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透射電鏡

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冷凍蝕刻透射電鏡的特點(diǎn)及應(yīng)用

更新時(shí)間:2025-10-22 23:08:19 類型:教程說明 閱讀量:4580
導(dǎo)讀:冷凍蝕刻技術(shù)是從50年代開始發(fā)展起來的一種將斷裂和復(fù)型相結(jié)合的制備透射電鏡樣品技術(shù),亦稱冷凍斷裂或冷凍復(fù)型,用于細(xì)胞生物學(xué)等領(lǐng)域的顯微結(jié)構(gòu)研究。

  冷凍蝕刻技術(shù)是從50年代開始發(fā)展起來的一種將斷裂和復(fù)型相結(jié)合的制備透射電鏡樣品技術(shù),亦稱冷凍斷裂或冷凍復(fù)型,用于細(xì)胞生物學(xué)等領(lǐng)域的顯微結(jié)構(gòu)研究。

冷凍蝕刻透射電鏡的特點(diǎn)

  冷凍蝕刻透射電鏡的優(yōu)點(diǎn):①樣品通過冷凍,可使其微細(xì)結(jié)構(gòu)接近于活體狀態(tài);②樣品經(jīng)冷凍斷裂蝕刻后,能夠觀察到不同劈裂面的微細(xì)結(jié)構(gòu),進(jìn)而可研究細(xì)胞內(nèi)的膜性結(jié)構(gòu)及內(nèi)含物結(jié)構(gòu);③冷凍蝕刻的樣品,經(jīng)鉑、碳噴鍍而制備的復(fù)型膜,具有很強(qiáng)的立體感且能耐受電子束轟擊和長(zhǎng)期保存。

  冷凍蝕刻透射電鏡的缺點(diǎn):冷凍也可造成樣品的人為損傷;斷裂面多產(chǎn)生在樣品結(jié)構(gòu)Z脆弱的部位,無法有目的地選擇。

透射電鏡.jpg

冷凍蝕刻透射電鏡的使用方法

  冷凍蝕刻透射電鏡操作方法按以下步驟進(jìn)行:

  1、預(yù)處理:取新鮮組織塊,大小為1.5~3~5mm,用2.5%戊二醛固定1~3小時(shí)。為防止冰晶形成,用30%甘油生理鹽水浸泡8~12小時(shí)。

  2、冷凍斷裂:是在冷凍條件下使樣品變得又硬又脆,用刀劈裂樣品,暴露觀察面。因?yàn)槭怯玫杜训臉悠?,斷裂往往發(fā)生在細(xì)胞被凍結(jié)后較脆弱的部位,多數(shù)是沿細(xì)胞及細(xì)胞器的膜裂開。由于斷裂面是凸凹不平的,所以圖像立體感強(qiáng)。冷凍斷裂時(shí),刀的作用在于劈裂,而不是切割,所以刀刃不必鋒利,但不能有缺口、油污和水份,還需保持清潔干燥。冷凍復(fù)型的斷裂操作要在真空中進(jìn)行,是因?yàn)檎婵諏?duì)熱傳導(dǎo)性差,能使樣品較長(zhǎng)時(shí)間維持在較恒定溫度下進(jìn)行斷裂操作,同時(shí)也便于進(jìn)行下步的蝕刻處理。

  3、蝕刻:就是在真空中使冷凍樣品表面上的冰升華。目的是為了暴露出樣品斷裂面上的超微結(jié)構(gòu),便于噴鍍。一般認(rèn)為Z佳蝕刻深度約為30nm。若蝕刻深度不夠,結(jié)構(gòu)被冰掩蓋不能充分暴露出來,圖像模糊;若蝕刻深度過大,超微結(jié)構(gòu)因其基礎(chǔ)支持不足而倒塌,從而破壞了超微結(jié)構(gòu)。蝕刻深度是由蝕刻速度和蝕刻時(shí)間決定的,而蝕刻速度是受真-3-4-5-6空度、溫度、水蒸汽壓所影響。

