目標(biāo)：大面積薄膜厚度均勻性的表征。

手段和方法：FR-Basic與FR-Mapper結(jié)合使用，可快速準(zhǔn)確地測量大面積預(yù)定義點上的薄膜厚度。所有測量均使用FR-Basic進(jìn)行，該FR-Basic經(jīng)過調(diào)諧，可在540-1000nm光譜范圍內(nèi)運行，同時將樣品固定在FR- Mapper上。反射探頭其活性斑點直徑為0.5mm。樣品是涂有SiO2的4英寸SiO2（thermal or TEOS）和Si3N4（LPCVD）/SiO2（thermal）。對于參考測量，使用高反射鋁涂層鏡子（NT01-913-533，EdmundOptics）。

結(jié)果：在圖1中，顯示了在硅晶圓（藍(lán)色）上掃描的區(qū)域（紅色）。6x6cm2的掃描區(qū)域中心偏移至左下角。在圖2a中，展示了TEOS二氧化硅的厚度值。薄膜厚度在兩個軸上以2mm的步長測量（共961次測量）。計算得到的平均厚度值為635.07nm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為4.24nm。最小厚度為623.13nm，最大厚度為641.35nm。在圖2b中，展示了同一區(qū)域內(nèi)熱生長的二氧化硅（濕氧化）的薄膜厚度值。厚度也是在兩個軸上以2mm的步長測量（共961次測量）。計算得到的平均厚度值為697.29nm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.93nm。最小厚度為697.22nm，最大厚度為701.32nm。熱生長的二氧化硅的薄膜厚度變化明顯較小，此外，薄膜厚度的梯度呈現(xiàn)出徑向?qū)ΨQ性，而TEOS薄膜則沒有這種特征。在圖3中，展示了Si3N4/SiO2疊層中的薄膜厚度值。

圖1：測量薄膜厚度的區(qū)域布局。

圖2: 熱生長二氧化硅（左）和沉積TEOS（右）的厚度值

圖 3：硅上 LPCVD Si3N4（左）/熱 SiO2（右）雙層膜的厚度

結(jié)論：FR-Mapper 已連接到FR-Basic，并成功測量了薄膜厚度單層和多層的映射。