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2025-01-10 10:50:00精確厚度測量
精確厚度測量是指利用特定技術(shù)和儀器，對物體表面的厚度進行高精度、高可靠性的測量。常見的測量方法有激光測厚、超聲波測厚、渦流測厚及機械接觸式測厚等。這些技術(shù)廣泛應(yīng)用于工業(yè)制造、材料科研、質(zhì)量檢測等領(lǐng)域，能夠確保產(chǎn)品的尺寸精度和性能穩(wěn)定性。精確厚度測量不僅要求測量結(jié)果的準確性，還強調(diào)測量的重復(fù)性和可追溯性，是保障產(chǎn)品質(zhì)量和科研數(shù)據(jù)可靠性的重要手段。

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2022-11-08 10:08:09非接觸式透鏡厚度測量利器光纖微裂紋檢測儀（OLI）
在光學(xué)領(lǐng)域，透鏡是光學(xué)系統(tǒng)中最重要的組成元件，現(xiàn)代的光學(xué)儀器對透鏡的成像質(zhì)量和光程控制有很高的要求。尤其在透鏡的制造要求上，加工出的透鏡尺寸，其公差必須控制在允許范圍內(nèi)，因此需要在生產(chǎn)線上形成對透鏡厚度實時、自動、精準的檢測，這對提高產(chǎn)線的生產(chǎn)效率和控制產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要意義。目前，測量透鏡中心厚度的方法主要分為接觸式測量和非接觸式測量。接觸式測量有很多弊端，如不能準確找到透鏡的中心點(最高點或最低點)，測量時需要來回移動透鏡，效率不高，容易劃傷透鏡的玻璃表面。而非接觸測量一般采用光學(xué)的方法，能有效避免這些測量缺陷，由東隆科技自研的光纖微裂紋檢測儀（OLI）不僅可以快速精準測試出透鏡的厚度，而且也不會對透鏡表面造成劃傷。下面，讓我們學(xué)習(xí)下光纖微裂紋檢測儀（OLI）是如何高效的測量手機鏡頭的折射率和厚度。光纖微裂紋檢測儀（OLI）1、 OLI測量透鏡厚度使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）測量凸透鏡中心厚度，如圖1.所示，準備一根匹配好測試長度的光纖跳線，一端接入設(shè)備DUT口，另外一端垂直對準透鏡，讓接頭和透鏡之間預(yù)留一定距離，同時使用OLI進行測量。圖1. 測量系統(tǒng)示意圖測量結(jié)果如圖2.所示，圖中共有3個峰值，第1個峰值為FC/APC接頭端面的反射，第2個峰值為空氣到透鏡第一個面的反射，第3個峰值為透鏡第二個面到空氣的反射。圖2.凸透鏡厚度測試結(jié)果圖峰值1和2之間的距離為3.876mm，峰值2和3之間的距離為20.52mm，圖2中測得各峰值間距是在設(shè)備默認折射率n1=1.467下測得，而空氣的折射率n2=1玻璃透鏡的折射率n3=1.6，所以空氣段的實際長度為：L空=3.876*n1/n2=5.686mm，透鏡的實際厚度為L鏡=20.52*n1/n3=18.814mm。使用游標卡尺測量凸透鏡的厚度為19.02mm，和測試結(jié)果偏差0.2mm，可能是玻璃透鏡的實際折射率與計算所用到的折射率1.6有偏差導(dǎo)致的。2、OLI測量鏡底折射率和厚度將圖1.測量系統(tǒng)中的凸透鏡換成手機攝像頭的玻璃鏡底，使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）對3種不同厚度的玻璃鏡底進行測量，圖3.為測試玻璃鏡底實物圖，用游標卡尺測量三種玻璃鏡底的厚度分別為0.7mm、1.5mm和2.0mm。圖3.玻璃鏡底實物圖光纖微裂紋檢測儀（OLI）測量結(jié)果如圖4.所示，為5次測量平均后的結(jié)果，從圖中可以看出三種鏡底的測試厚度分別為1.075mm、2.301mm、3.076mm。圖4.三種鏡底厚度測試結(jié)果圖三種玻璃鏡底的材質(zhì)一樣其折射率一致，圖4.中設(shè)備測得玻璃鏡底厚度與游標卡尺測得厚度不一致，因為是在設(shè)備默認折射率n1=1.467下測得、實際玻璃鏡底折射率為n鏡=1.075*1.467/0.7=2.253，將設(shè)備折射率修改為2.253直接得出三款玻璃鏡底的厚度為：0.699mm 、1.498mm、2.003mm，設(shè)備測得結(jié)果與游標卡尺測量偏差不超過5um，證明OLI非接觸測試透鏡厚度十分精準。3、結(jié)論使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）非接觸測試各種透鏡的折射率和厚度，其測量精度在亞微米級別，相對于接觸式測量透鏡厚度，精度提升很大，同時也避免測量時透鏡表面被劃傷。將光纖微裂紋檢測儀（OLI）非接觸式測量透鏡厚度的方法應(yīng)用到生產(chǎn)車間內(nèi)，可形成自動化檢測產(chǎn)線，無需人為干預(yù)即可準確甄別出質(zhì)量不合格產(chǎn)品，極大提升生產(chǎn)效率。
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2024-04-17 15:13:45如何用源表精確測量apd管的暗電流？
