三維光刻是當(dāng)前半導(dǎo)體、平板顯示、MEMS、光電子等行業(yè)的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。光刻技術(shù)是指在短波長光照作用下，以光刻膠（光致抗蝕劑、photoresist）為介質(zhì)，將微納圖形制備到基片上的技術(shù)。以半導(dǎo)體工藝為例，半導(dǎo)體器件由多種專用材料經(jīng)過光刻、離子刻蝕、拋光等復(fù)雜微納加工流程而完成。光刻設(shè)備是半導(dǎo)體工藝中Z核心的裝備，在掩模版制備、芯片制造和封裝環(huán)節(jié)都使用了光刻技術(shù)。

       三維光刻激光直寫和電子束直寫是產(chǎn)業(yè)中兩項主要的直寫技術(shù)。激光直寫可以滿足半導(dǎo)體 0.25 微米及以上節(jié)點掩模版制備，以及 0.25 微米以下部分掩模版制備。當(dāng)前半導(dǎo)體掩模版總量的約 75% 由激光直寫設(shè)備制備，其余掩模版由電子束直寫設(shè)備完成。平板顯示領(lǐng)域的大幅面掩模版，100% 由激光直寫設(shè)備制備。 

       在投影光刻領(lǐng)域，半導(dǎo)體采用微縮投影光刻技術(shù)，代表性供應(yīng)商是荷蘭 ASML；平板顯示采用大幅面投影光刻，代表性廠商是日本尼康。在諸多研發(fā)、MEMS、LED 等領(lǐng)域，掩模版接觸 / 接近式光刻依然廣泛使用。