河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.

結(jié)果表明:

實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見(jiàn)光波段的透過(guò)率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕?。蝗该? 對(duì)可見(jiàn)光不敏感, 能夠大大增加元件的開(kāi)口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

實(shí)驗(yàn)室通過(guò) XRD 和 SEM 對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析,通過(guò)紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)薄膜透過(guò)率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進(jìn)行研究.

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

通過(guò)與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見(jiàn)光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過(guò)率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過(guò)率的要求.

在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.

隨著氮?dú)饬髁康淖兓? 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時(shí), 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測(cè)器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實(shí)現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化. 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

WS2 作為一種固體潤(rùn)滑材料, 有著類似“三明治”層狀的六方晶體結(jié)構(gòu), 由于通過(guò)微弱范德華力結(jié)合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時(shí)易于滑動(dòng)而達(dá)到優(yōu)異的潤(rùn)滑效果. WS2對(duì)金屬表面吸附力強(qiáng), 且摩擦系數(shù)較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴(yán)苛環(huán)境也能保持潤(rùn)滑, 不易失效, 在航空航天領(lǐng)域有著良好的發(fā)展前景.

河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對(duì)磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和摩擦學(xué)性能的影響.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

在磁控濺射沉積薄膜的實(shí)驗(yàn)中, 工藝參數(shù)（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對(duì) WS2 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能優(yōu)良的 WS2 薄膜, 需要系統(tǒng)研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.

磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時(shí)工作氣壓過(guò)低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起輝；沉積壓力過(guò)高（>10 Pa）, 真空室內(nèi)等離子體密度高, 濺射粒子向基體運(yùn)動(dòng)中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無(wú)法到達(dá)基體表面進(jìn)行沉積.

因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個(gè)重要工藝參數(shù).

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.

結(jié)果表明:

實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見(jiàn)光波段的透過(guò)率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕??；全透明, 對(duì)可見(jiàn)光不敏感, 能夠大大增加元件的開(kāi)口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

沈陽(yáng)某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對(duì)其成分及表面形貌的影響.

采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜致密, 并且附著性好.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

實(shí)驗(yàn)室材料:

實(shí)驗(yàn)采用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調(diào)整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底采用石英玻璃片.

研究結(jié)果表明：

在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過(guò)調(diào)節(jié)靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分布均勻的ZnNi薄膜. 經(jīng)過(guò)600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之后的薄膜中的鋅完全蒸發(fā), 剩下的鎳薄膜呈多孔結(jié)構(gòu), 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理后薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,   檢漏儀,   質(zhì)譜儀,   真空計(jì),   美國(guó) KRI 考夫曼離子源,   美國(guó)HVA 真空閥門(mén),   美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī),   美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性. 該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖莾?yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對(duì)退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

國(guó)內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過(guò)高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對(duì)于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實(shí)驗(yàn)測(cè)量了樣品的超導(dǎo)參數(shù)和晶格參數(shù).

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜樣品的實(shí)驗(yàn)研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進(jìn)行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對(duì)樣品進(jìn)行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因?yàn)殄a的熔點(diǎn)低. 退火采用電爐絲.

濺射沉積的過(guò)程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對(duì)鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.