分子束外延系統(tǒng)為一種在物理學、化學、材料科學領域應用的分析儀器。

近十幾年來在半導體工藝中發(fā)展起來的一項新技術包括分子束外延技術，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，通過一定的熱運動速度，根據一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進行晶體外延生長而對單晶膜進行制備的一種方法。簡稱為MBE法。

分子束外延發(fā)展

遷移增強外延技術（MEE）和氣源分子束外延（GS-MEE）技術隨著MBE技術的發(fā)展得以出現。自1986年問世以來，MEE技術的發(fā)展非常迅速

在砷化鎵的MBE過程中，在鎵原子到達表面以后不能夠馬達和砷原子發(fā)生表面反應生長砷化鎵層，而是在襯底表面使鎵原子保持一個較長的距離，使得表面臺階處成核生長達到。其在非常低的溫度下（200攝氏度），也可以將高質量的外延層生長出來，對于鎵和砷的束流強度的控制為較為關鍵的問題，不然會對表面的質量有所影響。氣源遷移增強外延在近年來出現了.新的工藝研究方向為硅基低維材料的制作開辟了.為了對難以控制難以控制的問題發(fā)展氣源MBE技術.發(fā)展起了氣源MBE技術MBE方法生長InP系的主要困難通過繼續(xù)對固態(tài)IV族元素和雜質源加以采用,再用砷烷和磷烷作為V族元素源來加以解決.