- 2026-01-20 17:18:45半導(dǎo)體材料
- 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間,電導(dǎo)率隨溫度、光照、雜質(zhì)等因素變化。常見材料有硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)等。是現(xiàn)代電子工業(yè)基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于集成電路、光電子器件、太陽能電池等領(lǐng)域。特性使其成為制作晶體管、二極管等電子元件的關(guān)鍵??萍歼M步推動對半導(dǎo)體材料性能要求提高,新型半導(dǎo)體材料研發(fā)和應(yīng)用成為熱點。
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半導(dǎo)體材料資訊
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- 熱門半導(dǎo)體材料砷化鎵應(yīng)用揭秘
- GaAs具備許多優(yōu)異的特性,其應(yīng)用也十分廣泛,具體大致可以分為RF(射頻), PHOTONICS(光電子), LED(發(fā)光二極管)和PV(光伏發(fā)電)四大領(lǐng)域。
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- 報計劃指南|半導(dǎo)體材料表征技術(shù)推薦
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對國民經(jīng)濟有著重要的作用,而半導(dǎo)體材料支撐著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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- 會議邀請:2022年第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場研討會
- 半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。
半導(dǎo)體材料文章
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- 深度專訪 | 華中科技大學(xué)馮哲川教授:科研使命與國家夢想的結(jié)合
- 近期, 北京卓立漢光儀器有限公司董磊副總經(jīng)理攜團隊前往華中科技大學(xué)采訪馮哲川教授。馮教授分享了他對科研成果產(chǎn)業(yè)化的獨到見解以及科技前沿的無限可能。
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- TSDC熱激勵去極化電流系統(tǒng)
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- DSR旋轉(zhuǎn)圓盤電極在半導(dǎo)體材料碳化硅電沉積研究應(yīng)用介紹
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半導(dǎo)體材料產(chǎn)品
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半導(dǎo)體材料問答
- 2022-10-30 16:48:50報計劃指南|半導(dǎo)體材料表征技術(shù)推薦
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- 2021-08-30 17:14:54絕緣材料、導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料的電阻值有什么不同
- 通常絕緣材料電阻值>106Ω,半導(dǎo)體材料電阻值在10-3Ω-105Ω,導(dǎo)體材料的電阻值<10-4Ω,絕緣、半導(dǎo)體、導(dǎo)體三種材料的測試方法不同,需要有專業(yè)的測試儀器,如:北京冠測儀器公司GEST系列-體積表面電阻測試儀,導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測試儀絕緣材料電阻率測試儀主要用于測試絕緣材料的絕緣電阻、體積電阻及表面電阻值,本儀器是一臺通用試驗儀器,只要不超過主機的測試量程,都可以測試,配備不同的電極,適用于橡膠、塑料、薄膜、及粉體、液體、及固體和膏體形狀的各種絕緣材料體積和表面電阻值的測定半導(dǎo)電橡塑電阻測試儀主要用于測 量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻,也可使用四端子測試夾,對金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進行測量
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- 2020-07-07 11:48:39吉時利源表在半導(dǎo)體材料的應(yīng)用案例
