分子束外延系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用的分析儀器。

近十幾年來在半導(dǎo)體工藝中發(fā)展起來的一項新技術(shù)包括分子束外延技術(shù)，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把構(gòu)成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，通過一定的熱運動速度，根據(jù)一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進(jìn)行晶體外延生長而對單晶膜進(jìn)行制備的一種方法。簡稱為MBE法。

分子束外延系統(tǒng)主要功能

基于傳統(tǒng)的分子束外延（MBE）和脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）發(fā)展出來了激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）。脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）結(jié)合對原位監(jiān)測進(jìn)行提供的反射高能電子衍射儀（RHEED），使得與分子束外延系統(tǒng)（（MBE）類似的單原子層精度的薄膜生長得以實現(xiàn)。與分子束外延系統(tǒng)（（MBE）的熱蒸發(fā)相比較，其為通過脈沖激光的高能量蒸發(fā)甚至電離材料，所以被叫做激光分子束外延系統(tǒng)（LaserMBE）。激光分子束外延系統(tǒng)（LaserMBE）屬于高端薄膜制備設(shè)備，對于各種納米尺度的單層膜或多層膜的生長十分適用。

分子束外延系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

超高真空沉積腔體，本底真空比10-9mbar要好，能夠與如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等多種薄膜制備以及表面分析設(shè)備集成。能夠利用軟件對工藝流程進(jìn)行編寫，自動執(zhí)行系統(tǒng)，能夠使多層膜的自動化生長得以實現(xiàn)。將原位監(jiān)測的RHEED提供給激光分子束外延系統(tǒng)的電子槍一般需要在較高的真空環(huán)境下進(jìn)行工作（低于10-6mbar），然而在成膜過程中，較高的工藝壓力一般為LMBE系統(tǒng)所需要。