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利用掃描電鏡觀察氫氧化鉀蝕刻制備的硅微觀結(jié)構(gòu)
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本文由 復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司 整理匯編
2018-08-22 10:00 736閱讀次數(shù)
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氫氧化鉀蝕刻(KOH)是制造微型器件的一個(gè)重要工藝,用于從硅片上去除材料。選擇性地蝕刻硅片的某些部分,用一層二氧化硅或掩膜來(lái)保護(hù)剩下的部分。然而,殘留物的存在成為這種技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn),因?yàn)樗鼤?huì)對(duì)器件的制造過(guò)程產(chǎn)生負(fù)面影響。在這篇博客中,我們提出了一種利用蝕刻殘留物的方法,將其作為后續(xù)蝕刻的掩膜,以制造兩層微結(jié)構(gòu)。我們還提供了如何有效地利用掃描電鏡SEM對(duì)這些微結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的例子。KOH化學(xué)硅蝕刻技術(shù)蝕刻是微加工中一個(gè)非常重要和關(guān)鍵的過(guò)程,在此過(guò)程中,材料通過(guò)蝕刻劑在硅片表面進(jìn)行化學(xué)去除。蝕刻有兩種:濕蝕刻,蝕刻劑是液體,和干蝕刻,蝕刻劑是等離子體。干蝕刻是各向異性的,因此在蝕刻材料中形成垂直側(cè)壁,如圖1a所示。在另一方面,濕蝕刻劑通常是各向同性,這意味著蝕刻在各個(gè)方向都是均勻的,產(chǎn)生圓壁和削弱效果,如圖1b所示。KOH是一種液相蝕刻劑,在晶體平面上是各向異性的。因此,它對(duì)硅片的晶體取向很敏感,產(chǎn)生梯形截面腔,如圖1c所示。KOH蝕刻的主要缺點(diǎn)之一是殘留物的沉積,這是由蝕刻劑和被移出材料之間的相互作用所造成的:是這項(xiàng)技術(shù)Z薄弱的一點(diǎn)。圖1:生成的基體橫截面示意圖,(a)wan美各向異性的侵蝕,(b)一個(gè)完全各向同性的侵蝕,(c)一個(gè)濕蝕刻的各向異性腐蝕劑
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利用掃描電鏡觀察氫氧化鉀蝕刻制備的硅微觀結(jié)構(gòu)
- 氫氧化鉀蝕刻(KOH)是制造微型器件的一個(gè)重要工藝,用于從硅片上去除材料。選擇性地蝕刻硅片的某些部分,用一層二氧化硅或掩膜來(lái)保護(hù)剩下的部分。然而,殘留物的存在成為這種技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn),因?yàn)樗鼤?huì)對(duì)器件的制造過(guò)程產(chǎn)生負(fù)面影響。在這篇博客中,我們提出了一種利用蝕刻殘留物的方法,將其作為后續(xù)蝕刻的掩膜,以制造兩層微結(jié)構(gòu)。我們還提供了如何有效地利用掃描電鏡SEM對(duì)這些微結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的例子。KOH化學(xué)硅蝕刻技術(shù)蝕刻是微加工中一個(gè)非常重要和關(guān)鍵的過(guò)程,在此過(guò)程中,材料通過(guò)蝕刻劑在硅片表面進(jìn)行化學(xué)去除。蝕刻有兩種:濕蝕刻,蝕刻劑是液體,和干蝕刻,蝕刻劑是等離子體。干蝕刻是各向異性的,因此在蝕刻材料中形成垂直側(cè)壁,如圖1a所示。在另一方面,濕蝕刻劑通常是各向同性,這意味著蝕刻在各個(gè)方向都是均勻的,產(chǎn)生圓壁和削弱效果,如圖1b所示。KOH是一種液相蝕刻劑,在晶體平面上是各向異性的。因此,它對(duì)硅片的晶體取向很敏感,產(chǎn)生梯形截面腔,如圖1c所示。KOH蝕刻的主要缺點(diǎn)之一是殘留物的沉積,這是由蝕刻劑和被移出材料之間的相互作用所造成的:是這項(xiàng)技術(shù)Z薄弱的一點(diǎn)。圖1:生成的基體橫截面示意圖,(a)wan美各向異性的侵蝕,(b)一個(gè)完全各向同性的侵蝕,(c)一個(gè)濕蝕刻的各向異性腐蝕劑[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
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2004-05-14 00:00
安裝說(shuō)明
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磁性樣品的掃描電鏡觀察與分析
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2024-09-27 23:46
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2024-09-28 01:15
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2024-09-15 16:37
