TESCAN 半導(dǎo)體
行業(yè)解決方案
TESCAN在半導(dǎo)體行業(yè)提供一系列高端解決方案,包括:
TESCAN 半導(dǎo)體
失效分析解決方案
非破壞性缺陷檢測(cè)
失效分析流程一:發(fā)現(xiàn)缺陷
印刷電路板X(qián)射線顯微鏡斷層掃描(Micro-CT)顯示錫球
大至12英寸晶圓無(wú)損缺陷檢測(cè)
超大樣品室專為半導(dǎo)體研發(fā)和失效分析定制化設(shè)計(jì)。無(wú)損容納12英寸(300mm)晶圓;擁有諸多傾斜55° TEM 樣品制備的好處;EssenceTM 碰撞模型讓設(shè)備兼容更安全。TESCAN掃描電子顯微鏡選配件。
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高精度失效分析
失效分析流程二:暴露缺陷
等離子體 FIB-SEM(如TESCAN AMBER X 2)對(duì)樣品進(jìn)行高精度銑削和切片,精準(zhǔn)暴露缺陷位置。
另有 TESCAN NanoSpace 可以同時(shí)配置鎵和等離子體多束FIB,它的六軸樣品臺(tái)有處理8英寸晶圓的能力。
失效分析流程三:分析成分
結(jié)合 EDS 等分析技術(shù),揭示材料屬性和缺陷的根本原因。
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先進(jìn)納米級(jí)表征
失效分析流程四:驗(yàn)證與關(guān)聯(lián)
4D-STEM 或 TEM 提供高分辨率成像,完成最終驗(yàn)證并關(guān)聯(lián)分析結(jié)果。
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zh.info.tescan.com/semicon
未來(lái)展望
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,TESCAN預(yù)計(jì)對(duì)量測(cè)和缺陷檢測(cè)設(shè)備的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。TESCAN將繼續(xù)關(guān)注客戶需求,研發(fā)新技術(shù),提供更高效、準(zhǔn)確的解決方案。
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