氣相沉積技術(shù)是對(duì)氣相中發(fā)生的物理、化學(xué)過(guò)程加以利用，對(duì)工件表面成分進(jìn)行改變，使得具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學(xué)、電學(xué)性能)的金屬或化合物涂層在表面形成的新技術(shù)。氣相沉積一般是將厚度大概為0.5-10微米的一層過(guò)渡族元素(鈦、釩、鉻、鋯、鉬、鉭、鈮及鉿)與碳、氮、氧和硼的化合物覆蓋于工件表面。氣相沉積根據(jù)過(guò)程的本質(zhì)包括物理氣相沉積以及化學(xué)氣相沉積兩大類(lèi)。氣相沉積為強(qiáng)化模具表面的新技術(shù)之一，已經(jīng)在各類(lèi)模具的表面硬化處理方面得到了非常廣泛地應(yīng)用。TiC，TiN為主要應(yīng)用的沉積層。

氣相沉積技術(shù)分類(lèi)

氣相沉積技術(shù)一般按照反應(yīng)類(lèi)型或者壓力來(lái)進(jìn)行分類(lèi)：快熱氣相沉積、高密度等離子體氣相沉積、等離子體增強(qiáng)氣相沉積、超高真空氣相沉積、亞常壓氣相沉積、常壓氣相沉積以及低壓氣相沉積均包含于氣相沉積技術(shù)。之后還有金屬有機(jī)物氣相沉積，它的分類(lèi)按照金屬源的自特性來(lái)進(jìn)行保證。液態(tài)為這些金屬的典型狀態(tài)，在向著容器導(dǎo)入之前必須shou先汽化它。不過(guò)，把MO氣相沉積認(rèn)為是有機(jī)金屬氣相沉積容易引起某些人的混淆。

從前，一個(gè)簡(jiǎn)單的管式爐結(jié)構(gòu)為對(duì)低壓氣相沉積和常壓氣相沉積zui為常用的反應(yīng)室。就算在今天，沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類(lèi)的基礎(chǔ)薄膜也在非常廣泛地應(yīng)用管式爐（氧氣中有硅元素存在，將會(huì)使得高質(zhì)量的SiO2zui終得以形成，然而如此會(huì)使硅元素大量消耗，SiO2通過(guò)硅烷和氧氣反應(yīng)很有可能被沉積出來(lái)，在管式爐中能夠進(jìn)行這兩種方法）。

并且，zui近單片淀積工藝推動(dòng)并且使得新的氣相沉積反應(yīng)室結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了。等離子體的使用在些新的結(jié)構(gòu)中占據(jù)絕大多數(shù)。其中一部分是為了使反應(yīng)過(guò)程加快，也有一些系統(tǒng)外加一個(gè)按鈕，來(lái)對(duì)淀積膜的質(zhì)量進(jìn)行控制。在等離子體增強(qiáng)氣相沉積和高密度等離子體氣相沉積系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是利用對(duì)能量，偏壓以及其它參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，能夠使沉積和蝕刻反應(yīng)的功能同時(shí)擁有。利用對(duì)淀積：蝕刻比率進(jìn)行調(diào)整，使一個(gè)很好的縫隙填充工藝盡可能得到。