標(biāo)準(zhǔn)
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利用掃描電鏡開(kāi)發(fā)新材料
- 新一代材料的技術(shù)規(guī)格使我們的生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到了一個(gè)全新水平,幫助我們創(chuàng)造出過(guò)去不可能實(shí)現(xiàn)的zhuo越產(chǎn)品。這些材料是材料科學(xué)不斷創(chuàng)新的產(chǎn)物,并且只有在復(fù)合材料的發(fā)明并將其引入工業(yè)領(lǐng)域的條件下才能實(shí)現(xiàn)。這篇文章描述了這些新材料是如何被開(kāi)發(fā)的同樣重要的是:如何分析它們的化學(xué)成分,以及它們的性能。如何開(kāi)發(fā)和保留復(fù)合材料的優(yōu)異性能某些材料具有一些優(yōu)異的性能,可以wan美地配合特定的應(yīng)用。不幸的是,有時(shí)候受環(huán)境的影響,不能輕易地使用這些材料。它們往往需要不斷的更換,減少了它們?cè)谑褂蒙纤哂械膬?yōu)勢(shì)。通過(guò)開(kāi)發(fā)多層結(jié)構(gòu),或者噴鍍涂層,這些精致的復(fù)合材料可以被有效保護(hù)并投入使用。圖1:涂覆不同材料的玻璃片[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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掃描電鏡中如何觀察含水樣品?
- 掃描電鏡(SEM)用電子束掃描樣品表面,收集攜帶電子束與樣品相互作用信息的反射電子。如果樣品倉(cāng)內(nèi)殘留有空氣,空氣原子與電子束相互作用,部分偏轉(zhuǎn)電子,并在圖像上增加噪聲。這就是掃描電鏡成像前必須達(dá)到一定真空度的原因。但是,雖然高的真空對(duì)于準(zhǔn)確的分析來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的,但它也會(huì)對(duì)某些類型的材料成像產(chǎn)生負(fù)面影響,例如含有水分的樣品。閱讀這篇博客,了解如何在掃描電鏡的真空環(huán)境中觀察對(duì)真空敏感的樣品,并保持樣品結(jié)構(gòu)完整。SEM中的真空度首先,我們來(lái)談?wù)剴呙桦婄R(SEM)中的真空度。真空度(或壓力值)可由操作者控制。對(duì)于臺(tái)式掃描電鏡,真空度在1-10帕斯卡之間。用于比較的是:大氣壓是100000帕斯卡。當(dāng)壓力降到大氣壓值以下時(shí),所有液體都會(huì)發(fā)生相變。因此所有掃描電鏡(SEM)的內(nèi)部必須采用不受高真空度影響的特殊材料。有些樣品會(huì)受到影響,并且它們的行為也會(huì)有所不同:Z敏感的是含水樣品。有內(nèi)部孔隙的樣品,或者是由含水材料制成的樣品,都可能會(huì)受到影響,因?yàn)樗鼈儠?huì)在成像過(guò)程中釋放出氣體。任何從樣品中釋放出的氣體都是成像工具的風(fēng)險(xiǎn),因?yàn)樗赡軙?huì)污染鏡筒或探測(cè)器,損害儀器的功能,或影響圖像質(zhì)量。出于這個(gè)原因,飛納臺(tái)式掃描電鏡(PhenomDesktopSEM)通常配備一個(gè)保護(hù)程序,當(dāng)檢測(cè)到突然或意外增加的壓力水平時(shí),會(huì)彈出樣品。[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
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TESCAN掃描電鏡應(yīng)用之孢子觀察
- 地球環(huán)境的急劇變化導(dǎo)致全世界植物群很多物種逐漸消失。因此,對(duì)植物的嚴(yán)密監(jiān)護(hù)很有必
要。孢子來(lái)自于山腳區(qū)的角苔類,是很重要的植物物種之一。每種植物都有自己特有的孢子結(jié)構(gòu),植物學(xué)家通過(guò)觀察植物孢子的結(jié)構(gòu)和形貌,便可確定該植物在自然界的存在情況。[詳細(xì)]
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2024-09-18 04:19
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直銷氫氧化鉀濃度計(jì)
- 直銷氫氧化鉀濃度計(jì)[詳細(xì)]
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2012-06-09 00:00
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2024-09-11 17:56
產(chǎn)品樣冊(cè)
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利用掃描電鏡全面了解樣品