APD雪崩光電二極管是一種高性能光電探測器，它是一種PN結(jié)型光電二極管，具有高增益、高靈敏度和快速響應(yīng)等特點。廣泛應(yīng)用于光電檢測、傳感、安檢等各個領(lǐng)域。APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應(yīng)和雪崩效應(yīng)，當(dāng)光子被吸收時，會產(chǎn)生電子空穴對，空穴向P區(qū)移動，電子向N區(qū)移動，由于電場的作用，電子與空穴相遇時會產(chǎn)生二次電子，形成雪崩效應(yīng)，從而使電荷載流子數(shù)目增加，電流增大，實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。在APD的光電特性中，暗電流是一個重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測試的準確性對于評估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進行APD暗電流測試時，通常面臨如下挑戰(zhàn)：測試環(huán)境影響在進行暗電流測試時，需要確保測試環(huán)境中沒有光照射，光照會激發(fā)APD中的載流子，導(dǎo)致暗電流的增加，從而影響測試結(jié)果的準確性。連接電路影響暗電流的測試通常需要提供一個反向偏壓，縱觀目前的電流表和電流計，都不具備提供偏壓的功能，因此必須在電流表的回路中加入電壓源。但這樣會使測試系統(tǒng)變得復(fù)雜，引入更多干擾條件，導(dǎo)致暗電流的測試精度無法保證。目前暗電流測試的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU），數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、  波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。采用數(shù)字源表進行暗電流測試時，需要注意以下事項：三同軸線纜連接APD暗電流測試連接線通常會選擇使用低噪聲、低電阻的導(dǎo)線，三同軸線纜具有良好的導(dǎo)電性能和抗干擾能力，適合用于傳輸微弱信號，可以減少測試過程中的干擾和誤差。如下圖三同軸線纜的半剖圖，多層絕緣屏蔽具有良好的抗干擾能力。 (1導(dǎo)體;2絕緣;3內(nèi)屏蔽層;4中間層;5外屏蔽層;6外護套)屏蔽外部電磁信號干擾測試系統(tǒng)架構(gòu)圖如下圖所示，數(shù)字源表（SMU）連接到光電二極管上，該光電二極管安放在一個電屏蔽的暗箱中，為了對敏感的電流測量進行屏蔽使其不受外部干擾的影響，通過將屏蔽箱與數(shù)字源表（SMU）的低端相連，可以形成一個封閉的金屬屏蔽環(huán)境，有效地阻止外部電磁干擾信號的進入，保護測試信號的準確性和穩(wěn)定性。預(yù)留充足的測量時間在進行暗電流測試時，需要考慮測試時間的長短。通常情況下，這種現(xiàn)象可能是由于APD內(nèi)部的一些因素導(dǎo)致的，例如載流子的生成和收集過程。隨著測試時間的推移，由于暗電流源的累積或者其他因素的影響，暗電流會逐漸增加至一個穩(wěn)定的數(shù)值。此外，對于測量得到的暗電流數(shù)據(jù)，需要進行適當(dāng)?shù)奶幚砗头治?，以確保測試結(jié)果的準確可靠。下圖為普賽斯數(shù)字源表（SMU）測試完成后，上位機軟件通過數(shù)據(jù)處理給出的測試結(jié)果以及測試曲線。測試結(jié)果測試曲線
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2023-03-08 15:54:48精確控制自由基類型，實現(xiàn)特定選擇性的光催化甲烷氧化
1. 文章信息標題：Enabling Specific Photocatalytic Methane Oxidation by Controlling Free Radical Type中文標題：精確控制自由基類型，實現(xiàn)特定選擇性的光催化甲烷氧化頁碼：2698-2707DOI：10.1021/jacs.2c13313              2. 文章鏈接https://doi.org/10.1021/jacs.2c133133. 期刊信息期刊名：Journal of the American Chemical SocietyISSN：1520-51262021年影響因子：16.4分區(qū)信息：中科院一區(qū)涉及研究方向：光催化4. 作者信息：第 一作者是蔣雨恒、李思揚、汪時崐、張銀。通訊作者為 唐智勇研究員。5.儀器型號：升級版CEL-HPR100T在溫和條件下利用水和氧氣選擇性轉(zhuǎn)化甲烷生成甲醇和甲醛是一條用于合成液態(tài)化學(xué)品的理想途徑。然而，在保證高產(chǎn)率的前提下調(diào)控反應(yīng)的選擇性仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)，這是由于控制目標產(chǎn)物的形成和過氧化反應(yīng)的動力學(xué)是非常困難的。近日，國家納米科學(xué)中心唐智勇課題組提出了一種通過合理設(shè)計催化劑來精確控制反應(yīng)過程中形成的自由基的高效途徑，借此首次在甲烷氧化反應(yīng)中同時實現(xiàn)了甲醇和甲醛的高產(chǎn)量和高選擇性。