件,使用便利。

  • 單相220V供電,能耗低。

  • 體積小巧,方便移動(dòng),適用各類實(shí)驗(yàn)室


VersaLab主機(jī)系統(tǒng)及其創(chuàng)始人


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一、 熱學(xué)測(cè)量選件


熱輸運(yùn)測(cè)量選件

熱輸運(yùn)選件可以同時(shí)測(cè)量樣品的熱傳導(dǎo)系數(shù)、塞貝克系數(shù)和交流電阻率,并根據(jù)這三個(gè)測(cè)量結(jié)果計(jì)算出熱電材料的品質(zhì)因子。樣品采用專用的樣品托,適用于各類熱電材料測(cè)量,樣品的安裝操作十分方便。



比熱測(cè)量選件


比熱是物理學(xué)研究的一項(xiàng)重要熱學(xué)參數(shù),由于比熱測(cè)試影響因素較多,通常的測(cè)試設(shè)備很難獲得高質(zhì)量的比熱測(cè)量數(shù)據(jù)。VersaLab系統(tǒng)采用熱弛豫法,軟件中有加入了雙T模型技術(shù)對(duì)弛豫曲線進(jìn)行擬合,即可獲得高質(zhì)量比熱數(shù)據(jù)。樣品安裝方面,系統(tǒng)巧妙的設(shè)計(jì)了一個(gè)專用安裝樣品臺(tái),利用“吸塵器”式負(fù)壓設(shè)計(jì),讓樣品簡(jiǎn)單安裝的同時(shí),還保護(hù)了樣品托接線不受損壞,大大減少了實(shí)驗(yàn)人員操作難度。


比熱樣品托和專用樣品安裝臺(tái)



二、磁學(xué)測(cè)量選件


振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)選件

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)選件磁學(xué)測(cè)量為VersaLab主機(jī)包含的功能,可以全自動(dòng)進(jìn)行各種高精度磁學(xué)測(cè)量如磁滯回線、熱磁曲線、高溫磁學(xué)、初始磁化曲線、剩磁以及磁化數(shù)據(jù)的時(shí)間函數(shù)等,其磁矩靈敏度可以達(dá)到10-6emu,滿足大部分磁性材料測(cè)試需求。此外,系統(tǒng)可選用高溫樣品桿,實(shí)現(xiàn)最高1000K的磁性測(cè)量。




交流磁化率選件


系統(tǒng)同樣支持交流磁化率選件功能,該選件采用特殊的探測(cè)線圈和VSM振動(dòng)馬達(dá),一次測(cè)量就能獲得樣品的交流磁化率(實(shí)虛部分開)和直流磁化強(qiáng)度信號(hào)。交流磁化率選件采用鎖相放大技術(shù),以及五點(diǎn)測(cè)量模式,有效的消除溫度漂移,測(cè)量更準(zhǔn)確,交流模式下可以實(shí)現(xiàn)10-8 emu的測(cè)量靈敏度。


交流磁化率選件


扭矩磁強(qiáng)計(jì)選件


扭矩磁強(qiáng)計(jì)選件是Quantum Design與IBM公司聯(lián)合研發(fā),專門用于需要表征磁各向異性的小樣品(單晶、薄膜)而設(shè)計(jì)。該選件巧妙的使用了扭矩力、壓電傳感電阻,并用惠斯通電橋準(zhǔn)確測(cè)量扭矩,從而獲得磁化強(qiáng)度,具有10-7emu的零名都,其測(cè)試數(shù)據(jù)精度可以與SQUID相媲美。


扭矩磁強(qiáng)計(jì)選件




三、電學(xué)測(cè)量

VersaLab綜合物性測(cè)量系統(tǒng)支持直流電學(xué)和交流電學(xué)測(cè)試,允許用戶在3T、50-400K的環(huán)境下全自動(dòng)的進(jìn)行諸如直流電阻、交流電阻、微分電阻、磁電阻、伏安特性和霍爾效應(yīng)的一系列電學(xué)測(cè)量。每次最多可以測(cè)兩個(gè)樣品,結(jié)合全自動(dòng)樣品轉(zhuǎn)桿,還可以進(jìn)行各向異性的電學(xué)測(cè)量。


電學(xué)測(cè)量選件、樣品托及樣品安裝臺(tái)




四、用戶自定義測(cè)量

基于VersaLab提供的3T磁場(chǎng)和50-400K的低溫強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境,用戶可以自行搭建測(cè)試功能用于不同需求的測(cè)量??商峁┒喙δ軜悠窏U和各類測(cè)試儀表,輔助客戶選擇測(cè)試功能。



若您對(duì)設(shè)備有任何問題,歡迎掃碼咨詢!




參考文獻(xiàn)

[1]. S. Ke, X. Nie, P. Wei, L. Li, C. Liu, W. Xu, T. Chen, D. Liang, X. Ye,W.-T. Zhu, D. He, W.-Y. Zhao, Q. Zhang. Nanomagnetism Triggering Carriers Double-Resistance Conduction and Excellent Flexible Thermoelectrics Adv. Mater. 2025, 37, 2414511







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