半導(dǎo)體器件iv曲線測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)
?   性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。

?   靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量，更準(zhǔn)確的低內(nèi)阻量測(cè);集成線性階梯掃描、對(duì)數(shù)階梯掃描、自定義掃描等模式;專(zhuān)業(yè)l-V特性及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件。

?   易學(xué)實(shí)用-簡(jiǎn)化了如I-V和l-t/V-t曲線等各種應(yīng)用的測(cè)量準(zhǔn)備工作。電容式觸摸屏圖形用戶界面(GUI),提供圖形化和數(shù)字化兩種測(cè)量結(jié)果顯示模式，便于使用和查看。

多合一高精密SMU，簡(jiǎn)化測(cè)量

    傳統(tǒng)的半導(dǎo)體I-V特性測(cè)量方案通常是復(fù)雜且成本昂貴的，需要多種儀器配合完成測(cè)試，對(duì)不同儀器進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，既復(fù)雜又耗時(shí)，還需占用大量測(cè)試臺(tái)空間。

S系列數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)允許其使用作為波形發(fā)生器、以及自動(dòng)電流-電壓(I-V)表征系統(tǒng)。極大縮短測(cè)試系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)、建立和維護(hù)的時(shí)間，同時(shí)節(jié)省測(cè)試架或測(cè)試臺(tái)的寶貴“空間”，降低購(gòu)買(mǎi)測(cè)試系統(tǒng)的整體成本。

四象限工作，可以作為源或負(fù)載

電源象限是指以電源輸出電壓為X軸、輸出電流為Y軸形成的象限圖。D一、三象限即電壓電流同向，源表對(duì)其它設(shè)備供電，稱(chēng)為源模式；第二、四象限即電壓電流反向，其它設(shè)備對(duì)源表放電，源表被動(dòng)吸收流入的電流，且可為電流提供返回路徑，稱(chēng)為阱模式。      

與傳統(tǒng)矩陣電源不同，S系列源表在同等功率下，客戶可根據(jù)實(shí)際需求，選擇大電壓小電流或小電壓大電流輸出。選擇的量程不同，S系列源表的源/阱極限也有區(qū)別。

源限度-電壓源:

士10V(≤3A量程)，土30V (≤1A量程),士300V    (≤100mA量程)

源限度-電流源:

土3(≤10V量程)，土1A(≤30V量程)，士100mA   (≤300V量程)

輕松滿足常用的測(cè)量需求

  觸摸屏幕上的任意圖標(biāo)，就會(huì)出現(xiàn)圖像化設(shè)置屏幕。在測(cè)量前按照向?qū)е鹨辉O(shè)置，操作更直觀。

提供的應(yīng)用程序

- 序列掃描

- 自定義序列

-  數(shù)據(jù)記錄儀：持續(xù)輸出恒壓源測(cè)試模式；持續(xù)輸出恒流源測(cè)試模式

- APD管

- 晶體管：MOSFET管測(cè)試；三極管測(cè)試

- LIV：PIN管掃描測(cè)試

-  Gummer：雙臺(tái)源表使用同樣參數(shù)進(jìn)行掃描

應(yīng)用領(lǐng)域：

分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SiC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試：LED/AMOLED、太陽(yáng)能、電池、DC/DC轉(zhuǎn)換器；
傳感器特性測(cè)試：電阻率、霍爾效應(yīng)等；
有機(jī)材料特性測(cè)試：電子墨水、印刷電子技術(shù)等；
納米材料特性測(cè)試：石墨烯、納米線等；
激光器特性測(cè)試：窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)；
功率器件：靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)；
電流傳感器：動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)；

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