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利用掃描電鏡觀察氫氧化鉀蝕刻制備的硅微觀結(jié)構(gòu)

本文由 復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司 整理匯編

2018-08-22 10:00 736閱讀次數(shù)

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氫氧化鉀蝕刻(KOH)是制造微型器件的一個(gè)重要工藝,用于從硅片上去除材料。選擇性地蝕刻硅片的某些部分,用一層二氧化硅或掩膜來(lái)保護(hù)剩下的部分。然而,殘留物的存在成為這種技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn),因?yàn)樗鼤?huì)對(duì)器件的制造過(guò)程產(chǎn)生負(fù)面影響。在這篇博客中,我們提出了一種利用蝕刻殘留物的方法,將其作為后續(xù)蝕刻的掩膜,以制造兩層微結(jié)構(gòu)。我們還提供了如何有效地利用掃描電鏡SEM對(duì)這些微結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的例子。KOH化學(xué)硅蝕刻技術(shù)蝕刻是微加工中一個(gè)非常重要和關(guān)鍵的過(guò)程,在此過(guò)程中,材料通過(guò)蝕刻劑在硅片表面進(jìn)行化學(xué)去除。蝕刻有兩種:濕蝕刻,蝕刻劑是液體,和干蝕刻,蝕刻劑是等離子體。干蝕刻是各向異性的,因此在蝕刻材料中形成垂直側(cè)壁,如圖1a所示。在另一方面,濕蝕刻劑通常是各向同性,這意味著蝕刻在各個(gè)方向都是均勻的,產(chǎn)生圓壁和削弱效果,如圖1b所示。KOH是一種液相蝕刻劑,在晶體平面上是各向異性的。因此,它對(duì)硅片的晶體取向很敏感,產(chǎn)生梯形截面腔,如圖1c所示。KOH蝕刻的主要缺點(diǎn)之一是殘留物的沉積,這是由蝕刻劑和被移出材料之間的相互作用所造成的:是這項(xiàng)技術(shù)Z薄弱的一點(diǎn)。圖1:生成的基體橫截面示意圖,(a)wan美各向異性的侵蝕,(b)一個(gè)完全各向同性的侵蝕,(c)一個(gè)濕蝕刻的各向異性腐蝕劑

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