国产三级在线看完整版-内射白嫩大屁股在线播放91-欧美精品国产精品综合-国产精品视频网站一区-一二三四在线观看视频韩国-国产不卡国产不卡国产精品不卡-日本岛国一区二区三区四区-成年人免费在线看片网站-熟女少妇一区二区三区四区

2025-01-21 09:34:12半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是電子器件中的基礎(chǔ)元件，主要由半導(dǎo)體材料制成，具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)。它們?cè)诂F(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，如二極管可用于整流或開關(guān)，晶體管則能放大電信號(hào)或作為電子開關(guān)。半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)電路功能的核心部件。通過控制半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子運(yùn)動(dòng)，這些器件能夠執(zhí)行各種復(fù)雜的電子功能，是現(xiàn)代電子技術(shù)和信息技術(shù)發(fā)展的基石。

資源：2283個(gè)    瀏覽：108次展開

半導(dǎo)體器件相關(guān)內(nèi)容

產(chǎn)品名稱

所在地

價(jià)格

供應(yīng)商

咨詢

高電壓半導(dǎo)體器件功率分析儀
國內(nèi) 湖北
￥1000
武漢普賽斯儀表有限公司

售全國

我要詢價(jià) 聯(lián)系方式
半導(dǎo)體器件iv曲線測(cè)試儀
國內(nèi) 湖北
￥1000
武漢普賽斯儀表有限公司

售全國

我要詢價(jià) 聯(lián)系方式
半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀
國內(nèi) 湖北
￥1000
武漢普賽斯儀表有限公司

售全國

我要詢價(jià) 聯(lián)系方式
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
國內(nèi) 湖北
￥1000
武漢普賽斯儀表有限公司

售全國

我要詢價(jià) 聯(lián)系方式
高低溫濕熱試驗(yàn)箱，半導(dǎo)體器件溫濕度老化試驗(yàn)
國內(nèi) 廣東
￥66570
東莞市皓天試驗(yàn)設(shè)備有限公司

