CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本?？梢愿苯拥闹繵afer 的良率。FT是把壞的chip挑出來(lái)；檢驗(yàn)封裝的良率。

現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。

CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來(lái)測(cè)試

而FT則對(duì)封裝好的Chip來(lái)測(cè)試。

CP  Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專(zhuān)門(mén)的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過(guò)電參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定；

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高；

FT是packaged chip level的Final Test，主要是對(duì)于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試；

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual

CP 測(cè)試對(duì)Memory來(lái)說(shuō)還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過(guò)MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過(guò)Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來(lái)，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

CP是對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，檢查fab廠制造的工藝水平

FT是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試，檢查封裝廠制造的工藝水平

對(duì)于測(cè)試項(xiàng)來(lái)說(shuō)，有些測(cè)試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測(cè)試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測(cè)試了，節(jié)省了FT測(cè)試時(shí)間；但是有些測(cè)試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測(cè)試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求）

一般來(lái)說(shuō)，CP測(cè)試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測(cè)的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測(cè)試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測(cè)試的干擾問(wèn)題。FT相對(duì)來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測(cè)試的CP會(huì)更難，因?yàn)橐鰎edundancy analysis，寫(xiě)程序很麻煩。

CP在整個(gè)制程中算是半成品測(cè)試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過(guò)多的壞芯片），其能夠測(cè)試的項(xiàng)比FT要少些。Z簡(jiǎn)單的一個(gè)例子，碰到大電流測(cè)試項(xiàng)CP肯定是不測(cè)的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測(cè)。不過(guò)許多項(xiàng)CP測(cè)試后FT的時(shí)候就可以免掉不測(cè)了（可以提GX率），所以有時(shí)會(huì)覺(jué)得FT的測(cè)試項(xiàng)比CP少很多。

應(yīng)該說(shuō)WAT的測(cè)試項(xiàng)和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）測(cè)的！

而CP的項(xiàng)目是從屬于FT的（也就是說(shuō)CP測(cè)的只會(huì)比FT少），項(xiàng)目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因?yàn)榉庋b都會(huì)導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測(cè)試SPEC收的要比FT更緊以確保Z終成品FT良率。還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個(gè)系列通用的die，在CP是通過(guò)trimming來(lái)定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的較佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯（）一的，且WAT良率在99%左右，才會(huì)盲封的。

據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險(xiǎn)實(shí)在太大，不容易受控。

WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測(cè)試

CP：wafer level 的電路測(cè)試含功能

FT：device level 的電路測(cè)試含功能

CP=chip probing

FT=Final Test

CP 一般是在測(cè)試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過(guò)bump wafer是在裝上錫球，probing后就沒(méi)有FT

FT是在封裝之后，也叫“終測(cè)”。意思是說(shuō)測(cè)試完這道就直接賣(mài)去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket

CP比較常見(jiàn)的是room temperature=25度，F(xiàn)T可能一般就是75或90度

CP沒(méi)有QA buy-off（質(zhì)量認(rèn)證、驗(yàn)收），F(xiàn)T有

CP兩方面

1. 監(jiān)控工藝，所以呢，覺(jué)得probe實(shí)際屬于FAB范疇

2. 控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測(cè)試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修復(fù)，Z有利于控制成本

FT:

終測(cè)通常是測(cè)試項(xiàng)Z多的測(cè)試了，有些客戶還要求3溫測(cè)試，成本也Z大。

至于測(cè)試項(xiàng)呢，

1. 如果測(cè)試時(shí)間很長(zhǎng)，CP和FT又都可以測(cè)，像trim項(xiàng)，加在probe能顯著降低時(shí)間成本，當(dāng)然也要看客戶要求。

2. 關(guān)于大電流測(cè)試呢，F(xiàn)T多些，但是我在probe也測(cè)過(guò)十幾安培的功率mosfet，一個(gè)PAD上十多個(gè)needle。

3. 有些PAD會(huì)封裝到device內(nèi)部，在FT是看不到的，所以有些測(cè)試項(xiàng)只能在CP直接測(cè)，像功率管的GATE端漏電流測(cè)試Igss

CP測(cè)試主要是挑壞die，修補(bǔ)die，然后保證die在基本的spec內(nèi)，function well。

FT測(cè)試主要是package完成后，保證die在嚴(yán)格的spec內(nèi)能夠function。

CP的難點(diǎn)在于，如何在Z短的時(shí)間內(nèi)挑出壞die，修補(bǔ)die。

FT的難點(diǎn)在于，如何在Z短的時(shí)間內(nèi)，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。

振動(dòng)篩分機(jī)英語(yǔ)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)是什么？

石油產(chǎn)品密度測(cè)定儀的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)介紹：

　　密度：在15℃，101.325kpa下，單位體積液體的質(zhì)量，以kg/m3表示。其他標(biāo)準(zhǔn)溫度下的密度，如對(duì)于某些產(chǎn)品和在某些場(chǎng)所20℃下的密度也被也被使用，少數(shù)單位如kg/1和g/ml仍被使用。

　　相對(duì)密度（比重）：在特定溫度下，某一體積液體的質(zhì)量與同溫度下或不同溫度下同體積純水質(zhì)量之比。兩種標(biāo)準(zhǔn)溫度在下將被明確說(shuō)明。一般的標(biāo)準(zhǔn)溫度包括60/60F，20/20℃―20/4℃,以前使用比重這一術(shù)語(yǔ)現(xiàn)在仍能看到。

　　API重度：用來(lái)表示油品相對(duì)密度60/60°F的一種約定尺度，其關(guān)系系式如下：API=141.5/A(相對(duì)密度60/60°F)-131.5。標(biāo)準(zhǔn)溫度如沒(méi)有其他說(shuō)明，定義中值得溫度為60°F。

　　視密度：是指在某一溫度下觀察到的密度計(jì)讀數(shù)而不是在指定標(biāo)準(zhǔn)溫度下的密度值。這些數(shù)值只是密度計(jì)讀數(shù)并不是在其他溫度下的密度，相對(duì)密度，API重度。

　　濁點(diǎn)：在規(guī)定條件下，被冷卻液體開(kāi)始出現(xiàn)蠟結(jié)晶時(shí)液體混濁時(shí)的溫度。

　　慶點(diǎn)：在規(guī)定條件下，被冷卻的石油和石油產(chǎn)品試樣尚能流動(dòng)的zui低溫度。

　　蠟出現(xiàn)溫度（WAT）：在規(guī)定條件下被冷卻的石油和石油產(chǎn)品蠟固體形成時(shí)的溫度。