本文由 徠卡顯微系統(tǒng)(上海)貿(mào)易有限公司 整理匯編

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  2022-02-07 15:01

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  2024-09-11 17:48

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  從大塊固體到高分子材料徠卡為您提供**的電鏡制樣方案伴隨著材料科學(xué)與生物技術(shù)的迅速發(fā)展，對樣品進行微觀結(jié)構(gòu)的電子顯微學(xué)觀察逐漸成為科學(xué)研究的必備手段。為了獲得理想的電鏡觀察結(jié)果，制備優(yōu)良的掃描電鏡、透射電鏡的試樣成為至關(guān)重要的前提。徠卡顯微系統(tǒng)(LeicaMicrosystem)為廣大研究者提供了Z全面、應(yīng)用Z廣泛的電鏡樣品制備設(shè)備。較之于傳統(tǒng)的電鏡樣品制備方法，徠卡制樣系列具有效率高，智能化，易操作和多功能的特點，能夠滿足現(xiàn)代科學(xué)研究在省時省力，經(jīng)濟實惠方面的要求。詳情請來電咨詢：0371-63879113，或hnrccn#126.com。[詳細]

  2018-12-29 10:00

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  氫氧化鉀蝕刻（KOH）是制造微型器件的一個重要工藝，用于從硅片上去除材料。選擇性地蝕刻硅片的某些部分，用一層二氧化硅或掩膜來保護剩下的部分。然而，殘留物的存在成為這種技術(shù)的一個缺點，因為它會對器件的制造過程產(chǎn)生負(fù)面影響。在這篇博客中，我們提出了一種利用蝕刻殘留物的方法，將其作為后續(xù)蝕刻的掩膜，以制造兩層微結(jié)構(gòu)。我們還提供了如何有效地利用掃描電鏡SEM對這些微結(jié)構(gòu)進行成像的例子。KOH化學(xué)硅蝕刻技術(shù)蝕刻是微加工中一個非常重要和關(guān)鍵的過程，在此過程中，材料通過蝕刻劑在硅片表面進行化學(xué)去除。蝕刻有兩種:濕蝕刻，蝕刻劑是液體，和干蝕刻，蝕刻劑是等離子體。干蝕刻是各向異性的，因此在蝕刻材料中形成垂直側(cè)壁，如圖1a所示。在另一方面，濕蝕刻劑通常是各向同性，這意味著蝕刻在各個方向都是均勻的，產(chǎn)生圓壁和削弱效果，如圖1b所示。KOH是一種液相蝕刻劑，在晶體平面上是各向異性的。因此，它對硅片的晶體取向很敏感，產(chǎn)生梯形截面腔，如圖1c所示。KOH蝕刻的主要缺點之一是殘留物的沉積，這是由蝕刻劑和被移出材料之間的相互作用所造成的:是這項技術(shù)Z薄弱的一點。圖1:生成的基體橫截面示意圖，(a)wan美各向異性的侵蝕，(b)一個完全各向同性的侵蝕，(c)一個濕蝕刻的各向異性腐蝕劑[詳細]

  2018-08-22 10:00

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• 綜合表征聚烯烴微觀結(jié)構(gòu)的交叉分離色譜（CFC）

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