通過調(diào)節(jié)Au/In2O3催化劑中的能帶結(jié)構(gòu)和活性位點的尺寸（單原子或納米粒子），分別形成了兩種重要的自由基?OOH和?OH，這導(dǎo)致甲醇和甲醛通過不同的反應(yīng)路徑生成。在室溫下光催化甲烷氧化反應(yīng)3 h后，In2O3負載Au單原子催化劑（Au1/In2O3）對甲醛的選擇性高達97.62%，產(chǎn)率為6.09 mmol g-1，而In2O3負載的Au納米粒子催化劑（AuNPs/In2O3）對甲醇的選擇性高達89.42%，產(chǎn)率為5.95 mmol g-1。本工作為設(shè)計復(fù)合光催化劑實現(xiàn)高效和選擇性甲烷氧化開辟了新途徑。1. 本工作提出了一種全面的策略，通過原子精確的方式同時控制半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和負載的助催化劑的尺寸，以實現(xiàn)高效和選擇性的光催化甲烷氧化。2. 我們有意選擇了立方In2O3，因為它的價帶位置可以阻止氧化水到?OH的反應(yīng)（方程3）。因此，?OOH和OH只由O2還原反應(yīng)產(chǎn)生（方程1和2），同時，所有生成的空穴都用于甲烷氧化為?CH3自由基（方程4）。3. 考慮到負載助催化劑的尺寸可以調(diào)節(jié)氧氣還原反應(yīng)的選擇性，Au是良好的電子受體，我們將Au單原子或Au納米顆粒負載在In2O3上作為氧氣吸附和還原的活性位點，分別生成?OOH或?OH自由基實現(xiàn)選擇性的甲烷轉(zhuǎn)化。因此，我們設(shè)計了?CH3 + ?OOH → CH3OOH → HCHO （方程5）和 ?CH3 + ?OH → CH3OH （方程6）的反應(yīng)路徑用于甲烷選擇性氧化。示意圖1 光催化甲烷氧化的自由基反應(yīng)途徑以及對應(yīng)的反應(yīng)方程式。以往的工作主要關(guān)注盡可能地提高活性自由基中間體的濃度，我們關(guān)注的是對形成自由基類型的精確控制。由于In2O3載體具有合適的價帶位置，高于水氧化到?OH的電位，卻低于甲烷氧化為?CH3的電位，所以價帶上的空穴全部用于將CH4轉(zhuǎn)化為?CH3。同時，Au單原子和Au納米顆粒上端式和橋式構(gòu)型吸附的氧氣被轉(zhuǎn)移的電子還原，分別導(dǎo)致了?OOH和?OH的選擇性形成。因此，優(yōu)于之前所有的報道，我們獲得了在模擬太陽光照射下利用Au/In2O3復(fù)合材料實現(xiàn)高活性和選擇性的甲烷氧化為甲醛和甲醇。這項工作不僅為調(diào)節(jié)自由基生成機理提供了新的認識，而且為設(shè)計應(yīng)用于重要且具有挑戰(zhàn)性的反應(yīng)的光催化劑提供了新的策略。產(chǎn)品推薦：CEL-HPR+光催化反應(yīng)釜CEL-HPR+光催化反應(yīng)釜高端版采用藍寶石大視窗，采用雙點控溫（無沖溫），標配控溫攪拌和400mm行程自動升降平臺；技術(shù)上采用最 新的卡環(huán)法蘭結(jié)構(gòu)，模塊加熱，實現(xiàn)恒溫定時和運行定時功能、在線取液體樣和氣體樣品。更安全的設(shè)計，可24小時不間斷工作。
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2023-06-21 13:55:48《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動力學(xué)
      近年來，人們在不斷探索新型低能耗，高存儲密度的新型磁存儲材料。特別是對于磁疇壁動力學(xué)、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項異性的材料并且進行精細的調(diào)控變的尤為重要。在對樣品特性精細調(diào)控的技術(shù)中，利用氦離子輻照是對樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產(chǎn)?；诖?，法國Spin-Ion 公司經(jīng)多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術(shù)，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。設(shè)備一經(jīng)推出，便受到廣大科學(xué)家的關(guān)注，截止目前已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術(shù)，國內(nèi)也在北航和復(fù)旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨有的技術(shù)正受到來自相關(guān)科研圈和工業(yè)領(lǐng)域越來越多的認可。     近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)CNRS-Institut Néel實驗室的Stefania Pizzini團隊聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx磁性薄膜進行了磁性調(diào)控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對樣品的磁各向異性的影響      文章討論了使用離子輻照磁性精細調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產(chǎn)生的影響。