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半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之PAG雜質(zhì)鑒定、溯源

來源:沃特世科技(上海)有限公司(Waters) 更新時間:2024-03-28 17:25:56 閱讀量:335
導(dǎo)讀:半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之PAG雜質(zhì)鑒定、溯源


半導(dǎo)體制造中的光刻技術(shù)通常占集成電路芯片制造成本的30%,并隨著行業(yè)需求的發(fā)展,向著更小(更輕、更薄、更窄)的電路路徑發(fā)展,例如ArF(193nm)或EUV(13.6nm)。如果激光改變,很多與光刻相關(guān)的材料也需要隨之變化。例如光抗蝕劑涂層應(yīng)該更薄,并更精確地控制紫外線曝光的反應(yīng)。此外,配制后的光刻膠應(yīng)具有適當(dāng)?shù)母街蛷?qiáng)度等,以保證蝕刻線路的精準(zhǔn)度。

光刻膠配方中主要由基礎(chǔ)聚合物、光致酸產(chǎn)生劑和猝滅劑等組成,其中材料的選擇、配方的比例和雜質(zhì)均會影響光刻工藝,對預(yù)期蝕刻的線路穩(wěn)定性帶來風(fēng)險。針對其雜質(zhì)的鑒定和溯源對于配方優(yōu)化和研究尤為重要。Waters Xevo G3 QTof結(jié)合waters_connect UNIFI軟件,可“工程精簡”地實現(xiàn)結(jié)構(gòu)確證、雜質(zhì)溯源。

圖1.光刻常用化學(xué)品。




光致酸產(chǎn)生劑PAG雜質(zhì)分析

PAG主要有離子型和非離子型,這兩種類型的PAG在其結(jié)構(gòu)中均由產(chǎn)酸部分和光吸收部分組成。對于其結(jié)構(gòu)的研究有助于增加靈敏度和效率。例如對于光吸收部分,可以通過:

  • 引入官能團(tuán)提高吸收或降低S+和I+的結(jié)合強(qiáng)度;

  • 引入能吸收更多EUV光的原子元素;

  • 引入具有不對稱性的官能團(tuán),以提高非離子PAG的溶解性。

在本案例中就以碘鹽PAG的雜質(zhì)分析為例(實驗條件和硫鹽PAG雜質(zhì)分析案例,掃描文末二維碼索?。?/span>。

圖2.PAG材料設(shè)計。


結(jié)構(gòu)確證

使用甲醇溶解后制成不同濃度用于主成分和雜質(zhì)分析?;赪aters MSE非數(shù)據(jù)依賴性數(shù)據(jù)采集、Waters UPLC技術(shù)的高效分離能力和軟件的拆分能力,可同時獲得母離子和碎片離子的信息。借助精確質(zhì)量數(shù)和同位素獲得可能的化學(xué)式,進(jìn)一步基于軟件匹配到的碎片信息,驗證結(jié)構(gòu)的可行性。在該案例中,PAG陰陽離子部分測得的碎片均有發(fā)生分子重排,在陽離子的碎片中獲得C19H23的特征碎片信息。

圖3.PAG陽離子和陰離子的質(zhì)譜色譜圖。


雜質(zhì)鑒定和溯源

基于特征性的碎片和中性丟失信息,可以優(yōu)先查找和主成分有共同特征結(jié)構(gòu)的雜質(zhì)信息。在采集獲取到的候選化合物列表中,通過“共同碎片”“中性丟失”功能,輸入感興趣的碎片質(zhì)荷比信息,查找到特征雜質(zhì)。并可通過二元比對功能,在扣除空白或者原液后,對雜質(zhì)成分進(jìn)行分析。

圖4.借助共同特征結(jié)構(gòu)查找相關(guān)雜質(zhì)。



圖5.PAG雜質(zhì)鑒定過程。



表6.PAG材料雜質(zhì)百分比。


雜質(zhì)分析流程

雜質(zhì)分析解決方案基于一個軟件平臺waters_connect UNIFI中,實現(xiàn)從二元比對、多元統(tǒng)計數(shù)據(jù)挖掘,到基于雜質(zhì)與主成分的關(guān)系查找雜質(zhì),以及利用已知的合成信息/降解途徑,進(jìn)一步查找和溯源雜質(zhì)。在純度把控要求異常嚴(yán)苛的半導(dǎo)體光刻材料、OLED以及超純化學(xué)品雜質(zhì)分析中均具有廣泛的應(yīng)用(掃描文末二維碼,獲取雜質(zhì)分析流程應(yīng)用講解視頻)。

如您期望獲取測試具體分析條件和其他半導(dǎo)體行業(yè)分析案例,歡迎掃描下方二維碼。


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