- 四探針法是目前測試半導(dǎo)體材料電阻率的常用方法,因為此法設(shè)備簡單、操作方便、測量精度高且對樣品形狀無嚴格要求。1、 四探針法測試系統(tǒng)需要哪些設(shè)備?今天給大家介紹的四探針法測試系統(tǒng)主要由吉時利源表、四探針臺和上位機軟件組成。四探針可以通過前面板香蕉頭或后面板排線接口連接到源表上。吉時利源表智能觸屏界面提供I-V示圖功能精度高:提供正向/反向電流換向測試,可以通過電流換向消除熱電勢誤差影響,提高測量精度值靈活性好:探針臺具備粗/細兩級高度調(diào)整,細微調(diào)整時,高度分辨率高達 2 微米,精密控制探針頭與被測物之間的距離,防止針頭對被測物的損害以上內(nèi)容由西安安泰測試整理,如想了解吉時利源表更多應(yīng)用,歡迎咨詢安泰測試網(wǎng)。
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- 2023-07-25 10:40:14半導(dǎo)體和鈣鈦礦材料的高光譜(顯微)成像
- 目前在光伏業(yè)界,正在進行一項重大努力,以提高光伏和發(fā)光應(yīng)用中所用半導(dǎo)體的效率并降低相關(guān)成本。這就需要探索和開發(fā)新的制造和合成方法,以獲得更均勻、缺陷更少的材料。無論是電致還是光致發(fā)光,都是實現(xiàn)這一目標的重要工具。通過發(fā)光可以深入了解薄膜內(nèi)部發(fā)生的重組過程, 而無需通過對完整器件的多層電荷提取來解決復(fù)雜問題。HERA高光譜照相機是繪制半導(dǎo)體光譜成像的理想設(shè)備,因為它能夠快速、定量地繪制半導(dǎo)體發(fā)射光譜圖,且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。硅太陽能電池的電致發(fā)光光譜成像光伏設(shè)備中的缺陷會導(dǎo)致光伏產(chǎn)生的載流子發(fā)生重組,阻礙其提取并降低電池效率。電致發(fā)光光譜成像可以揭示這些有害缺陷的位置和性質(zhì)。"反向"驅(qū)動太陽能電池(即施加電流)會產(chǎn)生電致發(fā)光,因為載流子在電極上被注入并在有源層中重新結(jié)合。在理想的電池中,所有載流子都會發(fā)生帶間重組,這在硅中會產(chǎn)生1100 nm附近的光(效率非常低)。然而,晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷會產(chǎn)生其他不利的重組途徑。雖然這些過程通常被稱為"非輻射"重組,但偶爾也會產(chǎn)生光子,其能量通常低于帶間發(fā)射。捕獲這些非常罕見的光子可以了解缺陷的能量和分布。在本實驗中,我們使用了HERA SWIR (900-1700 nm),它非常適合測量硅發(fā)光衰減。測量裝置如圖1所示:HERA安裝在三腳架上,在太陽能電池上方,連接到一個10A的電源。640×512像素的傳感器安裝在樣品上方75厘米處,空間分辨率約為250微米。圖1. 實驗裝置最重要的是,HERA光學(xué)系統(tǒng)沒有輸入狹縫,因此光通量非常高,是測量極微弱光發(fā)射的理想選擇。圖2.A和2.B顯示了兩個波長的電致發(fā)光(EL)圖像:1150 nm(帶間發(fā)射)和1600 nm(缺陷發(fā)射),這是4次掃描的平均值(總采集時間:5分鐘)。通過分析這些圖像,我們可以看到,盡管缺陷區(qū)域的亮度遠低于主發(fā)射區(qū)域,但它們?nèi)员磺逦胤直娉鰜?。此外,具有強缺陷發(fā)射的區(qū)域的帶間發(fā)射相對較弱。我們可以注意到有幾個區(qū)域在兩個波長下都是很暗的;這可能是由于樣品在運輸過程中損壞了電池造成的。圖2.C中以對數(shù)標尺顯示了小方塊感興趣區(qū)域(圖2A和2B中所示)的光譜。圖 2.A 和 B:兩個選定波長(1150 nm 和 1600 nm)的電致發(fā)光(EL)圖像。C:A和B中三個不同區(qū)域?qū)?yīng)的電致發(fā)光光譜(圖像中的彩色方框)。金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的光致發(fā)光顯微研究通過旋涂等技術(shù)含量低、成本效益高的方法,可以制造出非常高效的太陽能電池和LED。這些方法面臨的一個挑戰(zhàn)是在微觀長度的尺度上保持均勻的成分。光致發(fā)光顯微鏡是表征這種不均勻性的一個特別強大的工具。HERA高光譜相機可以連接到任何顯微鏡(正置或倒置)的c-mount相機端口,并直接開始采集高光譜數(shù)據(jù),無需任何校準程序。圖3. 與尼康LV100直立顯微鏡連接的HERA VIS-NIR。在本實驗中,我們使用HERA VIS-NIR(400-1000 nm)耦合到尼康LV100直立顯微鏡(圖3)來表征兩種鹵化物前驅(qū)體合金的帶隙分布。將兩種鹵化物前驅(qū)體合金化的優(yōu)點是能夠調(diào)整材料的帶隙;然而,這兩種成分經(jīng)常會發(fā)生逆混合,從而導(dǎo)致性能損失。本實驗的目的是檢測這種逆混合現(xiàn)象:事實上,混合比的局部變化會改變局部帶隙,從而導(dǎo)致發(fā)射不同能量的光子。在這種配置中,激發(fā)光來自汞燈,通過帶通濾光片在350 nm處進行濾光,并通過發(fā)射路徑上的二向色鏡將其從相機中濾除。