1.SiCw/SiC-Si-Y材料的制備方法：

1)SiCw (32 vol%), PEG (2 wt%), TMAH (4 wt%), AM (10 wt%), Bis (1 wt%)放入去離子水球磨6-10h。APS(APS: AM 1 / 4質(zhì)量比1:60)加入漿料中，快速攪拌30 s。隨后倒入模具放入馬弗爐80℃加熱10-20min，再干燥。

2)PCS/二甲苯溶液（質(zhì)量比為1:40）滲透到SiCw預(yù)制體中真空滲濾1 h。最后，將SiCw預(yù)制件放入管式爐中，分別在220℃和900℃的溫度下對PCS進行固化和熱解2 h。

3)將質(zhì)量比為 1:2 的酚醛樹脂/乙醇溶液通過真空浸漬工藝注入到 SiCw 前體中，并在150℃下固化3h。然后，在氬氣氛圍下將酚醛樹脂在900℃下進行熱解2h。上述步驟重復(fù)進行，直至碳的體積分數(shù)約為30%，孔隙率約為 32%。最后，在1650℃的真空條件下，將 Si-Y合金熔體注入SiCw/C前體中0.5h。

2.水氧實驗：溫度為1500℃，該混合氣體的分壓為P(H2O): P(O2): P(Ar)=30: 20: 50，氣體流速為50ml/min。總腐蝕時間為20h，分別在1h，5h，10h和20h拿出稱重。

3.腐蝕機理 ：

1)引入的釔在腐蝕初期與氧氣反應(yīng)生成Y?Si?O?，隨后進一步與水汽反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)閅?SiO?。

2)保護層：Y?SiO?具有高熔點、低氧滲透率和高化學(xué)穩(wěn)定性的特點。該保護層有效阻隔了水氧蒸汽向材料內(nèi)部滲透（深度僅~30μm）

3)防腐蝕：腐蝕過程中生成的Y?SiO?填補了部分孔隙，使復(fù)合材料開孔率從2.76%降至1.39%，結(jié)構(gòu)更為致密。