全部評(píng)論(2條)
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- 海之藍(lán)xing 2011-12-11 00:00:00
- 鍍膜速率慢，裝片數(shù)少。設(shè)備成本很高。
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- yuchenggz 2011-12-01 00:00:00
- 優(yōu)點(diǎn)：1、靶材粒子能量高（比熱蒸發(fā)高出1個(gè)數(shù)量級(jí)），所制備膜層更致密，與基板結(jié)合力更高； 2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗基板，清洗效果好； 3、易于制備熔點(diǎn)高的材料； 4、制備合金膜層，可以保證膜層材料比例與靶材相同； 5、由于裝有中和器，也可以用來制備絕緣膜層； 缺點(diǎn)：1、一般鍍膜速率較慢，幾十埃每秒； 2、離子源清理和中和器燈絲更換較頻繁； 3、不適宜制備較大面積薄膜； 除有機(jī)材料和易分解的材料，一般都可以用離子束濺射鍍膜，氧化物膜層的制備需要輔助通氧。
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- 伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜
為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O5 薄膜進(jìn)行研究.
其系統(tǒng)工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.
其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.
用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:
伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
射頻離子源型號(hào)
RFICP 380
Discharge 陽極
射頻 RFICP
離子束流
>1500 mA
離子動(dòng)能
100-1200 V
柵極直徑
30 cm Φ
離子束
聚焦
流量
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
長度
39 cm
直徑
59 cm
中和器
LFN 2000
理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào)
霍爾離子源
eH3000
eH3000LO
eH3000MOCathode/Neutralizer
HC
電壓
50-250V
50-300V
50-250V電流
20A
10A
15A散射角度
>45
可充其他
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量
5-100sccm
高度
6.0“
直徑
9.7“
水冷
可選
其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 采用伯東分子泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：
進(jìn)氣法蘭
氮?dú)獬樗?br style="box-sizing: border-box; position: relative;"/> N2,l/s
極限真空 hpa
前級(jí)泵
型號(hào)
前級(jí)泵抽速
m3/h前級(jí)真空
安全閥DN 40 ISO-KF
35
< 1X10-7
Pascal 2021
18
AVC 025 MA
運(yùn)行結(jié)果：
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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