HERA的高通量使其能夠在大約1分鐘的測量時間內(nèi)收集完整的數(shù)據(jù)立方體(130萬個光譜)。圖4.樣品的光譜綜合強度圖(A:全尺寸;B:放大)。圖4.A和4.B分別顯示了所有波長(400-1000 nm)總集成信號的全尺寸和放大圖像,揭示了長度尺度在1 μm左右的明亮特征。當我們比較亮區(qū)和暗區(qū)的光譜時(圖5.B中的黑色和紅色曲線),我們發(fā)現(xiàn)暗區(qū)實際上也有發(fā)射, 不僅強度較低,而且波長中心比亮區(qū)短。事實上,光譜具有雙峰形狀,很可能與逆混合前驅(qū)體的發(fā)射相對應(yīng)。圖5.A的發(fā)射圖清楚地顯示了帶隙的這種變化。我們現(xiàn)在可以理解為什么低帶隙區(qū)域看起來更亮了--載流子可能從高帶隙區(qū)域弛豫到那里,并且在發(fā)生輻射重組之前無法返回。圖5.A:顯示平均發(fā)射波長的強度圖。B:亮區(qū)和暗區(qū)的發(fā)射光譜(正常化)。東隆科技作為NIREOS國內(nèi)總代理公司,在技術(shù)、服務(wù)、價格上都具有優(yōu)勢。如果您有任何產(chǎn)品相關(guān)的問題,歡迎隨時來電垂詢,我們將為您提供專業(yè)的技術(shù)支持與產(chǎn)品服務(wù)。
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- 2025-01-08 12:30:12氧指數(shù)測定儀什么材料
- 氧指數(shù)測定儀什么材料 氧指數(shù)測定儀是一種用于測試材料燃燒性能的設(shè)備,主要應(yīng)用于聚合物、塑料及其他易燃材料的防火性能評估。氧指數(shù)(LOI)是材料在特定環(huán)境下燃燒所需的低氧濃度,它反映了材料的耐火性和自熄性。在選擇氧指數(shù)測定儀的材料時,除了考慮設(shè)備本身的性能和穩(wěn)定性外,還需要兼顧其耐高溫、抗腐蝕等特點。因此,氧指數(shù)測定儀的材料選擇對儀器的準確性和長期穩(wěn)定性至關(guān)重要。本文將探討氧指數(shù)測定儀所采用的主要材料,分析其技術(shù)要求和應(yīng)用場景。 氧指數(shù)測定儀的主要材料 氧指數(shù)測定儀通常由多個關(guān)鍵部件構(gòu)成,每個部件的材質(zhì)選擇直接影響到設(shè)備的使用壽命和測試精度。以下是常見的幾種材料: 1. 不銹鋼 不銹鋼是氧指數(shù)測定儀中常見的外殼和主要結(jié)構(gòu)材料,特別是304和316型號的不銹鋼。其優(yōu)異的耐腐蝕性、良好的機械性能和抗高溫能力使其成為該類設(shè)備的理想選擇。由于測定過程中涉及高溫環(huán)境,不銹鋼的耐熱性和耐氧化性能能夠有效保證儀器在長期使用中的穩(wěn)定性和可靠性。 2. 鋁合金 鋁合金主要用于氧指數(shù)測定儀的部分輕型結(jié)構(gòu)件,因其輕便、強度適中,且能夠承受一定的溫度變化。鋁合金的成本相對較低,且加工性能良好,因此被廣泛應(yīng)用于一些對重量有要求的設(shè)備部分。 3. 高溫陶瓷 高溫陶瓷材料廣泛應(yīng)用于氧指數(shù)測定儀中的火焰?zhèn)鞲衅鳌⒓訜嵩盃t體部分。由于其能夠承受極高的溫度,并且不易受氧化或腐蝕,因此在高溫燃燒環(huán)境下尤為重要。常見的高溫陶瓷材料如氧化鋁、硅酸鋁等,不僅能夠提供準確的測試數(shù)據(jù),還具有較長的使用壽命。 4. 石英玻璃 石英玻璃材料常用于氧指數(shù)測定儀中的透明窗口,作為觀察測試過程和火焰穩(wěn)定性的觀測通道。石英玻璃耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性強、透光性好,能夠在高溫燃燒過程中保持良好的視野,確保操作者可以實時觀察到樣品的燃燒狀態(tài)。 5. 鎢合金 鎢合金因其優(yōu)異的高溫強度和高熔點,在一些高端氧指數(shù)測定儀中用于高溫測試區(qū)域,尤其是在需要承受極端高溫條件下的實驗中。鎢合金在高溫下能保持良好的機械性能,因此被用作一些特殊結(jié)構(gòu)部件,如加熱元件的保護材料。 材料選擇的影響因素 氧指數(shù)測定儀的材料選擇不僅僅取決于性能需求,還與生產(chǎn)成本、儀器的使用環(huán)境和預(yù)期壽命等因素緊密相關(guān)。例如,長期高溫測試可能需要選擇更耐高溫的材料,而需要頻繁拆卸和維修的部件則應(yīng)考慮選擇耐磨損、易于清潔的材料。材料的熱膨脹系數(shù)也是選擇時的重要參考因素,因為溫差可能導(dǎo)致儀器出現(xiàn)誤差或損壞。 專業(yè)總結(jié) 氧指數(shù)測定儀作為一款精密的測試設(shè)備,對材料的要求極為嚴格。每種材料的選擇都必須滿足高溫、耐腐蝕、強度以及抗氧化等多重性能要求。常用材料如不銹鋼、鋁合金、高溫陶瓷、石英玻璃和鎢合金各具優(yōu)勢,合理搭配這些材料,可以確保氧指數(shù)測定儀在不同使用環(huán)境下的度和穩(wěn)定性。了解和掌握這些材料的性能特征是設(shè)計和使用氧指數(shù)測定儀的關(guān)鍵,能夠為材料的燃燒性能測試提供更為可靠的保障。
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