售全國

我要詢價(jià) 聯(lián)系方式
2023-01-10 13:42:12應(yīng)用分享丨Nexsa G2小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnO?成分半導(dǎo)體器件
01前言近幾年來，隨著國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)的不斷升級(jí)，對(duì)微電子器件的需求日益增加。特別是高科技產(chǎn)品的快速發(fā)展，比如智能手機(jī)、電腦、無人機(jī)、新能源汽車、智能機(jī)器人等，對(duì)高性能微電子器件的需求更是呈指數(shù)級(jí)增長，這使得微電子器件自然而然就成為人們研究的熱點(diǎn)材料。在微電子器件的研究中，通常需要對(duì)微電子器件表面進(jìn)行各種加工、改性處理，來使其具有不同的性能。由于X射線光電子能譜儀（XPS）是一種表面分析技術(shù)，隨著商業(yè)化XPS設(shè)備的普及，其在微電子器件研究中的應(yīng)用越來越廣泛，逐漸成為微電子器件研究中不可或缺的分析手段。本文將通過賽默飛最 新一代XPS表面分析平臺(tái)Nexsa G2，對(duì)半導(dǎo)體器件表面形成的窄條形SnOx成分進(jìn)行小束斑+特色SnapMap快照成像測(cè)試，展示如何通過設(shè)備小束斑+成像功能，快速全面分析這類特殊小尺寸半導(dǎo)體器件表面成分及其在面內(nèi)分布情況，來輔助評(píng)估表面處理效果及器件質(zhì)量。02樣品情況、測(cè)試方案及測(cè)試設(shè)備樣品如下圖1所示，為表面噴金形成的金箔，對(duì)金箔進(jìn)行處理，中間形成了窄條形的SnOx成分，尺寸約22um（寬）╳193um（長），需要確定SnOx具體成分及其是否在金箔中有擴(kuò)散，來輔助評(píng)估器件質(zhì)量及表面處理效果。圖1 SnOx成分半導(dǎo)體器件示意圖由于形成SnOx成分區(qū)域的尺寸較小，測(cè)試時(shí)采用小束斑XPS測(cè)試+SnapMap快照成像解決方案：小束斑XPS測(cè)試：采用10um束斑，直接聚焦到窄條形區(qū)域，可快速得到樣品表面元素及其化學(xué)態(tài)信息，輔助確定SnOx具體成分。SnapMap快照成像測(cè)試：Nexsa G2成像速度快，可快速得到樣品表面元素及其化學(xué)態(tài)在面內(nèi)分布信息，輔助評(píng)估SnOx成分分布及其擴(kuò)散情況。樣品采用賽默飛Nexsa 系列最 新表面分析平臺(tái)Nexsa G2進(jìn)行測(cè)試。Nexsa G2是一款自動(dòng)化程度高、小束斑性能優(yōu)異；同時(shí)，也可實(shí)現(xiàn)多技術(shù)聯(lián)用的高性能、高效率表面分析平臺(tái)。設(shè)備特色的SnapMap快照成像功能，成像測(cè)試速度快，可實(shí)現(xiàn)高效成像分析。設(shè)備如下圖2所示。圖2 賽默飛Nexsa G2 XPS產(chǎn)品03SnOx成分半導(dǎo)體器件小束斑XPS+SnapMap快照成像測(cè)試結(jié)果分析3.1SnOx成分半器件小束斑XPS測(cè)試結(jié)果分析由于形成SnOx成分區(qū)域的尺寸較小，為快速分析此區(qū)域表面元素及化學(xué)態(tài)信息，采用小束斑（10μm），直接聚焦到樣品窄條形區(qū)域進(jìn)行測(cè)試，SnOx成分區(qū)域表面XPS測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖3所示：圖3 SnOx成分區(qū)域表面小束斑XPS測(cè)試譜圖及定量結(jié)果由上圖SnOx成分區(qū)域常規(guī)XPS數(shù)據(jù)，可得到如下信息：由O1s譜圖，可看到此區(qū)域表面氧元素表現(xiàn)出不同化學(xué)態(tài)，主要為C-O/C=O污染成分和Sn-O成分。比較氧元素中Sn-O成分和氧化態(tài)錫元素相對(duì)含量，可看到：原子百分比（At%）：Sn(Oxide):O(Sn-O)≈1:2，可判斷SnOx成分主要為SnO2。此區(qū)域表面含較多Au元素。此區(qū)域表面含較多C元素，可判斷表面有一定程度污染。3.2SnOx成分半導(dǎo)體器件SnapMap快照成像測(cè)試結(jié)果分析為分析形成SnOx成分的分布及擴(kuò)散情況，采用小束斑（10um），選擇Sn/Au/O元素進(jìn)行SnapMap快照成像，成像區(qū)域大?。?50μm╳250μm。元素成像圖如下圖4所示（成像圖顏色以熱圖模式顯示）。圖4 Au/Sn元素成像圖及疊加圖由上成像圖，可快速得到Au/Sn元素在面內(nèi)分布情況。顏色越亮，表示對(duì)應(yīng)成分含量越多：分析Au/Sn元素成像譜圖，可直觀看到Au、Sn元素在面內(nèi)分布區(qū)域互補(bǔ)。分析Au/Sn元素成像譜圖疊加，可直觀看到Au、Sn兩元素在面內(nèi)分布情況；同時(shí)，可快速判斷形成的SnOx成分沒有出現(xiàn)明顯擴(kuò)散情況。此外，對(duì)Au/Sn/O元素成像圖進(jìn)行了進(jìn)一步處理。在成像譜圖中，選10um╳10um的小尺寸區(qū)域，直接聚焦到Au/Sn元素分布特征區(qū)域回溯成譜，將成像圖轉(zhuǎn)化成XPS譜圖，可快速分析不同區(qū)域元素及化學(xué)態(tài)差異，輔助進(jìn)一步確認(rèn)SnOx成分及其擴(kuò)散情況。