- 樣品名稱鉛電池極片框架樣品類型金屬,固體是否噴金未噴金設(shè)備型號(hào)飛納臺(tái)式掃描電鏡PhenomPure+測(cè)試項(xiàng)目掃描電鏡:背散射探頭模式Topo模式3D粗糙度重建二次電子探頭能譜:EDSmapping測(cè)試目的表面鍍層質(zhì)量觀察[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
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利用JSM-7800F觀察CP加工的太陽(yáng)能電池截面
- 利用JSM-7800F觀察CP加工的太陽(yáng)能電池截面[詳細(xì)]
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2016-01-05 00:00
操作手冊(cè)
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兩種球磨技術(shù)制備Fe(Nb,Zr)合金的微觀結(jié)構(gòu)和磁性行為對(duì)比
- 通過(guò)兩種不同運(yùn)動(dòng)方式的高能球磨機(jī)(行星式和振動(dòng)式)制備出和兩種納米晶合金。分別通過(guò)X射線衍射(XRD)、差熱熱重分析(DSC)、振動(dòng)磁強(qiáng)計(jì)(VSM)等手段測(cè)定研磨粉末的微觀結(jié)構(gòu)、熱效應(yīng)和磁性行為。相對(duì)來(lái)講,研磨方式的不同會(huì)影響Z終產(chǎn)物的微觀結(jié)構(gòu)和性能。結(jié)果顯示:生成的兩種納米晶合金的主要相是體心立方結(jié)構(gòu)的Fe基固溶體,且振動(dòng)式高能球磨帶來(lái)更高的能量輸入;通過(guò)SPEX8000振動(dòng)式高能球磨機(jī)制備的納米合金發(fā)現(xiàn)次生Nb(B)相,而FritschP7行星式球磨機(jī)制備的只觀察到了少量的Zr基次生相;納米晶晶粒尺寸為9.5-15.1nm,次生相則對(duì)應(yīng)著更低的晶粒尺寸;室溫下測(cè)量矯頑力值在28.636.9Oe。[詳細(xì)]
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2018-08-17 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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實(shí)驗(yàn)室專用氫氧化鉀濃度計(jì)
- 實(shí)驗(yàn)室專用氫氧化鉀濃度計(jì)[詳細(xì)]
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2012-06-09 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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如何避免掃描電鏡觀察過(guò)程中碳沉積現(xiàn)象
- 在使用掃描電鏡進(jìn)行樣品觀察時(shí),尤其是采用二次電子模式,隨著觀察時(shí)間的延長(zhǎng),在觀察的區(qū)域會(huì)出現(xiàn)一塊黑的矩形的區(qū)域。 如下圖所示,對(duì)一塊空白的鋁制樣品臺(tái)進(jìn)行觀察時(shí),一段時(shí)間后降低放大倍數(shù),發(fā)現(xiàn)圖像中間有一明顯的黑色矩形,我們可以簡(jiǎn)單的稱這種現(xiàn)象叫做碳沉積。 [詳細(xì)]
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2020-06-30 13:24
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綜合表征聚烯烴微觀結(jié)構(gòu)的交叉分離色譜(CFC)
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2024-09-18 18:07
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超清晰成像,觀察菌落細(xì)微結(jié)構(gòu)
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2024-09-27 23:57
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徠卡 微觀結(jié)構(gòu)成分分析解決方案 DM6M LIBS產(chǎn)品樣冊(cè)
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2024-09-18 18:10
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馳奔-E系列掃描電鏡應(yīng)用-硅太陽(yáng)能電池
- 馳奔-E系列掃描電鏡應(yīng)用-硅太陽(yáng)能電池[詳細(xì)]
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2016-09-08 00:00
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