分子束外延系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用的分析儀器。

近十幾年來在半導(dǎo)體工藝中發(fā)展起來的一項(xiàng)新技術(shù)包括分子束外延技術(shù)，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把構(gòu)成晶體的各個(gè)組分和予摻雜的原子(分子)，通過一定的熱運(yùn)動(dòng)速度，根據(jù)一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進(jìn)行晶體外延生長(zhǎng)而對(duì)單晶膜進(jìn)行制備的一種方法。簡(jiǎn)稱為MBE法。

分子束外延技術(shù)的發(fā)展

自20世紀(jì)60年代末，基于真空蒸鍍使得分子束外延產(chǎn)生，有著非?？焖俚陌l(fā)展，其中之一即為將氣態(tài)的分子束源引入，使得所謂化學(xué)束外延(CBE)構(gòu)成。InGaAsP等四元材料采用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長(zhǎng)或者往分子束源引入金屬有機(jī)化合物使得所謂金屬有機(jī)化合物分子束外延(MOMBE)形成。此兩項(xiàng)技術(shù)即為結(jié)合MBE和發(fā)展很快的金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)技術(shù)，使MBE的生長(zhǎng)和控制能力得到進(jìn)一步的改進(jìn)。結(jié)合分子束外延和脈沖激光，使得所謂激光分子束外延(L-MBE)技術(shù)發(fā)展成功。然而其為采用激光照射靶來對(duì)分子(原子)束源加以替代，使得精確的控制蒸發(fā)過程實(shí)現(xiàn)起來更加的容易。使得相較于常規(guī)分子束外延更加廣闊的應(yīng)用前景被顯示了。

分子束外延可能的應(yīng)用領(lǐng)域：

熔點(diǎn)較低以及揮發(fā)性較強(qiáng)的多元化合物半導(dǎo)體薄膜為外延生長(zhǎng)所含有，為了在隙寬度方面的調(diào)節(jié)方面具有優(yōu)勢(shì)，需要對(duì)化合物成分進(jìn)行精確地調(diào)整。

在歲多元金屬間化合物、亞穩(wěn)態(tài)材料方面的研究和發(fā)展，激光分子束外延所具有的應(yīng)用前景相當(dāng)?shù)膹V。

特殊層狀晶體結(jié)構(gòu)的新型材料通過人工合成所具有，對(duì)新型高溫超導(dǎo)體或具有特殊性質(zhì)的新材料進(jìn)行探索。