研究人員發(fā)現(xiàn)，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動力學(xué)和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場下達到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對于基于磁疇壁動力學(xué)的低能耗設(shè)備的設(shè)計是有益的。同時，輻照還可以調(diào)節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場下存在。這些結(jié)果表明氦離子輻照可以對基于磁疇壁動力學(xué)和斯格明子的低能耗設(shè)備的設(shè)計產(chǎn)生積極影響。氦離子輻照量對樣品的磁疇壁和斯格明子的影響     該項工作中使用的離子輻照磁性精細調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?已經(jīng)成為磁性薄膜研究與性能調(diào)控的重要手段。該系統(tǒng)可以對直徑1英寸的晶圓進行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點。 應(yīng)用領(lǐng)域：? 磁性隨機存儲器(MRAM)：自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機存儲(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機存儲(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機存儲(DW-MRAM)等；? 自旋電子學(xué)：斯格明子，磁性隧道結(jié)，磁傳感器等；? 磁學(xué)相關(guān)：磁性氧化物，多鐵性材料；? 其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經(jīng)器件，邏輯器件等。 產(chǎn)品特點：? 可通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調(diào)控磁性薄膜或晶圓的磁學(xué)性質(zhì)。? 可提供能量范圍：1-30 keV的He+離子束? 采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源? 可對25 mm的試樣進行快速的均勻輻照（幾分鐘）? 超緊湊的設(shè)計，節(jié)省實驗空間? 可與現(xiàn)有的超高真空設(shè)備互聯(lián)離子輻照磁性精細調(diào)控系統(tǒng)Helium-S? 測試數(shù)據(jù)：調(diào)控界面各向異性性質(zhì)和DMI 低電流誘發(fā)的SOT轉(zhuǎn)換獲取 控制斯格明子和磁疇壁的動態(tài)變化 用戶單位 已經(jīng)購買該設(shè)備的國內(nèi)外用戶單位：Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表：[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona,  J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J  Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996參考文獻：[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039
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2022-11-21 14:47:03Smaasher-T25全自動均質(zhì)儀丨精確高效，讓實驗結(jié)果更
Smaasher-T25是ASHMAR SCIENTIFIC出品的一款全自動均質(zhì)儀。Smaasher-T25可在無人值守的情況下，自動連續(xù)處理zui大36個樣品。儀器自動完成加液、均質(zhì)、清洗等步驟，減少溶劑的消耗量，避免人為操作引起的誤差，提高實驗結(jié)果的準確性和可靠性。Part.1以用戶為導(dǎo)向的設(shè)計特點● 大尺寸彩色觸摸屏 界面易用 好操作● 透明窗口 實現(xiàn)加液均質(zhì)過程的可視性● 圖形可視化操作 一鍵自動執(zhí)行● 轉(zhuǎn)盤自動識別 使用更方便快捷● 防滴液擋板，刀頭多重清洗  防止交叉污染Part.2靈活的配置● 適配多種試管和樣品管，多種樣品盤架（含冰浴盤）● 適配不同規(guī)格刀頭，多種功能模塊可選配● 適配QuickTrace/WirbelMixer/VortexVap等設(shè)備Part.3產(chǎn)品應(yīng)用● 應(yīng)用領(lǐng)域：生物醫(yī)藥 食品安全 日常家化 環(huán)境檢測
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