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西南大學(xué)在X射線探測(cè)領(lǐng)域的新發(fā)現(xiàn):OmniFluo990-Xray閃爍體的綜合性能評(píng)測(cè)

來源:北京卓立漢光儀器有限公司 更新時(shí)間:2025-12-05 10:28:01 閱讀量:144
導(dǎo)讀:西南大學(xué)材料與能源學(xué)院劉婧團(tuán)隊(duì)在X射線成像領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。

西南大學(xué)材料與能源學(xué)院劉婧團(tuán)隊(duì)在X射線成像領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。研究成果以“Charge compensation via tetravalent doping for high-efficiency Mn2+-activated inorganic double perovskites toward high-resolution X-Ray imaging”為題發(fā)表在國(guó)際知名期刊《Inorganic Chemistry Frontiers》上。西南大學(xué)為該論文第一單位,劉婧副教授為論文通訊作者。今天小卓為大家分享該研究成果,希望對(duì)您的科學(xué)研究或工業(yè)應(yīng)用帶來一些靈感和啟發(fā)。

金屬摻雜無鉛鈣鈦礦納米閃爍體在輻射探測(cè)領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。然而,在Mn2+摻雜Cs2AgInCl6(CAIC)雙鈣鈦礦體系中,由于二價(jià)Mn2+取代三價(jià)In3+所引起的電荷失衡,以及Mn2+有效摻雜濃度受限,制約其發(fā)光性能的進(jìn)一步提升?;诖?,西南大學(xué)劉婧副教授團(tuán)隊(duì)提出了一種電荷補(bǔ)償策略,通過引入Ce4+/Zr4+作為共摻離子,成功提升了Mn2+摻雜CAIC納米晶的發(fā)光性能,并制備了適用于X射線成像的高性能閃爍體材料。

在劉婧副教授團(tuán)隊(duì)的工作中,他們成功構(gòu)建了 Cs?AgInCl?:Mn2?雙鈣鈦礦納米晶閃爍體薄膜,該薄膜在 X 射線成像應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的檢測(cè)靈敏度與空間分辨率。為解決價(jià)態(tài)不匹配導(dǎo)致的晶格電荷失衡問題,通過引入四價(jià)離子(Ce??/Zr??)實(shí)現(xiàn)(Mn2?,X??)對(duì)(In3?,In3?)的協(xié)同取代,構(gòu)建了高效電荷補(bǔ)償機(jī)制。該機(jī)制不僅顯著提高了 Mn2?的有效摻雜濃度,還提升了其在 Mn2?/Mn??混合價(jià)態(tài)中的相對(duì)占比;其中 Ce??的引入可進(jìn)一步抑制 Mn2?向 Mn??的氧化轉(zhuǎn)變,有效維持 Mn2?的發(fā)光中心特性,最終實(shí)現(xiàn)輻射發(fā)光效率的顯著提升。

圖1 CAIC:Mn2+、CAIC:Mn2+, Zr4+和CAIC:Mn2+, Ce4+納米晶的(a)晶體結(jié)構(gòu)的示意圖;(b)XRD圖;(c,d,e)分別為CAIC:Mn2+、CAIC:Mn2+, Zr4+和CAIC:Mn2+, Ce4+納米晶的透射電子顯微鏡和高分辨電子顯微鏡圖像;(f,g,h)為相對(duì)應(yīng)的納米晶的尺寸分布圖。

圖2(a)CsPbBr3、Si、CsI-TI、YAG:Ce和CAIC:Mn2+, Ce4+對(duì)光子能量的線性衰減系數(shù);(b)幾種閃爍體在X射線輻射下的衰減效率與厚度的函數(shù)關(guān)系;(c)CAIC:Mn2+、CAIC:Mn2+, Zr4+與CAIC:Mn2+, Ce4+的輻射發(fā)光光譜;(d)提出的輻射發(fā)光機(jī)理圖;(e)CAIC:Mn2+、CAIC:Mn2+, Zr4+、CAIC:Mn2+, Ce4+與YAG:Ce閃爍體的輻射發(fā)光強(qiáng)度隨X射線劑量率的變化;(f) CAIC:Mn2+, Ce4+的X射線劑量率的變化與信噪比SNR的函數(shù)關(guān)系;(g)CAIC:Mn2+, Ce4+與YAG:Ce閃爍體的輻射發(fā)光光譜;(h)連續(xù)30次X射線照射-關(guān)閉循環(huán)下CAIC:Mn2+, Ce4+的輻射發(fā)光強(qiáng)度變化。

圖3 (a)X射線成像系統(tǒng)示意圖;(b,c)CAIC:Mn2+, Ce4+@PDMS薄膜在紫外燈(290 nm)下的薄膜發(fā)光圖片;(d,e)金屬鑰匙在日光下照片和X射線成像照片;(f,g)圓珠筆在日光下照片和X射線成像照片;(h)通過斜邊法測(cè)量CAIC:Mn2+, Ce4+@PDMS薄膜薄膜的MTF曲線。

該研究揭示了Ce4+/Zr4+電荷補(bǔ)償對(duì)Mn2+摻雜摻雜雙鈣鈦礦納米晶發(fā)光行為的調(diào)控機(jī)制。該策略有效減少了因電荷失衡引起的非輻射復(fù)合中心,從而顯著提升了材料的發(fā)光性能。并且通過混合Cs2AgInCl6:Mn2+, Ce4+和PDMS制備了柔性閃爍薄膜,這些薄膜展現(xiàn)了強(qiáng)烈的紅色輻射發(fā)光,具備優(yōu)于商用閃爍體YAG:Ce單晶的光產(chǎn)額、7.7 lp mm?1的空間分辨率和619.2 nGyair s?1低檢測(cè)限。此外,它們?cè)谶B續(xù)X射線照射下展現(xiàn)的出色抗輻射穩(wěn)定性和長(zhǎng)工作壽命顯著促進(jìn)了無機(jī)納米閃爍體在高分辨率X射線顯微成像領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用,不僅為開發(fā)高分辨率X射線成像閃爍體提供了新材料體系,也為通過價(jià)態(tài)工程優(yōu)化鈣鈦礦光電性能提供了新的設(shè)計(jì)思路與技術(shù)路徑。

配置推薦

文中Cs2AgInCl6:Mn2+, Ce4+柔性閃爍薄膜的X射線成像測(cè)試,采用的是北京卓立漢光儀器有限公司的閃爍體性能測(cè)試系統(tǒng),配備X射線管。該設(shè)備組合可用于研究新型閃爍體材料的發(fā)光特性。

下圖為劉婧副教授團(tuán)隊(duì)所使用卓立漢光公司的熒光光譜儀及相關(guān)設(shè)備,主要用于新型光電材料與器件的研究。

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X射線成像系統(tǒng)

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標(biāo)簽:   閃爍體   鈣鈦礦 X射線成像

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