隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測(cè)試，施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試，普賽斯儀表PMST系列功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)主要測(cè)試指標(biāo)如下

系統(tǒng)組成 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。              

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴(kuò)展到12kV，且自帶漏電流測(cè)量功能。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測(cè)試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測(cè)試，頻率默認(rèn)1MHz，可擴(kuò)展至10MHz

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；  
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元；
測(cè)試效率高：可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測(cè)試；
兼容多種封裝：根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具；