臺式 X 射線吸收精細結構分析系統(tǒng)easyXAFS打破同步輻射光源的依賴,憑借高靈敏(≤0.1 wt% 樣品精準測試)、高檢測精度(ppm 級 XES 分析)、寬能量覆蓋(4.5–25 keV,適配 70 余種元素)、成熟穩(wěn)定(服務 200 余家用戶,市場占有率超 70%)及跨領域適配(覆蓋催化、電池、能源等多前沿方向)等優(yōu)勢,讓科研人員在常規(guī)實驗室環(huán)境中即可高效開展 XAFS 與 XES 測試,為材料微觀結構研究提供直接可靠的結構證據。近期,多篇發(fā)表于 Advanced Functional Materials 的高水平研究,均借助 easyXAFS 完成關鍵表征,成功解析電池與能源材料領域的核心科學問題,彰顯其在推動前沿科研突破中的關鍵作用。

臺式X射線吸收精細結構譜/發(fā)射譜儀-easyXAFS
在電池與能源材料研究中,真實工作狀態(tài)下的原子尺度結構與電子行為,是推動材料性能提升的核心所在。然而,高電壓循環(huán)中的電荷補償路徑、多金屬體系中的真實位點分布,以及過渡金屬局域配位畸變引發(fā)的電子結構重排等關鍵過程,難以通過常規(guī)表征手段直接捕捉。X 射線吸收精細結構譜(XAFS)作為解析此類機理的核心工具,其臺式化解決方案easyXAFS 憑借突出的優(yōu)勢成為科研人員的共同選擇,為相關研究提供了更為便捷、精準的表征方案,以下三大典型案例將充分印證其技術實力。
案例一:原位 XAFS 揭示高電壓充電下 Co 位點的真實結構穩(wěn)定性
在富鋰層狀正極材料中,高電壓充電過程往往伴隨著復雜的電荷補償行為,其本質直接決定了材料的可逆容量與長期結構穩(wěn)定性。為解析不同材料在長循環(huán)后的失效機制,研究人員利用easyXAFS對 Co K 邊 X 射線吸收譜進行了系統(tǒng)研究[1]。

Co K-edge XANES 結果顯示,在經歷 100 次循環(huán)并處于完全充電態(tài)后,SRLCO 樣品的 Co 吸收邊位置相較于 BLCO 明顯向高能方向移動,表明 Co 的平均氧化態(tài)顯著升高,說明在充電過程中 Co3?/Co?? 更充分地參與了電荷補償過程。該機制有利于 Li? 的高效脫嵌,從而實現更高的可逆容量。
相比之下,BLCO 樣品的 Co 吸收邊變化較小,卻伴隨著明顯的氧析出行為,表明其電荷補償過程更多依賴氧參與,導致顯著的電化學不可逆性。進一步的 Co K-edge EXAFS 分析表明,BLCO 在 100 次循環(huán)后出現 Co–O 與 Co–Co 配位距離壓縮,反映出局域配位環(huán)境的畸變。這一結果直接揭示了高電壓析氧與結構退化之間的內在聯(lián)系。
通過 XANES 與 EXAFS 的協(xié)同分析,easyXAFS 從原子尺度明確指出:穩(wěn)定的過渡金屬電荷補償路徑,是抑制高電壓析氧行為、維持結構完整性的關鍵因素。
案例二:多金屬體系中,XAFS 精準解析 Co / Ni / Zn 的真實占位與協(xié)同機制
在多金屬尖晶石氧化物體系中,不同金屬元素共存往往使真實活性位點難以判定。針對這一問題,研究人員借助 easyXAFS 對 Co、Ni、Zn 等多種元素的 K 邊 XAFS 進行了系統(tǒng)分析,從原子尺度揭示了多金屬協(xié)同調控機制[2]。