Au/Sn/O元素成像圖不同區(qū)域回溯成譜，如下圖5所示。圖5  Au/Sn/O元素成像圖不同位置回溯成譜由上圖，分析Au/Sn/O元素成像圖不同位置回溯成的XPS譜圖，可直觀看到：SnOx成分區(qū)域表面檢出明顯Sn元素信號(hào)；同時(shí)，此區(qū)域也含有一定量Au元素。由Au/Sn/O元素不同化學(xué)態(tài)含量表格，可看到Sn(Oxide):O(Sn-O)≈1:2，進(jìn)一步確定SnOx區(qū)域成分為SnO2。Au元素區(qū)域表面未檢出Sn信號(hào)，說明SnOx成分在此區(qū)域沒有出現(xiàn)明顯擴(kuò)散情況。為進(jìn)一步判斷SnOx成分在與Au分布區(qū)域交界處是否存在擴(kuò)散情況，對(duì)Sn元素成像圖進(jìn)行線掃描處理，將成像圖轉(zhuǎn)化成Sn元素計(jì)數(shù)率隨距離變化圖，如下圖6所示。圖6 Sn元素成像圖線掃描由上圖Sn元素線掃描圖，可直觀看到SnOx成分在Au/Sn交界處也沒有出現(xiàn)明顯擴(kuò)散情況。說明對(duì)Au箔處理后，處理效果好，形成SnOx成分的窄條形區(qū)域質(zhì)量好。04 小結(jié)本文通過賽默飛最 新一代XPS表面分析平臺(tái)Nexsa G2對(duì)金箔表面處理形成SnOx成分的小條形區(qū)域進(jìn)行小束斑XPS+SnapMap快照成像測(cè)試，得到了豐富的樣品信息。小束斑XPS測(cè)試：Nexsa G2，可實(shí)現(xiàn)束斑大小10~400um連續(xù)可調(diào)，小束斑下也具有極 佳測(cè)試靈敏度，保證測(cè)試譜圖質(zhì)量。對(duì)于這類特殊小尺寸樣品，直接選擇小束斑，聚焦到小尺寸區(qū)域，可快速得到樣品表面元素及其化學(xué)態(tài)信息。通過這些信息，可輔助快速判斷樣品表面處理形成的SnOx成分為SnO2。SnapMap快照成像測(cè)試：Nexsa G2特色SnapMap快照成像功能，可實(shí)現(xiàn)高效成像測(cè)試，快速得到不同元素及化學(xué)態(tài)在面內(nèi)分布信息。通過分析Au/Sn/O元素成像圖，可進(jìn)一步確定SnOx成分為SnO2；同時(shí)，可確定SnOx成分沒有出現(xiàn)擴(kuò)散情況，說明樣品表面處理效果較好，形成SnOx成分的窄條形區(qū)域質(zhì)量好。
877人看過
2020-10-15 11:24:37吉時(shí)利源表在半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)量的應(yīng)用
電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)，C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。C-V測(cè)試方法進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到10MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。C-V測(cè)試系統(tǒng)LCR表與待測(cè)件連接圖MOS電容的C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在 0.1Hz~30MHz。源表(SMU) 負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒CT8001 加載在待測(cè)件上。以PCA1000LCR表和吉時(shí)利2450源表組成的C-V 測(cè)試系統(tǒng)為例，可以滿足精確測(cè)量的要求：吉時(shí)利2450系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表是一款集I—V特性測(cè)試、曲線追蹤儀和半導(dǎo)體分析儀功能于一體的低成本數(shù)字源表。吉時(shí)利2450豐富的功能也讓它非常適合集成到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中：●嵌入式測(cè)試腳本處理器 (TSP)：它將完整的測(cè)度程序加載到儀器的非易失性存儲(chǔ)器，無需依賴外部PC控制器，產(chǎn)能更高?！馮SP-Link通信總線：支持測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)多臺(tái)2450儀器和其他基于TSP技術(shù)儀器的系統(tǒng)拓展，拓展的測(cè)試系統(tǒng)最多可連接32臺(tái)2450，在一臺(tái)主儀器的TSP控制下進(jìn)行多點(diǎn)或多通道并行測(cè)試?！窦嫒莸?400工作模式：除了2450 SCPI工作模式， 2450還支持2400 SCPI工作模式，并兼容現(xiàn)有的2400 SCPI程序。這保護(hù)了用戶的軟件投資，避免儀器升級(jí)換代所帶來測(cè)試軟件的轉(zhuǎn)換工作。●PC連接和自動(dòng)化：后面板三同軸電纜連接端口、儀器通信接口（GPIB、USB 2.0和LXI/Ethernet）、D型9針數(shù)字I/O端口（用于內(nèi)部/外部觸發(fā)信號(hào)及機(jī)械臂控制）、儀器安全互鎖裝置及TSP-Link連接端口簡化多儀器測(cè)試系統(tǒng)的集成。安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。