  4、噴鍍:即在樣品斷裂面上噴鍍一層鉑膜及碳膜。鉑膜厚度為2~5nm。為使圖像具有立體感,噴鉑的方向與樣品成45度角。為加固鉑膜強(qiáng)度,再噴鍍一層碳,噴碳的方向與樣品面成90度角。

  5、剝離:清洗噴鍍后,將樣品取出放入10~30%次氯酸鈉腐蝕液中,樣品漸冒氣泡并與復(fù)型膜分離。隨后用蒸餾水仔細(xì)清洗復(fù)型膜。

  6、撈膜:將清洗后的復(fù)型膜撈在不加支持膜的400目載網(wǎng)上,待干后冷凍蝕刻透射電鏡觀察。

冷凍蝕刻透射電鏡的應(yīng)用

  一、冷凍蝕刻表面標(biāo)記免疫電鏡技術(shù)

 ?、傩迈r或固定的細(xì)胞進(jìn)行直接法或間接法免疫標(biāo)記。

  ②PBS(pH7.5)沖洗3min×2,加入1mmol/lMgCl2蒸餾水洗洗3min×3,離心沉集細(xì)胞。

 ?、蹖⒓?xì)胞團(tuán)置于小紙板上,入液氮冷卻的Freon中,取出入冷凍蝕刻儀中進(jìn)行斷裂操作,再于-100℃蝕刻1min。

 ?、苤谱鰯嗔衙鎻?fù)型。

  ⑤再次氯酸鈉清洗復(fù)型,蒸餾水洗后進(jìn)行觀察。

  本法可顯示斷裂暴露的PF位于ZY,周圍則是蝕刻后露出來的ES,標(biāo)記物只出現(xiàn)在ES上。

透射電鏡.jpg

  二、斷裂-標(biāo)記免疫電鏡技術(shù)

  此法是先進(jìn)行冷凍斷裂,再做免疫標(biāo)記,從而可以對(duì)斷裂開的各種膜結(jié)構(gòu)及胞漿斷面進(jìn)行標(biāo)記。

  1、臨界點(diǎn)干燥法

 ?、俟潭ǎ?.0%~2.5%戊二醛PBS液4℃1~2h,PBS沖洗3min×3。如為細(xì)胞懸液,可加入30%BSA后加入1%戊二醛,使BSA凝膠化,將凝膠切成2mm左右的小塊,用30%的甘油—PBS浸透后置于用液氮冷卻的Freon中冷卻。

  ②冷凍斷裂,將冰凍的凝膠小塊放在盛有液氮的培養(yǎng)皿中,培養(yǎng)皿放置于二氧化碳—液氮槽中,用預(yù)冷的解剖刀切割凝膠小塊進(jìn)行冷凍斷裂。

 ?、劢鈨觯盟閴K于30%甘油—1%戊二醛磷酸緩沖液中解凍。

 ?、苤脫Q甘油,放入1mmol/l氨基乙酰甘氨酸磷酸液去甘油,PBS沖洗,3min×2。

 ?、菝庖邩?biāo)記。

 ?、?%鋨酸,室溫固定30min。

  ⑦系列梯度乙醇脫水,臨界點(diǎn)干燥,噴鍍鉑—碳膜,次氯酸鈉清洗復(fù)型,蒸餾水洗,撈于有Formvar膜銅網(wǎng)上冷凍蝕刻透射電鏡觀察。

  2、超薄切片法

  步驟:①至⑤同臨界點(diǎn)干燥法。

  ⑥1%鋨酸,室溫固定2h,系列酒精或丙酮脫水,常規(guī)電鏡包埋。

 ?、咔邪氡∑?,光鏡定位合適的斷裂部位,再切超薄切片,鈾鉛染色,冷凍蝕刻透射電鏡觀察。


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