Co K-edge XANES 結果顯示,HEO-HoMSs 樣品的吸收邊位置高于 CoO 而低于 Co?O?,并相較于 MEO-HoMSs 整體向高能方向移動,表明 Co 的平均價態(tài)升高。進一步的 Co K-edge EXAFS 擬合與傅里葉變換分析表明,HEO-HoMSs 中 Co 在晶格中的占位方式發(fā)生顯著重構:四面體位 Co 的比例明顯降低,而八面體位 Co 的占比顯著提升。基于 Co K-edge EXAFS 擬合得到的定量配位數結果顯示,HEO-HoMSs 中 Co 的八面體占位比例高達 0.84,明顯高于對照樣品。
同時,Ni 與 Zn 的 K-edge XANES 與 EXAFS 分析表明,這些金屬元素傾向于優(yōu)先占據四面體位,并通過 M–O–Co(M = Ni, Zn)橋聯(lián)方式與 Co 形成協(xié)同結構。WT-EXAFS 分析進一步在 K–R 空間中清晰區(qū)分了 Co–O、Co–M、Ni–M 與 Zn–M 的散射貢獻,為多金屬協(xié)同摻雜提供了直接結構證據。研究表明,多金屬并非簡單摻雜,而是通過位點選擇性重分布系統(tǒng)性重塑了 Co 的局域配位環(huán)境與電子結構,而這一結論依賴于 XAFS 才能被準確定量。
案例三:XAFS 揭示 V 位點配位畸變與電子躍遷的內在聯(lián)系
在層狀釩基材料中,過渡金屬局域配位環(huán)境的細微變化往往會引發(fā)顯著的電子結構重排。為深入理解不同結構中 V 位點的真實幾何構型與電子狀態(tài)差異,研究人員利用 easyXAFS對V K邊X射線吸收譜進行了系統(tǒng)分析[3]。

V K-edge XANES 結果顯示,在 ≈5471 eV 處可觀測到明顯的 pre-edge 特征峰。該峰源于 1s → 3d 的四極躍遷,對 V 位點的局域對稱性及 3d–2p 雜化程度高度敏感。相比 ChVOH,βVOH 樣品表現出更強的 pre-edge 峰強度,表明其未占據的 V 3d 態(tài)數量增加,反映出 [VO?] 八面體畸變程度的顯著提升以及更強的 V–O 軌道雜化效應。
進一步的 V K-edge EXAFS 分析清晰分辨了不同配位殼層的結構特征。位于 ≈1.7 ? 和 ≈2.2 ? 的散射峰主要來源于第一配位殼中的 V–O 單散射貢獻,而 ≈2.7 ? 處的峰則對應相鄰八面體之間的 V–V 相互作用。WT-EXAFS 分析在 k–R 空間中直觀區(qū)分了 V–O 與 V–V 的散射貢獻,為 EXAFS 擬合結果提供了可靠驗證。
該研究從原子尺度建立了 V 位點局域畸變、電子結構重排與性能響應之間的內在聯(lián)系,充分體現了 XAFS 在解析復雜配位環(huán)境中的特有優(yōu)勢。
臺式easyXAFS:
從以上三項研究可以看到,無論是高電壓電池材料中的結構穩(wěn)定性問題,多金屬體系中的真實協(xié)同機制解析,還是過渡金屬局域配位與電子行為的精細表征,XAFS 都已成為決定論文深度與說服力的核心證據來源。
目前,easyXAFS 已持續(xù)助力科研團隊在 Advanced Functional Materials、Advanced Materials、Angewandte Chemie、Nature Communications、JACS、Energy & Environmental Science 等國際高水平期刊發(fā)表重要成果,成為推動多學科前沿研究突破的核心技術支撐,為材料科學領域的創(chuàng)新發(fā)展注入強勁動力。
參考文獻:
[1]. Liu, Hang, et al. "Surface Reconstruction Enables High‐Voltage, Long‐Life All‐Solid‐State Batteries." Advanced Functional Materials (2025): e16460.
[2]. Liu, Zhihao, et al. "Unlocking Activity Origins of High‐Entropy Spinel Oxides: Tailoring Octahedral Coordination Chemistry for Accelerated Polysulfide Conversion." Advanced Functional Materials (2025): e11616.
[3]. Niu, Huanhuan, et al. "Enhanced Working Voltage in Hydrated Vanadate Cathodes: Insights into [VO?] Octahedral Distortion and V 3d Orbital Splitting." Advanced Functional Materials: e18785.
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