738人看過
2020-03-17 09:39:36半導(dǎo)體器件金鍵合引線的橫截面
       本文描述了對(duì)半導(dǎo)體器件里金鍵合引線與電極（鋁焊盤）界面結(jié)合缺陷的觀察和分析。 截面拋光儀（CP)對(duì)金鍵合引線界面橫截面進(jìn)行拋光。       使用JEOL的橫截面拋光儀（簡稱CP）對(duì)樣品進(jìn)行橫截面拋光，CP是一種利用氬離子束轟擊樣品表面的從而得到無應(yīng)力破壞的平滑橫截面的掃描電鏡制樣設(shè)備?？杉庸じ鞣N軟硬復(fù)合材料與傳統(tǒng)機(jī)械拋光相比，不會(huì)產(chǎn)生加工痕跡和扭曲變形。       下圖是金線和鋁焊盤交界處的背散射電子成分像，可清晰地觀察到通道襯度和晶體的晶粒尺寸。       X-Ray譜圖顯示了金線和電極焊盤交界處元素的空間分布。按照從上而下的順序, ① 金鍵合引線的Au層部分，可見通道襯度 ② 金屬間化合物(IMC)層Au-Al合金層 ③ Al電極 ④SiO2 層和 ⑤ Si 基板。       我們知道IMC層的成型及厚度取決于鍵合后熱處理的溫度和時(shí)間，熱處理的工藝甚至可能會(huì)導(dǎo)致界面IMC層出現(xiàn)剝離。       通過利用CP和SEM，可直接檢測(cè)橫截面方向IMC層的厚度及濃度，因此可用于半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的質(zhì)量管理和成品率監(jiān)控。
639人看過
2019-09-06 13:43:11吉時(shí)利半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)試方案
C-V測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿足寬頻率范圍的需求，同時(shí)連線簡單，系統(tǒng)易于搭建，并具備系統(tǒng)補(bǔ)償功能，以補(bǔ)償系統(tǒng)寄生電容引入的誤差。在CV特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國吉時(shí)利公司源表（SMU）和合作伙伴針對(duì)CV測(cè)試設(shè)計(jì)的專用精 密LCR分析儀。源表SMU可以輸出正負(fù)電壓，電壓 輸出分辨率高達(dá)500nV。同時(shí)配備的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夾具，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負(fù)200V電壓范圍內(nèi)的測(cè)試范圍?！锇珻-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F （電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能，C-V測(cè)試可同時(shí)支持測(cè)試四條不同頻率下的曲線★提供外置直流偏壓盒，偏壓支持到正負(fù)200V， 頻率范圍 100Hz - 1MHz。測(cè)試功能：頻率-電容掃描測(cè)試MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算MOS電容的 C-V 特性測(cè)試方案系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。 LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒 CT8001加載在待測(cè)件上。下表中參數(shù)以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V測(cè)試系統(tǒng)為例：
600人看過
2025-04-21 12:45:20氦質(zhì)譜檢漏儀在半導(dǎo)體設(shè)備的運(yùn)用主要是什么？
隨著半導(dǎo)體制造工藝向更精密化、集成化方向發(fā)展，設(shè)備氣密性檢測(cè)已成為保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。氦質(zhì)譜檢漏儀憑借其超高靈敏度和精準(zhǔn)定位能力，正成為半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的質(zhì)量守護(hù)者。本文將從技術(shù)原理、應(yīng)用場景、經(jīng)濟(jì)效益等維度，深度解析該技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的革新價(jià)值。 一、技術(shù)原理：磁場中的離子軌跡解碼微觀泄漏氦質(zhì)譜檢漏儀基于質(zhì)譜學(xué)原理，通過電離室將氦氣分子電離為帶正電的氦離子，利用磁場中不同質(zhì)荷比離子的偏轉(zhuǎn)半徑差異實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)分離。當(dāng)加速電壓與磁場強(qiáng)度固定時(shí)，特定質(zhì)量的氦離子將沿預(yù)定軌道抵達(dá)接收極，形成可量化信號(hào)。采用逆擴(kuò)散檢漏技術(shù)時(shí)，氦氣分子可逆著分子泵氣流方向進(jìn)入質(zhì)譜室，在避免電離室污染的同時(shí)實(shí)現(xiàn)10-12 Pa·m3/s量級(jí)的極限檢測(cè)靈敏度。