某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽(yáng)光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問(wèn)題.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時(shí)能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長(zhǎng)期放置透射率指標(biāo)變化過(guò)大.

NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結(jié)構(gòu)產(chǎn)品, 它生產(chǎn)效率高、隔熱性好.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.

結(jié)果表明:

實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見(jiàn)光波段的透過(guò)率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕??；全透明, 對(duì)可見(jiàn)光不敏感, 能夠大大增加元件的開(kāi)口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.

結(jié)果表明:

實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見(jiàn)光波段的透過(guò)率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕?。蝗该? 對(duì)可見(jiàn)光不敏感, 能夠大大增加元件的開(kāi)口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

沈陽(yáng)某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對(duì)其成分及表面形貌的影響.

采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜致密, 并且附著性好.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

實(shí)驗(yàn)室材料:

實(shí)驗(yàn)采用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調(diào)整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底采用石英玻璃片.

研究結(jié)果表明：

在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過(guò)調(diào)節(jié)靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分布均勻的ZnNi薄膜. 經(jīng)過(guò)600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之后的薄膜中的鋅完全蒸發(fā), 剩下的鎳薄膜呈多孔結(jié)構(gòu), 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理后薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,   檢漏儀,   質(zhì)譜儀,   真空計(jì),   美國(guó) KRI 考夫曼離子源,   美國(guó)HVA 真空閥門(mén),   美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī),   美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

國(guó)內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過(guò)高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對(duì)于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實(shí)驗(yàn)測(cè)量了樣品的超導(dǎo)參數(shù)和晶格參數(shù).

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜樣品的實(shí)驗(yàn)研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進(jìn)行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對(duì)樣品進(jìn)行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因?yàn)殄a的熔點(diǎn)低. 退火采用電爐絲.

濺射沉積的過(guò)程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對(duì)鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta₂O₅薄膜

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O5 薄膜進(jìn)行研究.

其系統(tǒng)工作示意圖如下：

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.

其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 采用伯東分子泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

運(yùn)行結(jié)果：

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題：

1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳  但是 鎳是導(dǎo)磁金屬 所以 需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm  太厚磁場(chǎng)無(wú)法穿透  濺射速率很低。

3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件  可以鍍    2 遇到容易氧化的金屬 需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。

鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD

以上是小伙伴近期問(wèn)的比較多的問(wèn)題，如果還有什么問(wèn)題歡迎咨詢。

小型濺射儀儀問(wèn)儀答

最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題：

1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳  但是 鎳是導(dǎo)磁金屬 所以 需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm 太厚磁場(chǎng)無(wú)法穿透  濺射速率很低。

3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件  可以鍍    2 遇到容易氧化的金屬 需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。

鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD

以上是小伙伴近期問(wèn)的比較多的問(wèn)題，如果還有什么問(wèn)題歡迎咨詢。