荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)
美國Neocera PLD 脈沖激光沉積系統(tǒng) P180 & PED 脈沖電子束沉積系統(tǒng) PED-18
美國Neocera PLD 脈沖激光沉積系統(tǒng) P180 & PED 脈沖電子束沉積系統(tǒng) PED-18
德國Sentech ALD實時監(jiān)測儀
德國Sentech ALD實時監(jiān)測儀
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)
產(chǎn)品描述：荷蘭TSST公司提供專業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。
荷蘭Twente Solid State Technology BV（TSST）公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD），以及相關(guān)薄膜制備解決方案，公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗。
TSST與世界Z大的納米與微系統(tǒng)技術(shù)研究中心之一荷蘭Twente大學(xué)MESA+ Institute保持著密切合作，開發(fā)出各種脈沖激光沉積技術(shù)中需要使用的核心技術(shù)。
脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。
激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術(shù)。
在高氧氣壓力環(huán)境下實現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控，曾是RHEED分析的一個重要難題，TSST第一個提出差分抽氣的方式實現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的發(fā)明人，在系統(tǒng)制造和RHEED的使用，以及結(jié)果分析方面，有豐富的經(jīng)驗。
選件
脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。
應(yīng)用領(lǐng)域：
單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）
壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）
鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）
熱電薄膜（SrTiO3）
金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）
半導(dǎo)體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）
高K介質(zhì)薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）
超導(dǎo)薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）
光波導(dǎo)，光學(xué)薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）
超疏水薄膜（PTFE）
紅外探測薄膜（V2O5，PZT）
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已咨詢87次脈沖激光沉積系統(tǒng)
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已咨詢949次真空鍍膜及刻蝕設(shè)備
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已咨詢234次沉積設(shè)備
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已咨詢387次日本Seinan
●樣品尺寸：４英寸基片向下兼容 ●10個源爐接口，其他數(shù)量可定制 ●具有快速進(jìn)樣及傳樣的特點；最多暫存5片樣品，其他數(shù)量可定制 ●兼容SPM、RHEED、QCM、BFM等多種原位生長表征和監(jiān)測手段 ●全自動化生長系統(tǒng)，可對各腔體真空泵實施操作、可控制各互聯(lián)腔體插板閥、可進(jìn)行工藝編程及實時監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)；19寸觸控式總控屏幕 ●集成化水電氣模塊，便于后期維護(hù)
全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等。
激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀(jì)90年代發(fā)展起來的一種新型高精密制膜技術(shù)，它集PLD的制膜特點和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位實時監(jiān)控為一體，除保持了PLD方法制備的膜系寬，還可以生長通常的半導(dǎo)體超晶格材料，特別適合生長多元素、高熔點、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜，如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機(jī)高分子等。
獨立的MAPLE PLD系統(tǒng)。 有機(jī)和聚合物薄膜的沉積。 在同一室的附加沉積源(可選):脈沖電子沉積(PED)、射頻/直流濺射和直流離子源。 負(fù)載鎖定基底階段。 與XPS分析系統(tǒng)集成，晶片就地從PLD系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到分析系統(tǒng)
OCTOPLUS 400 是一款通用型MBE系統(tǒng)，非常適合于III/V族， II/VI族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計，可以裝配各種源爐，實現(xiàn)不同材料分子束外延生長。
OCTOPLUS 500 MBE系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的III/V族或者II-VI族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)專業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的OCTOPLUS 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)，脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術(shù)。
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