相較于傳統(tǒng)水檢法或壓差法，該技術(shù)檢測(cè)精度提升百萬倍，且具備無損檢測(cè)特性。 二、半導(dǎo)體設(shè)備的極致密封要求半導(dǎo)體制造裝備對(duì)氣密性的要求近乎苛刻：內(nèi)襯部件需承受1.33×10-8 Pa的超高真空，加熱器在200℃高溫下的氦測(cè)漏率需低于5×10-6 mbar·L/s，而晶圓反應(yīng)腔體的靜態(tài)泄漏率必須控制在0.001 ml/min以下。任何微米級(jí)泄漏都將導(dǎo)致真空失效、工藝氣體污染或晶圓特性劣化。例如，極紫外光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)若存在10-9 Pa·m3/s的泄漏，就會(huì)造成鏡面污染和光路散射，直接導(dǎo)致芯片良率下降30%以上。 三、全產(chǎn)業(yè)鏈滲透：從晶圓制造到封裝測(cè)試在晶圓制造環(huán)節(jié)，該技術(shù)應(yīng)用于磁控濺射設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)（ICP/PECVD）等關(guān)鍵設(shè)備。某12英寸晶圓廠的離子注入機(jī)采用ASM 390檢漏儀后，將真空腔體泄漏排查時(shí)間從72小時(shí)縮短至4小時(shí)，設(shè)備稼動(dòng)率提升15%。在封裝測(cè)試階段，TO封裝器件的氦檢漏率需低于1×10-8 Pa·m3/s，通過真空箱法可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)3000顆芯片的全自動(dòng)檢測(cè)。典型案例顯示，某頭部封測(cè)企業(yè)引入ZQJ-2300系統(tǒng)后，封裝不良率從500ppm降至50ppm，年節(jié)約返修成本超2000萬元。 四、經(jīng)濟(jì)效益與行業(yè)變革據(jù)QYResearch數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體用氦質(zhì)譜檢漏儀市場規(guī)模在2023年突破8.7億元，年復(fù)合增長率達(dá)19.3%。設(shè)備制造商通過精準(zhǔn)檢漏可將工藝氣體損耗降低40%，同時(shí)避免因泄漏導(dǎo)致的設(shè)備宕機(jī)損失。以5納米制程產(chǎn)線為例，單臺(tái)光刻機(jī)年度檢漏維護(hù)成本約120萬元，但泄漏事故導(dǎo)致的停產(chǎn)損失高達(dá)5000萬元/日。行業(yè)測(cè)算表明，每投入1元檢漏設(shè)備成本，可產(chǎn)生8.3元的綜合效益。 五、技術(shù)演進(jìn)：智能化與系統(tǒng)集成新一代設(shè)備正融合AI算法與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)，如皖儀科技的iLeak云平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)檢漏儀數(shù)據(jù)聯(lián)動(dòng)分析，泄漏定位精度提升至0.1mm級(jí)。Pfeiffer推出的ASM 560系列集成機(jī)器學(xué)習(xí)模塊，可自動(dòng)識(shí)別虛警信號(hào)，使誤報(bào)率從5%降至0.3%。行業(yè)專家預(yù)測(cè)，2026年后具備自診斷功能的智能檢漏系統(tǒng)將覆蓋80%的12英寸晶圓產(chǎn)線。 隨著3D封裝、碳化硅功率器件等新技術(shù)普及，氦質(zhì)譜檢漏技術(shù)將持續(xù)突破物理極限。國內(nèi)外廠商競相研發(fā)基于量子傳感器的第三代檢漏儀，目標(biāo)在2030年前實(shí)現(xiàn)10-15 Pa·m3/s的分子級(jí)泄漏檢測(cè)，為半導(dǎo)體制造構(gòu)筑更堅(jiān)固的質(zhì)量防線。
152人看過
科學(xué)實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)建設(shè)
星載成像光譜技術(shù)監(jiān)測(cè)
電子順磁共振（EPR）技術(shù)
材料科學(xué)分析技術(shù)
自動(dòng)注射系統(tǒng)
全高清數(shù)碼顯微鏡VE CAM
神經(jīng)損傷模型研究方法
塑料瓶蓋扭力儀
光譜信息預(yù)測(cè)性狀
電子液位傳感器
OES金屬分析儀
微電腦控制
3D打印技術(shù)
化學(xué)分析儀器
MH4050型動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)儀
外部開放式實(shí)驗(yàn)裝置
RoHS分析儀
太陽輻射測(cè)量傳感器
大中小型X光機(jī)
丹納赫中國生命科學(xué)平臺(tái)
在線測(cè)試系統(tǒng)
雙室反應(yīng)光電反應(yīng)
監(jiān)測(cè)實(shí)驗(yàn)室儀器
靜態(tài)圖像捕捉
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）
微焦斑XRF鍍層分析儀
生物安全采樣工作站
確調(diào)控磁性薄膜
內(nèi)分泌干擾物
X射線光電子能譜儀
鋰離子電池（LIB）
多普勒電泳光散射
無機(jī)電極材料
自動(dòng)對(duì)中系統(tǒng)
液相實(shí)驗(yàn)室廢液桶收集密閉安全蓋
GC-IMS技術(shù)