振動(dòng)篩分機(jī)英語專業(yè)術(shù)語是什么？

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本?？梢愿苯拥闹繵afer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。

現(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。

CP對整片Wafer的每個(gè)Die來測試

而FT則對封裝好的Chip來測試。

CP  Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定；

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不會很高；

FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機(jī)測試；

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual

CP 測試對Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

CP是對wafer進(jìn)行測試，檢查fab廠制造的工藝水平

FT是對package進(jìn)行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平

對于測試項(xiàng)來說，有些測試項(xiàng)在CP時(shí)會進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會有不同的要求）

一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測試的CP會更難，因?yàn)橐鰎edundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個(gè)制程中算是半成品測試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項(xiàng)比FT要少些。Z簡單的一個(gè)例子，碰到大電流測試項(xiàng)CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測。不過許多項(xiàng)CP測試后FT的時(shí)候就可以免掉不測了（可以提GX率），所以有時(shí)會覺得FT的測試項(xiàng)比CP少很多。

應(yīng)該說WAT的測試項(xiàng)和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）測的！

而CP的項(xiàng)目是從屬于FT的（也就是說CP測的只會比FT少），項(xiàng)目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因?yàn)榉庋b都會導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保Z終成品FT良率。還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個(gè)系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的較佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯（）一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險(xiǎn)實(shí)在太大，不容易受控。

WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測試

CP：wafer level 的電路測試含功能

FT：device level 的電路測試含功能

CP=chip probing

FT=Final Test

CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過bump wafer是在裝上錫球，probing后就沒有FT

FT是在封裝之后，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket

CP比較常見的是room temperature=25度，F(xiàn)T可能一般就是75或90度

CP沒有QA buy-off（質(zhì)量認(rèn)證、驗(yàn)收），F(xiàn)T有

CP兩方面

1. 監(jiān)控工藝，所以呢，覺得probe實(shí)際屬于FAB范疇

2. 控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修復(fù)，Z有利于控制成本

FT:

終測通常是測試項(xiàng)Z多的測試了，有些客戶還要求3溫測試，成本也Z大。

至于測試項(xiàng)呢，

1. 如果測試時(shí)間很長，CP和FT又都可以測，像trim項(xiàng)，加在probe能顯著降低時(shí)間成本，當(dāng)然也要看客戶要求。

2. 關(guān)于大電流測試呢，F(xiàn)T多些，但是我在probe也測過十幾安培的功率mosfet，一個(gè)PAD上十多個(gè)needle。

3. 有些PAD會封裝到device內(nèi)部，在FT是看不到的，所以有些測試項(xiàng)只能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss

CP測試主要是挑壞die，修補(bǔ)die，然后保證die在基本的spec內(nèi)，function well。

FT測試主要是package完成后，保證die在嚴(yán)格的spec內(nèi)能夠function。

CP的難點(diǎn)在于，如何在Z短的時(shí)間內(nèi)挑出壞die，修補(bǔ)die。

FT的難點(diǎn)在于，如何在Z短的時(shí)間內(nèi)，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。