一、解決歐姆接觸形成的工藝難題

- 精準(zhǔn)調(diào)控退火條件：通過快速升降溫、高溫度穩(wěn)定性和均勻溫場，促進(jìn)金屬（如Ni、Ti、Mo等）與SiC界面形成低接觸電阻的歐姆接觸。

- 避免整流特性：相比普通管式爐，RTP能避免IV曲線出現(xiàn)大電壓“整流”現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)良好的線性歐姆特性。

二、改善金屬/SiC界面質(zhì)量

- 實(shí)現(xiàn)平直界面：RTP能精確控制熱擴(kuò)散深度，避免金屬過度滲入SiC襯底，形成清晰、粗糙度低的金屬-SiC界面，有利于電子傳輸。

- 提高界面穩(wěn)定性：在多次循環(huán)測試中，界面結(jié)構(gòu)變化極小，提升了芯片的長期可靠性。

三、提升金屬電極的結(jié)晶質(zhì)量

- 促進(jìn)共格取向生長：通過快速升溫，金屬電極在SiC上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量結(jié)晶，XRD和拉曼表征顯示結(jié)晶質(zhì)量高、取向性好。

四、降低界面缺陷，提升器件性能

- 減少界面態(tài)密度：高溫快速退火有助于原子熱運(yùn)動(dòng)，降低界面缺陷，提升歐姆接觸的穩(wěn)定性和可靠性。

- 抑制新缺陷生成：通過氣氛控制（如Ar、N?、微量O?），可抑制氧化、填充氧空位，改善界面質(zhì)量。

五、提高器件整體性能

- 降低肖特基勢壘高度：在肖特基二極管中，RTP有助于降低導(dǎo)通電壓、提升開關(guān)速度、提高重復(fù)性和穩(wěn)定性。

- 提升二極管特性：在3C-SiC器件中，RTP降低了熱擴(kuò)散深度，減少對SiC層的影響，改善了J-V特性和開關(guān)性能。

六、滿足多樣化SiC器件應(yīng)用需求

- 適用于SiC MOSFET、肖特基二極管、PiN二極管、光導(dǎo)開關(guān)、DUV LED等多種器件結(jié)構(gòu)。

- 支持不同金屬體系（Ni、Ti、Mo、Ti/Al/Ni等）和不同SiC襯底類型（4H-SiC、3C-SiC等）。

七、替代傳統(tǒng)管式爐的工藝缺陷

- 解決管式爐中金屬過度擴(kuò)散、界面粗糙、壽命低、穩(wěn)定性差等問題。

- 提升工藝可控性和良品率，尤其在高功率、高頻、高溫等嚴(yán)苛應(yīng)用場景中表現(xiàn)優(yōu)異。